级单片机课程设计学生Word文档格式.docx
《级单片机课程设计学生Word文档格式.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《级单片机课程设计学生Word文档格式.docx（17页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
复位按钮
ST1
STC12C5608AD
U2
STC12C5608AD插座
1个
12MHz晶振
Y1
电源线
1根
下载器
硬件电路：
程序设计：
1、数码块驱动
✧STC12C5410AD单片机上电复位后为准双向口/弱上拉模式，2V以上为高电平，0.8V以下为低电平。
每个I/O口驱动能力可达20mA，但整个芯片不得超过55mA（或90mA>
。
I/O口工作方式设定如下<
n={3,2,1,0}）
P3M0[7:
0]
P3M1[7:
I/O口模式
准双向口
强推挽输出
仅输入
开漏
●P3寄存器可位寻址，P3M1、P3M0不可位寻址。
P2口设定：
P2M1，P2M0。
P2寄存器可位寻址，P2M1、P2M0不可位寻址。
P1口设定：
P1M1，P1M0。
P1寄存器可位寻址，P1M1、P1M0不可位寻址。
P0口设定：
P0M1，P0M0。
P0寄存器可位寻址，P0M1、P0M0不可位寻址。
P2M0=0x00。
//P2口设为推挽模式，提高数码块亮度
P2M1=0xff。
P3M0=0x00。
//P3口设为推挽模式
P3M1=0xff。
2、DS18B20访问
●INITIALIZATIONTIMING
●READ/WRITETIMESLOTTIMING
负数补码取反+1=负数原码大小
（负数补码-1>
取反=负数原码大小
TEMPERATUREREGISTERFORMAT
bit7
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
bit0
LSByte
23
22
21
20
2-1
2-2
2-3
2-4
bit15
bit14
bit13
bit12
bit11
bit10
bit9
bit8
MSByte
S
26
25
24
TEMPERATURE/DATARELATIONSHIP
TEMPERATURE
DIGITALOUTPUT（Binary>
DIGITALOUTPUT（Hex>
+125°
C
0000011111010000
07D0h
+85°
C*
0000010101010000
0550h
+25.0625°
0000000110010001
0191h
+10.125°
0000000010100010
00A2h
+0.5°
0000000000001000
0008h
0°
0000000000000000
0000h
-0.5°
1111111111111000
FFF8h
-10.125°
1111111101011110
FF5Eh
-55°
1111110010010000
FC90h
开发工具
Keil开发工具
选择Intel80C51芯片，在源文件中加“#include<
STC12C5608AD.H>
”
STC-ISP-V4.83下载工具
MCUTypeCOM打开程序文件DOWNLOAD/下载
CP2102下载器驱动软件
程序1.C
#include<
reg51.h>
#defineuintunsignedint
voiddelay（uinti>
//延时函数
{while（i-->
}
voidmain（>
{delay（1000>
程序1.C的反汇编程序：
传统12T的8051模式<
1T模式）
LJMPSTARTUP
STARTUP:
MOVR0,#0X7F
CLRA
IDATALOOP:
MOV@R0,A
DJNZR0,IDATALOOP
MOVSP,#0X07
LJMPMAIN
MAIN:
MOVR7,#0xE8。
12TOSC<
2TOSC）
MOVR6,#0x03。
LJMPDELAY。
24TOSC<
4TOSC）
DELAY:
MOVA,R7。
1TOSC）
DECR7。
3TOSC）
MOVR4,0X06。
JNZD1。
DECR6。
D1:
ORLA,R4。
JNZDELAY。
3TOSC）<
若R6,R7都减到0，退出）
