模电习题打印综述Word格式.docx

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5.处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。

6.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为100。

7.三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

8.双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。

9.三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。

10.某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12k的负载电阻后，输出电压降为2.5V，这说明放大电路的输出电阻为12k。

11.为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极组态的放大电路。

12.题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。

由此可以得出：

（1）电源电压

=6V；

（2）静态集电极电流

=1mA；

集电极电压

=3V；

（3）集电极电阻

=3kΩ；

负载电阻

（4）晶体管的电流放大系数

=50，进一步计算可得电压放大倍数

=－50；

（

取200

）；

（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为1.06V；

（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于20μA。

13.稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。

14.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻小。

15.三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。

16.共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。

17.放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

18.共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；

19.共射极、共基极放大电路有电压放大作用；

20.共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；

21.射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。

22.射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。

23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指“小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情况分析。

24.放大器的静态工作点由它的直流通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通路决定。

25.图解法适合于求静态工作Q点；

小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分析法则适合于求交变小信号的工作情况分析。

26.放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力；

输入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力；

而输出电阻则反映出放大器带负载能力。

27.对放大器的分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为Q点。

28. 

在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位关系为反相；

当为共集电极电路时，则VO和VI的相位关系为同相。

29.在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉波谷；

当Q点太低（太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉波峰。

30.单级共射放大电路产生截止失真的原因是放大器的动态工作轨迹进入截止区，产生饱和失真的原因是放大器的动态工作轨迹进入饱和区。

31.NPN三极管输出电压的底部失真都是饱和失真。

32.PNP三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。

33.多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合，直接耦合，变压器耦合。

34.BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。

35.不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。

因此，这种BJT接入电路时，总要使它的发射结保持正向偏置，它的集电结保持反向偏置。

36.某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V，则三极管的集电极是A，基极是C，发射极是B。

该三极管属于PNP型，由

锗半导体材料制成。

37.电压跟随器指共集电极电路，其电压的放大倍数为1；

电流跟随器指共基极电路，指电流的放大倍数为1。

38.温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，

增加，

增加，正向发射结电压

减小，

减小。

39.当温度升高时，共发射极输入特性曲线将左移，输出特性曲线将上移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。

40.放大器产生非线性失真的原因是三极管或场效应管工作在非放大区。

41.在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，

的变化情况（a.增加，b，减小，c.不变，将答案填入相应的空格内）。

（1）

增加时，

将增大。

（2）

减小时，

（3）

将减小。

（4）

将不变。

（5）

减小时（换管子），

（6）环境温度升高时，

42.在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。

（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。

）

（1）若

阻值减小，则静态电流IB将增大，

将减小，电压放大倍数

将增大。

（2）若换一个

值较小的晶体管，则静态的

将不变，

将增大，电压放大倍数

将减小。

（3）若

阻值增大，则静态电流

43.放大器的频率特性表明放大器对不同频率信号适应程度。

表征频率特性的主要指标是中频电压放大倍数，上限截止频率和下限截止频率。

44.放大器的频率特性包括幅频响应和相频响应两个方面，产生频率失真的原因是放大器对不同频率的信号放大倍数不同。

45.频率响应是指在输入正弦信号的情况下，放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。

46. 

放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。

47.幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为截止频率。

48.阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在耦合电容和旁路电容的影响；

高频区电压增益下降的原因是由于存在放大器件内部的极间电容的影响。

49.单级阻容耦合放大电路加入频率为

的输入信号时，电压增益的幅值比中频时下降了3dB，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为-45º

和+45º

。

50.在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为-20dB/十倍频，幅频响应低频区的斜率为-20dB/十倍频；

