CMP化学机械抛光技术发展优势及应用Word下载.docx
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如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则会在抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹;
反之，机械抛光作用大于化学腐蚀作用则表面产生高损伤层.
为了进一步了解CMP作用的本质，近年来国内外有很多关于CMP作用微观机理的研究.清华人学王亮亮、路新春的研究表明:
CMP中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除，而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善;
当颗粒直径在10^-25nm的范围时，粒径和粗糙度不存在单调的增减关系;
桔皮的产生主要是抛光浆料中碱浓度过高所致。
而北京交通大学张朝辉等根据Lei提出的CMP作用中纳米流体薄膜理论，提出化学机械抛光过程中，受载的粗糙峰和被抛光的品片表面之间存在一纳米量级的薄流体膜，形成了纳米级薄膜流动系统，指出对纳米级流动规律进行研究将有助r-了解化学机械抛光的作用机理，其中，在极薄的膜厚情况下的温度场分析是一项迫切任务。
同时，陈杨的研究也表明了相似的观点:
材料的去除首先源于化学腐蚀作用。
一方面，在抛光过程中晶片表面局部接触点产生高温高压，从而导致一系列复杂的摩擦化学反应;
在抛光浆料中的碱性组分和纳米磨料颗粒作用下，硅片表面形成腐蚀软质层，从而有效地减弱磨料对硅片基体的刻划作用，提高抛光效率和抛光表面质量。
另一方面，根据Preston公式:
NRR=QWNV（其中，NRR为材料去除率;
QW为被抛光材料的密度;
N为抛光有效磨料数;
V为单个磨料所去除材料的体积，包括被去除的硅丛体的体积V,和软质层的体积V2），软质层的形成导致v增大（即化学腐蚀作用可促进机械磨削作用），V1减小，从而有利于减小切削深度、增强塑性磨削和提高抛光表面质量。
因此，在抛光浆料质量浓度相同的条件下，采用纳米磨料抛光不仅有利于减小切削深度、提高抛光表面质量，同时由于有效磨料数N的急剧增大，还有利于提高抛光效率。
应该指出的是，软质层的厚度同抛光条件有关，就纳米级磨料而言，相应的软质层的厚度一般处于几纳米至十几纳米之间:
而由于CMP是机械去除和化学去除相互作用的过程，因此难以通过静态化学腐蚀测最软质层的硬度。
忽略抛光垫和其它一些因素的影响，抛光浆料的流动特性对CMP的行为有很大的影响。
一般抛光浆料磨粒为圆形的纳米级粒子，利用微极性流体可以模拟粒子的微旋运动对抛光性能的影响。
张朝辉研究的模拟结果表明微极性将增加承载能力，从而有利于提高抛光速率。
这一特性在低节距或低转速下更为显著，体现出尺寸依赖性。
2化学机械抛光浆料
抛光浆料的成分主要由三部分组成:
腐蚀介质、成膜剂和助剂、纳米磨料粒子。
抛光浆料要满足抛光速率快、抛光均一性好及抛后易清洗等要求.磨料粒子的硬度也不宜太高，以保证对膜层表面的机械损害比较轻。
按pH值分类，抛光浆料主要分为两类:
酸性抛光浆料和碱性抛光浆料。
一般酸性抛光浆料都包含氧化剂、助氧化剂、抗蚀剂（又叫成膜剂）、均蚀剂、pH调制剂和磨料。
氧化剂起在被抛光物件表面发生氧化腐蚀作用，然后通过机械作用去除表面凸起部分，使物件表面平整:
另外，氧化剂还能氧化基体表面形成一层氧化膜从而提高选择性。
助氧化剂起到提高氧化速率的作用。
均蚀剂可使腐蚀均匀，从而使表面光滑细腻;
