电子材料识别文档格式.docx

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BGA封装技术又可详分为五大类：

1.PBGA〔PlasricBGA〕基板：

一般为2-4层有机材料构成的多层板。

Intel系列CPU中，PentiumII、III、IV处理器均采用这种封装形式。

2.CBGA〔CeramicBGA〕基板：

即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片〔FlipChip，简称FC〕的安装方式。

Intel系列CPU中，PentiumI、II、PentiumPro处理器均采用过这种封装形式。

3.FCBGA〔FilpChipBGA〕基板：

硬质多层基板。

4.TBGA〔TapeBGA〕基板：

基板为带状软质的1-2层PCB电路板。

5.CDPBGA〔CarityDownPBGA〕基板：

指封装中央有方型低陷的芯片区〔又称空腔区〕。

BGA封装具有以下特点：

1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。

2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。

3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。

4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。

BGA封装方式经过十多年的开展已经进入实用化阶段。

1987年，***西铁城〔Citizen〕公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片〔即BGA〕。

而后，摩托罗拉、康柏等公司也随即参加到开发BGA的行列。

1993年，摩托罗拉率先将BGA应用于移动。

同年，康柏公司也在工作站、PC电脑上加以应用。

直到五六年前，Intel公司在电脑CPU中〔即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等〕，以与芯片组〔如i850〕中开始使用BGA，这对BGA应用领域扩展发挥了推波助澜的作用。

目前，BGA已成为极其热门的IC封装技术，其全球市场规模在2000年为12亿块，预计2005年市场需求将比2000年有70%以上幅度的增长。

四.CSP芯片尺寸封装

随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮，封装技术已进步到CSP（ChipSizePackage）。

它减小了芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大。

即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍，IC面积只比晶粒〔Die〕大不超过1.4倍。

CSP封装又可分为四类：

1.LeadFrameType（传统导线架形式），代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达〔Goldstar〕等等。

2.RigidInterposerType（硬质内插板型），代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。

3.FlexibleInterposerType（软质内插板型），其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用一样的原理。

其他代表厂商包括通用电气〔GE〕和NEC。

4.WaferLevelPackage（晶圆尺寸封装）：

有别于传统的单一芯片封装方式，WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片，它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。

CSP封装具有以下特点：

1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。

2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。

3.极大地缩短延迟时间。

CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。

未来那么将大量应用在信息家电〔IA〕、数字电视〔DTV〕、电子书〔E-Book〕、无线网络WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽〔Bluetooth〕等新兴产品中。

五.MCM多芯片模块

为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模块系统，从而出现MCM（MultiChipModel）多芯片模块系统。

MCM具有以下特点：

1.封装延迟时间缩小，易于实现模块高速化。

2.缩小整机/模块的封装尺寸和重量。

3.系统可靠性大大提高。

总之，由于CPU和其他超大型集成电路在不断开展，集成电路的封装形式也不断作出相应的调整变化，而封装形式的进步又将反过来促进芯片技术向前开展。

集成电路：

IC

一．IC方向识别：

1.IC上会有缺角、圆点、线条

2.IC无任何标识：

将IC型号画面对自己正视型号从左下右上依次为1，2，3

3.有的IC会发现2-3个大小凹坑，以小凹坑标识为第一脚

二．误差字母标示：

F=±

1%;

G=±

2%;

H=±

3%;

J=±

5%K=±

10%;

M=±

20%;

Z=±

80%,-20%

P=±

100%-±

0%;

C=±

0.25%;

D=±

0.5%;

N=±

30%;

（D=±

0.5PF）；

S=+50%-20%;

B=±

0.1PF;