附加相移高频区的斜率为-45º

/十倍频，附加相移低频区的斜率为+45º

/十倍频。

51.一个单级放大器的下限频率为

，上限频率为

，

，如果输入一个

mV的正弦波信号，该输入信号频率为50kHz，该电路不会产生波形失真。

52.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变窄，电压增益增大，高频区附加相移增大。

二、判断题

1.下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。

（1）3.2V，5V，3V；

解：

锗NPN型BJT管VBE=0.2V所以为锗管；

5V为集电极，3.2V为基极，3V为发射极，

（2）－9V，－5V，－5.7V

硅PNP型BJT管；

－9V为集电极，－5.7V为基极，－5V为发射极

（3）2V，2.7V，6V；

硅NPN型BJT管；

6V为集电极，2.7V为基极，2V为发射极

（4）5V，1.2V，0.5V；

5V为集电极，1.2V为基极，0.5V为发射极

（5）9V，8.3V，4V

硅PNP型BJT管9V为发射极，8.3V为基极，4V为集电极

（6）10V，9.3V，0V

硅PNP型BJT管，10V为发射极，9.3V为基极，0V为集电极

（7）5.6V，4.9V，12V；

硅NPN型BJT管，12V为集电极，5.6V为基极，4.9V为发射极，

（8）13V，12.8V，17V；

锗NPN型BJT管，17V为集电极，13V为基极，12.8V为发射极，

（9）6.7V，6V，9V；

硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V为基极，6V为发射极，

2.判断三极管的工作状态和三极管的类型。

1管：

答：

NPN管，工作在放大状态。

2管：

NPN管，工作在饱和状态。

3管：

NPN管，工作在截止状态。

3.题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？

题图3.0.4所列三极管中，只有图（D）所示的三极管处在放大区。

4.放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？

题图3.0.5所示的三极管，B、E极之间短路，发射结可能烧穿。

5.测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的

为①。

①为60。

②为61。

③0.98。

④无法确定。

6.只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是②b极。

①e极②b极③c极

7.共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其①。

①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。

②输入和输出均具近似的恒流特性。

③输入和输出均具有近似的恒压特性。

④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。

8.共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c，e间的击穿电压分别用V（BR）CEO，V（BR）CES和V（BR）CER表示，则它们之间的大小关系是②。

①V（BR）CEO＞V（BR）CES＞V（BR）CER。

②V（BR）CES＞V（BR）CER＞V（BR）CEO。

③V（BR）CER＞V（BR）CES＞V（BR）CEO。

④V（BR）CES＞V（BR）CEO＞V（BR）CER。

9．题图3.0.6所示电路中，用

直流电压表测出VCE≈0V，有

可能是因为C或D。

ARb开路

BRc短路

CRb过小

D过大

1.场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件。

2.为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加反向电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻小。

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

3.场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。

N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。

JFET管中的漏极电流不能穿过PN结（能，不能）。

4.对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或者零。

5.对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为正，并且只能当VGS>

VTH时，才能形有

。

6.P沟道增强型MOS管的开启电压为负值。

N沟道增强型MOS管的开启电压为正值。

7.场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；

噪声低；

温度稳定性好；

饱和压降大；

放大能力较差；

频率特性较差（工作频率低）；

输出功率较小。

8.场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。

9.场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。

10.由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，由于场效应管只有多数载流子参与导电，所以将其称为单极型的。

11.跨导

反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位为ms（毫西门子）。

12.若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。

13.一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示，则它是N沟道的效应管，它的夹断电压Vp是4.5V，饱和漏电流IDSS是5.4mA。

1.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

（交流功率直流功率平均功率）

2.与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是能量效率高。

（无输出变压器能量效率高无交越失真）

3.所谓功率放大电路的转换效率是指负载得到的有用信号功率和电源供给的直流功率之比。

4.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为0.2W。

5.在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有

（1）最大允许功耗

；

集电极—发射极间的反向击穿电压；

（3）最大集电极电流

。

6.若乙类OCL电路中晶体管饱和管压降的数值为│VCES│，则最大输出功率

8.电路如题图5.1.1所示，已知T1和T2的饱和管压降│VCES│＝2V，直流功耗可忽略不计。

R3、R4和T3的作用是为T1和T2提供适当的偏压，使之处于微导通状态，消除交越失真。

负载上可能获得的最大输出功率Pom16W和电路的转换效率η＝69.8%。

设最大输入电压的有效值为1V。

为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取10.3千欧。

9.甲类功率放大电路的能量转换效率最高是50%（峰值功率）。

甲类功率放大电路的输出功率越大，则功放管的管耗越小，则电源提供的功率越大。

10.乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是78.5%。

若功放管的管压降为Vces乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值为

，管子的功耗最小。

乙类互补功放电路存在的主要问题是输出波形严重失真。

在乙类互补推挽功率放大电路中，每只管子的最大管耗为0.2

设计一个输出功率为20W的功放电路，若用乙类互补对称功率放大，则每只功放管的最大允许功耗PCM至小应有4W。

双电源乙类互补推挽功率放大电路最大输出功率为

11.为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在甲乙类状态。

12.单电源互补推挽功率放大电路中，电路的最大输出电压为

13.由于功率放大电路工作信号幅值大，所以常常是利用图解法分析法进行分析和计算的。

1.差动放大电路采用了对称的三极管来实现参数补偿，其目的是为了克服零点漂移。

2.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是集成工艺难于制造大容量电容，选用差分放大电路作为输入级的原因是利用其对称性减小电路的温漂。