抗蚀剂的作用是在被抛光物件表面与被腐蚀基体形成一层联结膜，从而阻止腐蚀的进行以提高选择性。
而碱性抛光浆料中一般包含络合剂、氧化剂、分散剂、pH调制剂和磨料。
因为碱性抛光浆料仅在强碱中才有很宽的腐蚀领域，而且磨料易造成划伤，所以应用远不如酸性抛光浆料广泛。
对于不同的腐蚀基体要选择不同的络合剂:
分散剂一般为大分子量非离子有机分散剂，其作用是保证浆料中的磨料不发生絮凝和沉降现象，并使磨料的勤度保持尽可能低，具有良好的流动性。
下面主要介绍目前使用最为广泛的几种抛光浆料。
2.1CeO2抛光浆料
稀土氧化物CeO2具有很好的抛光性能，其特点是抛光速率高，对材料的去除率高，被抛光表面粗糙度和表面微观波纹度较小，颗粒硬度低，对被抛光表面损伤较弱;
其缺点是勃度大，易划伤且高低选择性不好，沉淀在介质膜_L吸附严重，为后续清洗带来困难.CeO2抛光浆料广泛应用于玻璃精密抛光、超大规模集成电路Sio2介质层抛光和单晶硅片抛光等，而现在国内外有很多研究也致力于CeO2抛光浆料对半导体衬底材料（如GaAs晶片）的抛光。
首先纳米CeO2粒子通过化学吸附与抛光表面上的Sio2之间形成Ce-O-Si键，CeO2粒子将表面部分Sio2撕裂下来，进入溶液中;
经过扩散，Sio2粒子又从CeO2粒子的表面脱落。
Ce-O-Si键的形成与S-O-Si键的断裂影响着抛光速率.化学吸附作用和机械撕裂作用同时影响着Si-O-Si键的断裂。
CeO2抛光浆料区别于传统抛光活性强的抛光浆料都是强酸，它在碱性抛光环境下是两性的，能同时吸附阳离子和阴离子，故有更好的抛光性能。
乡屯度、硬度、粒度、粒度分布、悬浮性、表面电性、表面活性和密度等都是影响其抛光性能的主要因素.粒度大的适合高速抛光，粒度小的适用于低速抛光圈.
具有高抛光性能的纳米CeO2目前的合成方法主要有:
液相反应法、固相反应法、机械化学法。
液相反应法包括:
溶胶一凝胶法、液相沉淀法、电化学法、水热法、微乳液法、喷雾热分解法等。
张鹏珍等采用溶胶一凝胶法制备了平均晶粒度在13.3nm且粒度分布均匀的纳米CeO2粉体，经此CeO2抛光浆料抛光后的玻璃幕片表面粗糙度（Ra）可降到0.6nm左右，显示了良好的抛光性能。
Ming等（2a）也采用此法在常压下制备纳米CeO2,原料为硝酸饰钱、尿素和去离子水，通过加热得到的CeO2粒径为8nm，具有立方体结构。
电化学法制得的CeO2优点是粒子粒度很小，分散性也较好，工艺也相对简单，但是产率较低。
水热法的优点是不需要进行高温灼烧处理，避免了硬团聚。
Verdon等在耐熔的合金容器中，于1.5MPa和500%条件下进行水热合成制得的纳米CeO2晶型较好。
BondioliF等利用固相反应在得到的CeO2产物尺寸为10-20nm，且具有较好的尺寸分布.有研究表明，用机械化学法也能制成粒度在10-20nm的纳米CeO2.Rajendran（291通过一种新的方法研究了CeO2抛光Si仇过程，发现CeO2的机械作用能加速其与Siq还原的化学反应，并且在抛光过程中存在Cc3+与Ce0+两种价态。
2.2Si02抛光浆料
Si仇抛光料的优点是选择性和分散性好，机械磨损性能较好，化学性质较活泼，后清洗过程废液处理较容易，其缺点是硬度较高，易在被抛光物体表面造成不平整，且在抛光浆料中易产生凝胶现象，对抛光速度的再现性有不良影响，同时会使被抛光物体表面产生刮伤。
SiO2抛光浆料的pH值、磨料粒径（50-200nm）与分散度、浓度等都对其抛光效果有很大的影响。
Si02抛光浆料用于硅片的抛光、层间介电层OLD）的抛光、妮酸钾晶片的抛光、硬盘基片的抛光等。
Siq抛光料的制备方法国内外有很多研究，从总体来说主要是分散法与凝聚法:
分散法是通过机械搅拌将纳米Si仇粉末直接分散到水中来制备Si02浆料的。
用分散法制备Si02浆料主要包括以下3个过程:
①纳米Si02颖粒在液体中润湿:
②团聚体在机械搅拌力作用下被打开成独立的原生粒子或较小的团聚体;
③将原生粒子或较小的团聚体稳定住，阻止再发生团聚。
采用分散法制备出的Si仇浆料浓度高、颗粒均匀、分散性好、纯度高、黏度较小，但受粉体本身性能的影响特别严重。
凝聚法是利用水溶液中化学反应所生成的SiO2通过成核、生长，采用各种方法脱除其中杂质离子得到纳米Sio2水分散体系的一种方法，该法制得的Sio2浆料颖粒粒径均一，形状规整，纯度与浓度也较高.王占银以SiO2作为抛光浆料，分析了影响妮酸铿晶片抛光效果的因素，通过优化工艺参数，使妮酸锉的表面粗糙度凡达到0.387nmo雷红制备了Sio2抛光浆料用来抛光镍磷敷镀的硬盘基片，表面形貌仪测得抛光后基片的表面粗糙度和波纹度分别为0.052nm和0.063nm,且基片表面无凹坑、电蚀等缺陷。
另有研究表明[301当Si02抛光浆料pH->
9时，在抛光浆料中加入适量的活性剂和鳌合剂，能消除Si02凝胶现象，得到较好的抛光结果。
目前，对影响Si02抛光浆料抛光效果〔高抛光速率、低表面损伤、高表面平整度、易清洗等）的各种因素（抛光浆料粒度、pH值、温度、抛光浆料流速等）的研究己比较成熟.
2.3A1203抛光浆料
1998年日本COSMOS公司首次开发了纳米级别的超细A1203微粉作磨料的纳米级抛光剂，从而Al2o3抛光浆料广泛应用于CMP领域，以纳米Y-AI203为研磨粒子的浆料可用于集成电路生产过程中层间钨、铝、铜等金属薄膜的平坦化及高级光学玻璃、石英品体和各种宝石的抛光等.A12o3场抛光浆料因具有选择性低、分散稳定性不好、易团聚等缺点，往往在几分钟内就会出现沉淀，颗粒变粗，所以在抛光中表面划伤严重，损伤层深，所以通常A1203抛光浆料要混合有机添加物一起使用并控制好工艺条件以达到良好的抛光效果。
宋晓岚等的研究表明，在y-A12伪固含量为6%的浆料中，加入异丙醉胺分散剂的用量为-y-A1203粉体质量的1%，同时控制浆料的pH值约为4，此时纳米y-A12场粉末的润湿性能最佳，浆料Zeta电位值较高，勃度较小，在该条件下可成功获得长时间不沉降的稳定浆料。
卢海参采用丙烯酞氯对超细氧化铝进行表面改性，有效提高了氧化铝抛光浆料的分散性，进一步的研究表明材料去除速率随压力或下盘转速先增大后减小，随抛光时的延长，材料去除速率初期较人，后期变化趋于平缓。
具有良好的抗静电性和可擦性的A1203抛光浆料在国内已经研制出来，应用于磁性材料的精密抛光加工中。
有研究表明,通过A1203外层包覆Si02形成壳一核性结构粒子抛光浆料抛光能很好地提高抛光性能，减低表面损伤和粗糙度，其机理可能为壳一核结构的缓冲效应和粒子之间的解聚作用。
3化学机械抛光技术发展趋势
随着计算机、通信及网络技术的高速发展，对作为其基础的集成电路的性能要求愈来愈高。
集成电路芯片增大而单晶体管元件减小及多层集成电路芯片是发展的必然趋势，使得CMP在集成电路行业的重要性越来越显著，这对CMP技术提出了更高的要求。
在CMP设备方面，正在由单头、双头抛光机向多头抛光机发展;
结构逐步由旋转运动结构向轨道抛光方法和线形抛光技术方面发展;
开发带有多种在线检测装置的设备，如组装声学信号、力学信号、薄膜厚度及抛光浆料性质等在线测量装置，并且结合目前的干进干出要求，将抛光后清洗装置与抛光机集成来进行开发。
在应用方面，CMP技术已从集成电路的硅品片、层间介质（ILD）、绝缘体、导体、镶嵌金属W.AI.Cu.Au及多晶硅、硅氧化物沟道等的平面化，拓展至薄膜存贮磁盘、微电子机械系统（MFMS）、陶瓷、磁头、机械磨具、精密阀门、光学玻璃和金属材料等表面加工领域。
