太阳能电池专业英语Word下载.docx
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8.中文：
电子空穴对
Electron-holePair
半导体中，吸收了一个光子能量的电子离开原子束缚，成为自由载流电子，原来的原子则产生了正电荷，等效于一个孔穴，它们合称电子空穴对
9.中文：
独立系统
Stand-aloneSystems
不接入公用电网的独立光伏发电系统，通常需要蓄电池蓄能以备夜间及阴天使用，也常装备柴油发电机作为补充
10.中文：
短路电流
ShortCircuitCurrent（Isc）
在光照下将电池短路，此时流过电池的电流为短路电流。
表征电池能产生的光电流强度。
11.中文：
多晶硅
Polycrystalline/Multicrystallinesilicon
在硅晶体里面，晶向的分布式随机的而不是同一的，相较于单晶硅生产成本低但材料品质也较差
12.中文：
等离子增强化学气相沉积法
Plasmaenhanced,ChemicalVaporDeposition（PECVD）
一种镀膜技术。
常用于在晶硅电池表面镀氮化硅，二氧化硅，氧化铝等薄膜。
E
额定功率
RatedPower/RatedWatt
太阳能电池板在国际通行标准条件下（光谱AM1.5，光强1000W／平米，温度25C）测试出来的输出功率，实际的输出功率受使用环境影响
F
反偏
ReverseBias
对于p-n节来说,指n-type接高电势，p-type接低电势
方块电阻率/薄层电阻率
SheetResistivity
通常表征发射极掺杂浓度的高低。
高掺杂则电阻率低但削弱蓝光响应。
可通过四点探针测量
非晶硅/无定形硅
AmorphousSilicon
硅的一种同素异形体，它的原子间的晶格网络呈无序排列，不存在晶体硅的延展性晶格结构。
无定形硅中的部分原子含有悬空键（danglingbond），虽然可以被氢所填充，但在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退。
分布式光伏系统
DistributedPVSystems
小型模块化、分散式、布置在用户附近的，依靠光伏组件发电的电力系统。
分流电阻/并联电阻
ShuntResistance
在太阳能电池等效电路中，并联于电池两端的漏电阻。
该电阻会分流掉部分光电流，因此并联电阻越大越好
6.中文：
封装
Encapsulation
指将已互联的电池通过层压密封到电池组件里。
封装可以实现电池组件防水，防潮，并且增强电池的机械性能。
7.中文：
峰瓦
PeakWatts
组件在理想的标准测试条件下的输出功率，该功率值也是组件的额定功率。
峰值日照小时数
PeakSunHours
这是一个等效概念，表征一天中太阳的辐射总能量。
数值上等于一天中太阳的总辐射能量（千瓦时/平方米）除以1千瓦/平方米
伏安特性曲线
I-VCurve
用来表征电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性曲线。
复合
Recommbination
又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。
复合损失
RecombinationLoss
在被电极收集之前电子与空穴的复合使电能流失。
副栅线
Fingers
太阳能电池的电极的一部分，用于收集积累于电池表面的电荷从而形成外电路电流。
副栅线通常由丝网印刷金属浆料或者电镀金属形成，宽度小于130微米，与主栅（busbar）相连。
G
跟踪
Tracking
在电池组件上安装智能的制动系统使组件始终朝向太阳以获得最大辐射量
光捕获/光陷阱
LightTrapping
通过散射与折射使光进入电池后就被限制在电池内部传播直至大部分被完全吸收
光伏效应
PhotovoltaicEffect
指在光照激发下的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电势差的现象。
由于材料内部的参杂不均匀，在内建电场的作用下，受到激励的电子和失去电子的空穴向相反方向移动，而形成了正负两级。
此效应最早于1839年由法国物理学家亚历山大·
埃德蒙·
贝克勒尔发现。
光谱响应
SpectralResponse
指电池对不同波长的单色光的响应。
通常以量子效率来呈现这种响应。
光学损失
OpticalLoss
入射光由于受到电池的表面反射，电极遮挡等因素影响而无法在电池中激发载流子形成的损失。
通过光陷阱的设计和对电极遮挡的优化可以有效减少光学损失。
光照强度
LightIntensity
单位面积接收到的光照功率，单位是瓦/平方米
光子
