相变储存行业分析.docx

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相变储存行业分析

2016年相变储存行业分析

一、PCM、DRAM、FLASH存储芯片对比2

1、PCM存储芯片2

2、DRAM和Flash芯片3

3、相变材料部分是PCM芯片设计核心4

二、DRAM、Flash韩、美厂商垄断5

1、存储器产业集中，被三星、美光、SYHynix等国外厂商垄断5

2、大厂制造环节自揽，封测环节存在外包机会6

三、相变存储是国内厂商超车机会7

1、国内大力发展半导体产业7

2、PCM技术提供弯道超车机会8

3、国内芯片制造环节布局8

四、原材料和芯片设计是最大机会9

五、上市公司10

PCM存储器方面的突破将会给当前垄断严重的存储器市场带来巨大变革，相变材料（GST）和芯片设计是PCM产业链当前最大机会。

中国作为继美国、韩国外第三个掌握PCM技术的国家，有望进入芯片设计环节，实现弯道超车。

IDC数据显示2020年全球数据总量将达40ZB，存储需求大，IBM实现了相变材料稳定性方面突破，加速PCM商用，对上游锗有较强拉动作用。

相变材料部分是PCM芯片设计核心：

PCM相变存储器利用电阻材料可逆转的物理状态变化来存储信息，相变材料是PCM核心部件，实验表明GST是当前最优相变材料。