3.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差，共模信号是两个输入端信号的算术平均值。

4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将提高电路的共模抑制比。

5.三极管构成的电流源之所以能为负载提供恒定不变的电流，是因为三极管工作在输出特性的放大区域；

三极管电流源具有输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大的特点。

6.在放大电路中，采用电流源作有源负载的目的是为了提高电压放大倍数，在含有电流源的放大电路中，判断电路是放大电路还是电流源电路的方法是：

电流源是一个单口网络，而放大电路是一个双口网络。

1.在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是C多级放大电路。

A阻容耦合，B变压器耦合，C直接耦合，D光电耦合。

2.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的C多级放大电路。

A阻容耦合，B变压器耦合，C直接耦合，D光电耦合，

3.集成运放是一种高增益的、C的多级放大电路。

4.通用型集成运放的输入级大多采用C。

A共射极放大电路，B射极输出器，C差分放大电路，D互补推挽电路。

5.通用型集成运放的输出级大多采用D。

6.差分放大电路能够C。

A提高输入电阻，B降低输出电阻，C克服温漂，D提高电压放大倍数。

7.典型的差分放大电路是利用C来克服温漂。

A直接耦合，B电源，C电路的对称性和发射极公共电阻，D调整元件参数。

8.差分放大电路的差模信号是两个输入信号的B。

A和，B差，C乘积，D平均值。

9.差分放大电路的共模信号是两个输入信号的D。

10.共摸抑制比KCMR越大，表明电路C。

A放大倍数越稳定，B交流放大倍数越低，C抑制零漂的能力越强，D输入电阻越高。

11.差分放大电路由双端输出变为单端输出，则差模电压增益B。

A增加，B减小，C不变。

12.电流源电路的特点是：

A。

A端口电流恒定，交流等效电阻大，直流等效电阻小。

B端口电压恒定，交流等效电阻大。

C端口电流恒定，交流等效电阻大，直流等效电阻大。

13.在差分放大电路中，用恒流源代替差分管的公共射极电阻Re是为了C。

A提高差模电压放大倍数，B提高共模电压放大倍数，

C提高共模抑制比，D提高偏置电流，

1.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入直流负反馈；

2.在放大电路中引入串联负反馈后，电路的输入电阻增加。

3.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入引入负反馈的类型是电压串联负反馈；

4.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入引入负反馈的类型是电流并联负反馈。

5.欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入电压并联负反馈；

6.负反馈放大器自激振荡的条件为

7.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入负反馈的类型是电流串联。

1.放大电路中有反馈的含义是B。

A、输出与输入之间有信号通路

B、电路中存在反向传输的信号通路

C、除放大电路以外还有信号通道

2.根据反馈的极性，反馈可分为C反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负D串联和并联

3.根据反馈信号的频率，反馈可分为A反馈

4.根据取样方式，反馈可分为B反馈

5.根据比较的方式，反馈可分为D反馈

6.负反馈多用于A。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压D提高电压增益

7.正反馈多用于B。

8.交流负反馈是指B。

A只存在于阻容耦合电路中的负反馈

B交流通路中的负反馈

C变压器耦合电路中的负反馈

D直流通路中的负反馈

9.若反馈信号正比于输出电压，该反馈为C反馈。

A串联B电流C电压D并联

10.若反馈信号正比于输出电流，该反馈为B反馈

11.当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为A反馈。

12.当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为D反馈。

13.电压负反馈可以A。

A稳定输出电压B稳定输出电流C增大输出功率

14.串联负反馈A。

A提高电路的输入电阻B降低电路的输入电阻

C提高电路的输出电压D提高电路的输出电流

15.电压并联负反馈B。

16.电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为B反馈系数。

A电流B互阻C互导D电压

17.负反馈所能抑制的干扰和噪声是指C。

A输入信号所包含的干扰和噪声

B反馈环外的干扰和噪声

C反馈环内的干扰和噪声