Photon
是传递电磁相互作用的基本粒子，也是电磁辐射的载体。
光子具有波利二象性：
既能表现经典波的折射、干涉和衍射等性质，作为粒子性的光子只能传递量子化的能量，即：
E=hv，其中h是普朗克常数，v是光波的频率。
光伏建筑一体化
BuildingIntegratedPV（BIPV）
是使用太阳能光伏材料取代传统建筑材的一种应用方式，通常利用天窗和外墙是作为最大的接光面，使建筑物本身能够为自身提供能源，可以部分或全部供应建筑用电，而不必用外加方式加装太阳能板。
由于在建筑设计阶段提前规划，所以发电率和成本比值最佳。
H
耗尽区/耗尽层
DepletionRegion
指在P-N节中P型与N型的交界面周围的区域，通常有几个微米宽。
由于该区域内建电场的存在，多数载流子被排斥而形成耗尽区。
J
激光刻槽埋栅太阳能电池
LaserＧrooved,BuriedＣontactＳolarCells
由新南威尔士大学研究中心开发的电极设计。
激光刻槽使副栅线深埋入电池，在减少电极遮光的同时保持良好的导电。
寄生电阻
ParasiticResistance
电池串联电阻与并联电阻的总称。
价带
ValenceBand
通常是指半导体中在绝对零度下能被电子占满的最高能带。
全充满的价带中的电子不能在固体中自由运动。
交错背接触电池
InterdigitatedBackContact（IBC）Cell
电池的正负极接触都在背面，并且相互交叉，其结构如图所示。
减反膜
AntireflectionCoating
在电池表面镀上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而减少反射率，理想情况下，单层减反膜可使一个特定波长的光的反射率降为零
金属化（形成电极）
Metallisation
在电池的正表面或背表面上加上金属使电池形成电极接触
金字塔（表面制绒结构）
Pyramids
碱溶液对单晶硅的腐蚀是各项异性的，在制绒过程中单晶硅的特定晶面会暴露出来，使得制绒后的硅表面出现数微米高的金字塔
禁带
ForbiddenGap
在能带结构中能态密度为零的能量区间。
常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。
单晶硅/晶体硅
CrystallineSilicon/MonocrystallineSilicon
硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构，纯度高。
接触电阻
ContactResistance
指电流流过半导体与电极金属界面所克服的电阻。
该电阻是电池总串联电阻的一部分
间接带隙半导体
IndirectBand-gapsemiconductor
指半导体的能带图上导带底与价带顶不在同一动量上。
需要光子与声子共同作用来激发电子孔穴对。
硅就是常见的间接带隙半导体
聚光光伏
ConcentratorPV（CPV）
通过光学器件将太阳光聚集到电池表面，等效于太阳能电池有了更大的受光面积
K
开路电压
OpenCircuitVoltage（Voc）
电池光照下并且电路处于开路状态时，正负电极之间产生的电势差。
开路电压衡量了电池可以达到的最高电压。
扩散
Diffusion
是粒子通过随机运动从高浓度区域向低浓度区域的网状的传播。
在光伏应用中，扩散用于向衬底中参杂施主或受主原子以形成p-n结或高低结
扩散长度/载流子扩散长度
DiffusionLength
半导体中载流子在复合前平均移动的距离。
与少子寿命及扩散系数成正比，一般扩散长度越长材料的质量越高。
L
理想二极管定律
IdealDiodeLaw
电池在无光照情况下的电流电压关系满足如下理想二极管公式I=I_0*（exp（qV/kT）-1）
理想因子
IdealityFactor
用于描述电池等效电路模型中的二极管和理想二极管的接近程度。
由于理想二极管方程有一些前提假设，而实际二极管会因一些二阶效应的影响表现出与理想二极管不同，理想因子被用于表征这种差异。
硫化（蓄电池）
Sulfation
由于长期处在低充电量状态下，蓄电池电极出现硫酸铅晶体的现象称为硫化。
硫化会使电池容量及充放电效率降低。
M
漫射辐射
DiffuseRadiation
通常指阴天条件下的太阳光辐射，其特点是辐射能量沿各个方向传播且光强低。
冥王星电池
Plutosolarcells
由尚德电力主导研发的一种高效率太阳能电池。
它具备激光参杂，选择性发射级，以及背表面局部接触等特点。
2012年初，其在6英寸直拉单晶硅片转换效率达到20.3%。
N
N型（半导体）
Ｎ-type（semiconductor）
在半导体中由于掺入施主元素而使得电子成为半导体内的多数载流子。