RET。
R6=y,R7=x时，延迟时间=48+108x+[108*256+12]*y+12+24（TOSC>
=84+108*（y*256+x>
+12y（TOSC>
（或8+16x+[16*256+3]*y+3+4=15+16*（y*256+x>
+3y（TOSC>
>
附录A电阻电容参数识别
一、电阻
1、电阻的参数标注方法有3种，即数标法、色标法和直标法。
1）数标法。
主要用于贴片等小体积电路，如：
472表示47×
100Ω<
即4.7K）；
104则表示100KΩ
2）色环标注法。
常用的有四色环电阻五色环电阻<
精密电阻）。
色环顺序识别技巧：
<
1）最常用的表示电阻误差的颜色是：
金、银、棕，金环和银环绝少用做电阻色环的第一环，所以电阻上若有金环和银环，则这是最末一环。
2）棕色环是否是误差标志的判别。
可以根据色环之间的间隔判别：
如一个五道色环的电阻，第五环和第四环之间的间隔比第一环和第二环之间的间隔要宽一些。
3）利用电阻的生产序列值加以判别。
如一个电阻的色环读序是：
棕、黑、黑、黄、棕，其值为：
100×
104Ω=1MΩ误差为1％，属于正常的电阻系列值，若是反顺序读：
棕、黄、黑、黑、棕，其值为140×
100Ω=140Ω，误差为1％。
显然后一种排序的电阻值在生产系列中没有，故后一种色环顺序不对。
四色环电阻：
如“棕红红金”，则阻值为12×
102=1.2KΩ，误差为±
5%
五色环电阻：
如“红红黑棕金”，则阻值为220×
101=2.2KΩ，误差为±
5%
二、电容
1、电容的参数标注方法有3种，即数标法、色标法和直标法。
大容量电容的容量值直接标明，如10uF/16V
小容量电容的容量值用字母表示或数字表示
字母表示法：
1m=1000uF，1P2=1.2PF，1n=1000PF
数字表示法：
一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：
102表示10×
102PF=1000PF，224表示22×
104PF=0.22uF
其中：
1F=103mF=106uF=109nF=1012pF）
2、电容容量误差表
符号FGJKLM
允许误差±
1%±
2%±
5%±
10%±
15%±
20%
一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±
5%。
附录BSTC12C5608AD单片机
✧STC12C5608AD：
工作电压3.5-5.5V，4KBFlash程序存储器，768BytesSRAM，8路10位A/D转换电路等。
✧若用户板使用外部晶振，必须在下载程序时，在“STC-ISP”下载软件界面设置“外部晶体或时钟”。
✧STC12C5608AD是1T的8051单片机，为了兼容传统的8051，定时器0和定时器1在复位后是传统8051的速度，即12分频。
✧STC12C5608AD单片机上电复位后为准双向口/弱上拉模式，2V以上为高电平，0.8V以下为低电平。
每个I/O口驱动能力可达20mA，但整个芯片不得超过55mA。
举例：
MOVP3M0，#10100000B。
MOVP3M1，#11000000B
P3.7为开漏，P3.6为强推挽输出，P3.5为高阻输入，/P3.4/P3.3/P3.2/P3.1/P3.0为准双向口。
附录CSTC12C5410AD单片机
✧STC12C5410AD：
工作电压3.5-5.5V，10KBFlash程序存储器，512BytesSRAM，8路10位A/D转换电路等。
✧STC12C5410AD是1T的8051单片机，为了兼容传统的8051，定时器0和定时器1在复位后是传统8051的速度，即12分频。
附录DDS1820
*DQ<
引脚2）：
数据输入输出引脚，漏极开路。
单线总线要求5k左右的上拉电阻。
*DS1820的两种充电方式：
1>
DQ充电方式。
DQ=H，给内部电容充电；
L停止充电。
2>
用外部5V电源供电。
*DS18208位数据发送顺序：
先低位D0，再高位
图1DS1820方框图
DS18B20内部寄存器阵列
暂存存贮器
Temp_read低字节
Temp_read高字节
高限报警温度值TH
低限报警温度值TL
保留
5
计数<
Count_remain）
7
单位温度计数<