0.25PF

三．数字耐压表示：

0=4V；

1=5.5V；

2=6.3V；

4=16V；

5=25V；

6=35V；

7=50V；

8=63V；

9=80VA=100V；

B=125V；

C=160V；

D=180V；

E=200V；

F=250V

集成电路（IC）型号命名方法/规那么/标准

原部标规定的命名方法X 

####X 

电路类型电路系列和电路规格符号电路封装 

T：

TTL；

品种序〔拼音字母〕A：

陶瓷扁平；

H：

HTTL；

〔三位数字〕 

B 

：

塑料扁平；

E：

ECL；

C：

陶瓷双列直插；

I：

I-L；

D：

塑料双列直插；

P：

PMOS；

Y：

金属圆壳；

N：

NMOS；

F：

金属菱形；

线性放大器；

W：

集成稳压器；

J：

接口电路。

原国标规定的命名方法C####X中国制造器件类型器件系列和工作温度X围器件封装符号 

品种代号C：

〔0-70〕℃；

〔器件序号〕E 

〔-40~85〕℃；

B：

R：

〔-55~85〕℃；

全密封扁平；

CMOS；

M：

〔-55~125〕℃；

音响、电视电路；

黑瓷双理直插；

稳压器；

K：

接口电路；

非线性电路；

存储器；

U：

微机电路；

其中，TTL中标准系列为CT1000系列；

H 

系列为CT2000系列；

S系列为CT3000系列；

LS系列为CT4000系列；

原部标规定的命名方法CX 

####中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度X围封装 

TTL电路；

字母表示器件系C：

〔0~70〕℃F：

多层陶瓷扁平；

HTTL电路；

列品种G：

〔-25~70〕℃B：

ECL电路；

其中TTL分为：

L：

〔-25~85〕℃H：

黑瓷扁平；

CMOS电路；

54/74##X；

〔-40~85〕℃D：

多层陶瓷双列直插；

54/74H##X；

〔-55~85〕℃J：

黑瓷双列直插；

微型机电路；

54/74L##X；

〔-55~125〕℃P：

54/74S##X；

S：

塑料单列直插；

54/74LS##X；

54/74AS##X；

54/74ALS##X；

陶瓷芯片载体；

54/F##X。

塑料芯片载体；

AD：

A/D转换器；

CMOS分为：

G：

网格针栅阵列；

DA：

D/A转换器；

4000系列；

本手册中采用了：

SC：

通信专用电路；

54/74HC##X；

SOIC：

小引线封装〔泛指〕；

SS：

敏感电路；

54/74HCT##X；

PCC：

塑料芯片载体封装；

SW：

钟表电路；

LCC：

陶瓷芯片载体封装；

SJ：

机电仪电路；

陶瓷扁平。

SF：

复印机电路；

集成电路（IC）型号命名方法/规那么/标准

原部标规定的命名方法：

X

##X

X

电路类型

电路系列和

电路规格符号

电路封装

品种序

〔拼音字母〕

A：

〔三位数字〕

B：

原国标规定的命名方法

C

##

中国制造

器件类型

器件系列和

工作温度X围

器件封装符号

品种代号

〔器件序号〕

E：

H系列为CT2000系列；

原部标规定的命名方法

中国国标产品

用阿拉伯数字和

封装

字母表示器件系

〔0~70〕℃

列品种

〔-25~70〕℃

〔-25~85〕℃

〔-40~85〕℃

〔-55~85〕℃

〔-55~125〕℃

中国半导体器件型号命名方法

　　半导体器件型号由五局部（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五局部）组成。

五个局部的意义分别如下：

　　第一局部：

用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管

　　第二局部：

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

　　　　　　　表示二极管时：

A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

　　　　　　　表示三极管时：

A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、

　　　　　　　　　　　　　　C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

　　第三局部：

用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

　　　　　　　P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

　　　　　　　N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f<

3MHz,Pc<

1W）、

　　　　　　　G-高频小功率管（f>

1W）、D-低频大功率管（f<

3MHz,Pc>

　　　　　　　A-高频大功率管（f>

1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、

　　　　　　　Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、

　　　　　　　BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

　　第四局部：

用数字表示序号

　　第五局部：

用汉语拼音字母表示规格号例如：

3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

　　二、日本半导体分立器件型号命名方法

　　　　日本生产的半导体分立器件，由五至七局部组成。

　　　　通常只用到前五个局部，其各局部的符号意义如下：

用数字表示器件有效电极数目或类型。

　　　　　　　0-光电（即光敏）二极管三极管与上述器件的组合管、

　　　　　　　1-二极管、

　　　　　　　2三极或具有两个pn结的其他器件、

　　　　　　　3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、

　　　　　　　　┄┄依此类推。

日本电子工业协会JEIA注册标志。

　　　　　　　S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

用字母表示器件使用材料极性和类型。

　　　　　　　A-PNP型高频管、

　　　　　　　B-PNP型低频管、