常用来制成N型半导体的施主元素为磷
逆变器
Inverter
又称变流器、反流器，或称反用换流器、电压转换器，是一个利用高频电桥电路将直流电变换成交流电的电子器件，其目的与整流器相反。
P
P-N结
p-njunction
P型与N型半导体相接处形成的特殊界面。
由于内建电场存在，电流容易从P型流向N型，反之则困难。
太阳能电池利用P-N节将被光激发的少数载流子从P-N节的一端迁移到另一端
P型（半导体）
p-type（semiconductor）
在半导体中由于掺入受主元素而使得空穴成为半导体内的多数载流子。
常用来制成P型半导体的施主元素为硼
旁路二极管
Bypassdiode
是电池组件中用于防止组件由于遮挡产生局部过热而附加的安全器件。
旁路二极管与其所保护的电池并联，但是二极管极性与电池相反。
R
日照常数
SolarConstant
数值上等于峰值日照小时数，没有单位。
S
砷化镓
GalliumArsenide
由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半导体材料。
分子式为GaAs。
室温下禁带宽度为1.42eV，属直接跃迁型能带结构。
失谐损失
MismatchLosses
如果组件中串联的电池板输出电流的不一致，则总电流受最小电流限制，因而造成功率损失。
死层
DeadLayer
参杂浓度过高的电池前表面参杂区域。
这会导致表层载流子寿命显著减少，电池对短波长光谱反映严重衰减。
T
体电阻
BulkResistance
电流流穿电池衬底时所需克服的电阻。
由电池的本底掺杂浓度决定
填充因子
FillFactor
定义了电池最大输出功率和开路电压与短路电流乘积的比值。
在图形上，填充因子描述了电池伏安特性曲线的“直方性”。
填充因子越大，伏安曲线约接近于方形。
铜铟镓硒薄膜电池
CuInxGa（1-x）Se2（CIGS）
具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。
但也面临三个主要的问题：
制程复杂，投资成本高；
关键原料的供应不足；
缓冲层CdS具有潜在的毒性。
同质节
Homojunctions
P-N节两端由同种半导体组成，例如晶硅太阳能电池
太阳光谱
solarspectrum
太阳光在各个波长的辐射能量分布。
不同的太阳光谱可能导致不同的电池效率，即使总光强一致。
通常测试所用光谱的AM1.5的太阳光谱
X
吸收系数
absorptioncoefficient
吸收系数决定了某一波长的光在材料中被吸收前能穿透的深度。
例如蓝光在硅中的吸收系数高，所以蓝光在穿透很薄的硅后就被吸收了
效率
efficiency
又称为光电转换效率，是衡量电池质量的最重要标准之一。
电池效率由电池的最大输出功率和输入功率的比值决定。
在标准测试条件（STC）下，输入功率为：
1瓦每平方米X电池面积。
Y
异质结
Heterojunctions
P-N节两端由不同的半导体组成
Z
载流子寿命
carrierlifetime
是一个等效概念，指载流子从产生到复合经历的平均时长。
载流子寿命高的材料通常能做出电压更高的电池。
遮光
shading
电池运作时部分面积被遮挡而接收不到光照。
遮光损失
shadinglosses
由于遮光到来的光电流乃至效率的损失
折射率
refractiveindex
简单来说，某材料的折射率表征光在真空中的速度与光在该材料中的速度之比率。
主栅线
busbars
电池受光面上较粗的导电电极。
通常有两三根贯穿整个电池，宽度几毫米
阻流二极管/阻滞二极管
blockingdiode
串联在组件上，阻止与之并联的其它组件向其输送电流的二极管
组件
modules
具有封装及内部连接的、能单独提供直流电输出的、不可分割的太阳能电池组合装置。
通常由太阳能电池片、钢化玻璃、EVA、透明TPT背板以及铝合金边框组成。
最大功率点
maximumpowerpoint
指电池或组件在特定光照条件下输出功率最大的工作点
最大功率点跟踪器
maximumpowerpointtractor
整合到光伏系统电路中能自动调整组件运作电压使其输出功率达到最大的电子器件
载流子注入
carrierinjection
指多过剩流子的注入。
可以通过在电池上加正偏电压或提供光照来实现
杂质
Impurities
半导体中除了半导体材料本身以外的其它杂质。
直接带隙半导体
directband-gapsemiconductor
指半导体的能带图上导带底与价带顶在同一动量上。
单一光子作用即可激发电子空穴对。
砷化镓是常见的直接带隙半导体
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