Count_per_c）
8
CRC
*2、3字节：
是TH、TL的易失性拷贝，在每一次上电复
位时被刷新。
*7字节：
是计数寄存器，用于获得较高的温度分辨率。
*8字节：
为循环冗余校验CRC字节它，是前面8个字节
的CRC值。
*DS1820在1秒<
典型值）内把温度变换为数字。
温度
数字输出/二进制
数字输出十六进制
+125
0000000011111010
00FAh
+25
0000000000110010
0032h
+1/2
0000000000000001
0001h
+0
0000000000000000
-1/2
1111111111111111
FFFFh
-25
1111111111001110
FFCEh
-55
1111111110010010
FF92h
温度/数据关系<
数字输出=<
温度/2）的补码）
小数：
0,0.0
1,0.5
7位整数
8位符号
高精度温度计算公式：
*访问DS1820的协议：
初始化→ROM操作命令→存贮器操作命令→处理/数据
初始化：
总线主机发一复位脉冲<
最短为480µ
s的低电平信号）后，释放总线；
DS1820检测到I/O引脚的上升沿后，等待15-60µ
s，接着送出存在脉冲<
60-240µ
s的低电平信号）。
ROM操作命令：
主机检测到从属器件存在，可发器件ROM操作命令之一：
（1>
ReadROM（读ROM>
[33h]：
主机读DS1820的8位产品系列编码、48位序列号以及8位CRC。
（2>
MatchROM（符合ROM>
[55h]：
命令后继以64位的ROM数据序列，允许总线主机对多点总线上特定的DS1820寻址，只有与64位ROM序列严格相符的DS1820才能对后继的存贮器操作命令作出响应，所有与64位ROM序列不符的从片将等待复位脉冲；
（3>
SkipROM（跳过ROM>
[CCh]：
允许主机不提供64位ROM编码而访问存储器；
（4>
SearchROM（搜索ROM>
[F0h]：
允许主机使用一种消去elimination处理来识别总线上所有从片的64位ROM编码；
（5>
AlarmSearch（告警搜索>
[ECh]：
命令流程与搜索ROM命令相同，但仅在最近一次温度测量出现告警的情况下，DS1820才对此命令作出响应，告警的条件定义为温度高于TH或低于TL。
只要DS1820一上电，告警条件就保持在设置状态，直到另一次温度测量显示出非告警值或者改变TH或TL的设置，使得测量值再一次位于允许的范围之内，贮存在EEPROM内的触发器值用于告警。
3>
存贮器操作命令
指令
代码
说明
单总线的操作
注
温度变换
44h
启动温度变换
读温度转换状态：
0，DS1820忙；
1，温度变换完成
温度变换需要2秒钟
读暂存存储器
BEh
从暂存存储器读字节
读9字节数据
始于字节0，直至字节8
CRC）。
写暂存存储器
4Eh
写字节至暂存存储器2和3处<
TH和TL温度触发器）
写数据至地址2和
3的2个字节
复制暂存存储器
43h
把暂存存储器复制到非易性存储器E2PROM<
仅地址2和3）
读复制状态
重新调出
E2PROM
E3h
把贮存在非易失性存储器内的数值重新调入暂存存储器<
温度触发器）
读温度忙状态
读电源
B4h
发DS1820电源方式的信号至主机
读电源状态
存储器操作举例：
温度变换与内插假定采用外部电源，且仅有一个DS1820
主机方式
数据<
LSB在先）
注释
TX
CCh
跳过ROM命令
启动温度变换命令
RX
1个数据字节
读“忙”标志3次。
主机连续读字节或位，直至数据为FFh<
温度变换完成）
Reset（复位>
复位脉冲<
s的低电平信号）
Presence<
存在）
存在脉冲<
s的低电平信号）
CCh
BEh
ReadScratchpad读暂存存储器命令
9个数据字节
读整个暂存存储器。
主机计算从暂存存储器接收到的8个数据位的CRC，并将它与接收到的CRC相比较。
如果CRC相符，数据有效，主机保存温度的数值，并把计数寄存器和单位温度计数寄存器的内容分别作为COUNT_REMAIN和COUNT_PER_C加以保存
复位脉冲
Presence存在
存在脉冲，操作完成
附录EDS18B20
-25.0625°
1111111001101111
FE6Fh
升级会员 