东北大学期末考核《模拟电子技术基础ⅠX》期末考试备战高分题集Word文档下载推荐.docx
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5、电路如图1所示。
设图中的二级管都是理想的,电压Uab为(A)。
图1
A、-5VB、-1VC、0VD、5V
6、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的(B)。
A、差模放大倍数数值增大B、抑制共模信号能力增强C、差模输入电阻增大
7、按要求选择合适的电路。
(1)有电压放大作用的电路是(C);
(2)有电流放大作用的电路是(B);
(3)输入电压与输出电压反相的电路是(A)。
A、共射电路B、共集电路C、共基电路
8、当三极管的发射结正偏,集电结反偏,三极管处于(B)工作区;
当三极管的发射结反偏,集电结正偏,三极管处于(A)工作区;
A、截止B、放大C、饱和D、击穿
9.电路如图2所示。
已知变压器副边电压有效值为10V,电容足够大。
图7
(1)正常情况下输出电压平均值UO(AV)≈(D);
(2)电容C虚焊时UO(AV)≈(B);
(3)D1和电容C同时开路,UO(AV)≈(A)。
A、B、9VC、10VD、12V
10⒈P型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。
(C)
A、电子B、空穴C、三价元素D、五价元素
12.稳压管的稳压区是其工作在(C)。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿
13二极管电路如图1所示,设二极管均为理想的,则电压Uab为(C)。
图1
A、-12VB、-6VC、0VD、+6V
14在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、和-6V,则这只三极管属于(C)。
A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
15.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以(A)。
A、减小温漂B、增大放大倍数C、提高输入电阻
16.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的(A),共模输入信号是指两个输入端的输入信号的(B)。
A、差B、和C、平均值
17.按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(A),第二级应采用(A)。
(2)要求输入电阻为100kΩ~2021Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B),第二级应采用(A)。
A、共射电路B、.共集电路C、共基电路
18.根据要求选择合适的反馈组态。
(1)欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入(B);
(2)欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入(C);
(3)欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入(A);
(4)欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入(D)。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈
19已知电路如图2所示。
T1和T2管的饱和管压降│UCES│=3V,VCC=15V,RL=8Ω。
选择正确答案填入空内。
图2
(1)电路中D1和D2管的作用是消除(C)。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真
(2)静态时,晶体管发射极电位UEQ(B)。
A、>0VB、=0VC、<0V
(3)最大输出功率POM(C)。
A、≈28WB、=18WC、=9W
(4)当输入为正弦波时,若R1虚焊,即开路,则输出电压()。
A、为正弦波B、仅有正半波C、仅有负半波
(5)若D1虚焊,则T1管(A、B)。
A、可能因功耗过大烧坏B、始终饱和C、始终截止
一、判断题
1.半导体中的空穴是带正电的离子。
(×
)
2.截止失真和饱和失真不可能同时产生。
(√)
3.稳压管只能工作在反向击穿区。
4.最大不失真输出电压幅值为放大电路的直流参数。
5.差动式放大电路的共模抑制比KCMR越大,说明电路的交流放大倍数越大。
6.运算放大器的开环应用是指运算放大器的输出无负载。
7.为满足振荡的相位条件,RC文氏桥振荡器中的放大器的输出信号与输入信号之间的相位差应为180゜。
8.为了有效的抑制零点漂移,集成运算放大器通常采用阻容耦合的连接方式。
9.为了保证二极管正向导通,可以将的干电池以正向接法接到二极管两端。
(×
10.放大电路引入负反馈的主要目的是为了增强电路的放大能力。
11、半导体中的电子是带负电的离子。
12、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可以将其改型为P型半导体。
13、PN结加反向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变宽,PN结截止。
14、两级放大电路的通频带要比单级电路的通频带宽。
15、加入负反馈后,闭环放大电路的通频带比开环时变窄了。
16、功率放大电路的最大输出功率是指电源提供的功率。
17、对于双极型晶体管放大电路来说,可以放大电压,不能放大电流的是共集放大电路。
18、电压串联负反馈可以将电压信号转换为与之成正比的电流信号。
19、电压比较器是集成运放的线性应用。
2021了处理具有100HZ固定频率的有用信号,应该选择低通滤波器。
二、半导体器件的分析。
1、电路如图3所示,设输入电压ui是幅值为12V的正弦波,试分析D1,D2工作状态,并画出uo的波形。
(设二极管D1,D2为理想二级管)。
2、根据图4所示的晶体管型号及实测对地直流电压数据(设直流电压表的内阻非常大),分析:
(1)管子是锗管还是硅管?
(2)管子的工作状态(放大、截止、饱和或损坏)。
1、
2、UBC==;
发射结正向偏置,集电结正偏,此管为锗PNP,工作在饱和区。
。
四、电路如图3所示,设输入电压ui是幅值为10V的正弦波,试画出uo的波形。
图3
三、