三极管笔试.docx
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三极管笔试
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三极管,笔试
篇一：
三极管单元测试题
三极管单元测试题
一、单选题（每题2分）
1.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
a.u（bR）ceou（bR）cbou（bR）ebob.u（bR）cbou（bR）ceou（bR）ebo
c.u（bR）cbou（bR）ebou（bR）ceod.u（bR）ebou（bR）ceou（bR）cbo
2.某三极管的pcm100mw,icm20ma,u（bR）ceo15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。
a.uce3V,ic10mab.uce2V,ic40ma
c.uce6V,ic20mad.uce20V,ic2ma
3.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（
）。
a.截止b.饱和c.放大d.无法确定
4.（）具有不同的低频小信号电路模型。
a.npn管和pnp管b.增强型场效应管和耗尽型场效应管
c.n沟道场效应管和p沟道场效应管d.三极管和二极管
5.（）情况下，可以用h参数小信号模型分析放大电路。
a.正弦小信号b.低频大信号c.低频小信号d.高频小信号
6.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压uce=0.3V，则此时三极管工作于（状态。
a.饱和b.截止c.放大d.无法确定
7.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（
）。
a.增强型pmosb.增强型nmosc.耗尽型pmosd.耗尽型nmos
8.下面的电路符号代表（）管。
１）
a.耗尽型pmosb.耗尽型nmos
c.增强型pmosd.增强型nmos
9.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。
a.ieibicb.icibc.icbo
（1）iceod.
10.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。
a.放大b.截止c.饱和d.无法确定
二、判断题（每题2分）
1.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的pn结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
2.双极型三极管由两个pn结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
3.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
4.三极管工作在放大区时，若ib为常数，则uce增大时，ic几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用h参数小信号模型替代。
6.三极管的c、e两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的c、e两个电极互换使用。
7.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8.idss表示工作于饱和区的增强型场效应管在ugs=0时的漏极电流。
9.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
10.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
三、填空题（每题2分）
1.
2.双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别_______和3.当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。
4.
5.
6.
7.三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置。
场效应管具有输入电阻很等特点。
某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为u1=-9V，u2=-6V，u3=-6.2V，则电极为基极，为集电极，为发射极，为型管。
8.三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。
9.
10.反映反映态时的电流放大特性。
四、计算分析题（每题10分）
1.图中三极管均为硅管，试求各电路中的ic、uce及集电极对地电压uo。
２
2.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中ib、ic、
uce的值，判断三极管工作在什么状态。
3.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中ib、ic、uce
的值，判断三极管工作在什么状态。
３
--------------------------------------------密--------------------封-------------------线----------------------------------------4.场效应管电路如图所示，已知ui20sint（mV），场效应管的gm0.58ms试求该电路的交流输出电压u
o的大小。
４
篇二：
半导体三极管及其基本电路试题及答案
第二章半导体三极管及其基本电路
一、填空题
1、（2-1，中）当半导体三极管的有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、（2-1，低）根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、（2-1，低）三极管的特性曲线主要有
4、（2-1，中）三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压Vce一定时，与之间的关系。
5、（2-1，低）为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、（2-1，中）为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对npn管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调Rb，使其，则ib，这样可克服失真。
7、（2-1，低）共发射极放大电路电压放大倍数是的比值。
8、（2-1，低）三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制化。
9、（2-1，低）共射组态既有放大作用，又有
10、（2-1，中）极为输出端。
11、（2-1，难）某三极管3个电极电位分别为Ve=1V,Vb=1.7V,Vc=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、（2-1，难）已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8V，③5V，试判断：
a．①脚是（e,b，c）；
b．管型是（npn，pnp）；
c．材料是（硅，锗）。
13、（2-1，中）晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是电流分配关系是。
14、（2-1，低）温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致ic，静态工作
点。
15、（2-1，低）一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降Vbe则随温度的增加而。
16、（2-1，低）画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、（2-2，低）在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
18、（2-2，低）多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。
常用的耦合方式
有：
，，。
19、（2-2，中）输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。
目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、（2-2，中）在多级放大电路的耦合方式中，只能放大交流信号，不能放大直流信号的是放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电路，放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、（2-3，低）串联负反馈电路能够
22、（2-4，低）放大电路中引入电压并联负反馈，可______输入电阻，_______输出电阻。
23、（2-4，中）在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入_______反馈；为了提高输入阻抗，宜引入_________反馈。
24、（2-4，难）正弦波振荡器的振幅起振条件是相位起振条件是。
25、（2-4，难
26、（2-4，低）要使电路产生稳定的振荡，必须满足和两个条件。
27、（2-4，低）正弦波振荡电路一般是由组成，此外电路还应包含有选频网络和稳幅环节。
28、（2-5，低）常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有___________，_______________，____________几种类型。
29、（2-5，难）功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型，最常用的是类功率放大器。
30、（2-5，中）甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
二、选择题
1、（2-1，中）下列数据中，对npn型三极管属于放大状态的是
a、Vbe>0,Vbe c、Vbe>0，Vbe>Vce时d、VbeVce时
2、（2-1，中）工作在放大区域的某三极管，当ib从20μa增大到40μa时，ic从1ma变为2ma则它的β值约为。
a、10b、50c、80d、100
3、（2-1，低）npn型和pnp型晶体管的区别是
a、由两种不同的材料硅和锗制成的b、掺入的杂质元素不同
c、p区和n区的位置不同d、管脚排列方式不同
4、（2-1，难）三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是
a、b、c、d、
5、（2-1，低）当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将
a、增大b、减少c、反向d、几乎为零
6、（2-1，低）为了使三极管可靠地截止，电路必须满足
a、发射结正偏，集电结反偏b、发射结反偏，集电结正偏
c、发射结和集电结都正偏d、发射结和集电结都反偏
7、（2-1，中）检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量
a、ibqb、ubec、icqd、uceq
8、（2-1，中）对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为ub=2.7V，ue=2V，uc=6V，则该管工作在。
a、放大区b、饱和区c、截止区d、无法确定
9、（2-1，低）某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极a、b、c对地的电位分别是ua=2.3V，ub=3V，uc=0V，则此三极管一定是
a、pnp硅管b、npn硅管c、pnp锗管d、npn锗管
10、（2-1，难）电路如图所示，该管工作在
a、放大区b、饱和区c、截止区d、无法确定
11、（2-1，中）测得三极管ib=30μa时，ic=2.4ma；ib=40μa时，ic=1ma，则该管的交流电流放大系数为。
a、80b、60c、75d、100
12、（2-1，中）当温度升高时，半导体三极管的β、穿透电流、ube的变化为
a、大，大，基本不变b、小，小，基本不变c、大，小，大d、小，大，大
13、（2-1，低）三极管的iceo大，说明该三极管的
a、工作电流大b、击穿电压高c、寿命长d、热稳定性差
14、（2-1，低）用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为
V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则
a、1为e2为b3为cb、1为e3为b2为c
c、2为e1为b3为cd、3为e1为b2为c
15、（2-1，低）晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
a、icb、ucec、ibd、ie
16、（2-1，低）某晶体管的发射极电流等于1ma，基极电流等于20μa，则它的集电极电流等于
a、0.98mab、1.02mac、0.8mad、1.2ma
17、（2-1，中）下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是
a、共射接法b、共基接法c、共集接法d、任何接
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