在CMP抛光浆料方面，关键是要开发新型抛光浆料，特别是复合磨料抛光浆料，使其能提供高的抛光速率、好的平整度、高的选择性以及利于后续清洗过程，以使磨料粒子不会残留在芯片表面而影响集成电路性能。
CMP浆料有待于发展的技术有:
磨料制各技术、浆料分散技术和抛光浆料配方技术。
首先要解决的就是尺寸小、分散度大、硬度适中、均匀性好、纯度高的纳米磨料粒子。
抛光浆料的排放及后处理工作最也在增大（出于环保原因，即使浆料不再重复利用，也必须先处理才可以排放）。
而且，抛光浆料价格昂贵，如何对抛光浆料进行后处理，补充必要的化学添加剂，重复利用其中的有效成分，或降级使川，不仅可以减少环境污染，而且可以大大降低加工成本。
抛光浆料的后处理研究将是未来的新研究热点。
另外一方面，复合磨料抛光浆料的研究也将是未来的趋势之一，因为复合磨料抛光浆料在保持单一磨料抛光浆料优点同时也改善了其缺点，在国外已经出现了复合抛光磨料的研究报道，如A1203,Si02,CeO2各种单一抛光磨料互相通过包覆形成壳一核型的复合抛光磨料，集中各种单一抛光磨料的优点，从而配制出抛光效果更佳的新型复合抛光浆料。
实验表明，在较软的磨料粒子外面包覆一层较硬的物质，可以在提高其抛光速率的同时也保持了较高的选择性;
而在较硬的磨料粒子外面包覆一层较软的物质，则可在保持其较高抛光速率的基础上改善其抛光表面质量。
如Lu等成功地在球形SiO2粒子外面包覆一层Ce02，并以其作为磨料制备复合抛光浆料与Sio2和Ce02抛光浆料进行抛光实验的比较，研究表明，复合磨料具有更好的抛光效果。
目前，CMP技术己经不局限于使用固体磨料，甚至出现了用气体来进行抛光的技术（如HVPE技术等），为抛光浆料的发展开拓了新的思路。
近年来，CMP技术得到了长足的发展，涌现出了不少新技术，例如:
固结磨料化学机械抛光技术、电化学机械平坦化技术、无磨料化学机械抛光技术、无应力抛光技术、接触平坦化技术和等离子辅助化学蚀刻平坦化技术等。
尽管CMP技术发展的速度很快，但目前对CMP技术的了解还处于定性的阶段，需要解决的理论及技术问题还很多。
如人们对诸如抛光参数（如压力、转速、温度等）对平面度的影响、抛光垫一浆料一片子之间的相互作用、浆料化学性质（如组成、pH值、颗粒度等）对各种CMP参数的影响及其机理了解仍然甚少，因而定量确定最佳CMP工艺、系统地研究CMP工艺过程参数、建立完善的CMP理论模型、满足各种超大型集成电路生产对CMP工艺的不同要求，是研究CMP技术的重大课题。
由于缺乏有效的在线终点检测技术，维持稳定的、一次通过性的生产运转过程还存在困难，因而迫切需要开发实用的在线检测手段。
一般在芯片工艺的最后几个阶段也需进行CMP加工，此时每个芯片的价值已达到数千至数十万美元，因而，芯片表面残留浆料的清除是CMP后清洗的主要课题。
研制合适的CMP工艺、抛光设备及浆料以使去除速度高而稳定、片子的模内均匀性和片内均匀性都理想，且产生的表面缺陷少，是CMP技术发展的主要难题。
4结语
综上所述，CMP技术可用于各种高性能和特殊用途的集成电路制造，且应用领域口益扩展，已成为最为重要的超精细表面全局平面化技术，也是国际竞争的关键技术，其增长势头和发展前景非常可观。
深入研究和开发CMP技术，并形成拥有自主知识产权的材料和工艺，将促进我国IC产业的良性发展，提高我国在这一方面的国际地位，同时也将带来了巨大的经济和社会效益。
仅供个人用于学习、研究；
不得用于商业用途。
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