　　　　　　　C-NPN型高频管、

　　　　　　　D-NPN型低频管、

　　　　　　　F-P控制极可控硅、

　　　　　　　G-N控制极可控硅、

　　　　　　　H-N基极单结晶体管、

　　　　　　　J-P沟道场效应管，如2SJ----

　　　　　　　K-N沟道场效应管，如2SK----

　　　　　　　M-双向可控硅。

用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

　　　　　　　两位以上的整数-从“11〞开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；

　　　　　　　不同公司的性能一样的器件可以使用同一顺序号；

数字越大，越是近期产品。

用字母表示同一型号的改良型产品标志。

　　　　　　　A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改良产品。

　　三、美国半导体分立器件型号命名方法

　　　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

　　　　美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

用符号表示器件用途的类型。

　　　　　　　JAN-军级、

　　　　　　　JANTX-特军级、

　　　　　　　JANTXV-超特军级、

　　　　　　　JANS-宇航级、

　　　　　　　无---非军用品。

用数字表示pn结数目。

1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

美国电子工业协会（EIA）注册标志。

　　　　　　　N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

美国电子工业协会登记顺序号。

　　　　　　　多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

用字母表示器件分档。

A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。

如：

　　　　　　　JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管

　　　　　　　2-三极管、

　　　　　　　N-EIA注册标志、

　　　　　　　3251-EIA登记顺序号、

　　　　　　　A-2N3251A档。

　　四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

　　　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以与匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。

这种命名方法由四个根本局部组成，各局部的符号与意义如下：

用字母表示器件使用的材料。

　　　　　　　A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、

　　　　　　　B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、

　　　　　　　C-器件使用材料的Eg>

1.3eV如砷化镓、

　　　　　　　D-器件使用材料的Eg<

0.6eV如锑化铟、

　　　　　　　E-器件使用复合材料与光电池使用的材料。

用字母表示器件的类型与主要特征。

　　　　　　　A-检波开关混频二极管、

　　　　　　　B-变容二极管、

　　　　　　　C-低频小功率三极管、

　　　　　　　D-低频大功率三极管、

　　　　　　　E-隧道二极管、

　　　　　　　F-高频小功率三极管、

　　　　　　　G-复合器件与其他器件、

　　　　　　　H-磁敏二极管、

　　　　　　　K-开放磁路中的霍尔元件、

　　　　　　　L-高频大功率三极管、

　　　　　　　M-封闭磁路中的霍尔元件、

　　　　　　　P-光敏器件、

　　　　　　　Q-发光器件、

　　　　　　　R-小功率晶闸管、

　　　　　　　S-小功率开关管、

　　　　　　　T-大功率晶闸管、

　　　　　　　U-大功率开关管、

　　　　　　　X-倍增二极管、

　　　　　　　Y-整流二极管、

　　　　　　　Z-稳压二极管。

用数字或字母加数字表示登记号。

　　　　　　　三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、

　　　　　　　一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

用字母对同一类型号器件进展分档。

　　　　　　　A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进展分档的标志。

　　除四个根本局部外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。

常见后缀如下：

　　1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的第一局部是一个字母，表示稳定电压值的容许误差X围，

　　　字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±

1%、±

2%、±

5%、±

10%、±

15%；

　　　其后缀第二局部是数字，表示标称稳定电压的整数数值；

　　　后缀的第三局部是字母V，代小数点，

　　　字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，

　　　通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

　　　如：

BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管

　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

　　　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：

O-表示半导体器件。

A-二极管、C-三极管、

　　　　　　　AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

多位数字-表示器件的登记序号。

A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。

电容分类

电容的根底知识

（1）

根据介质的不同，同时结合实际应用中的具体情况，我们把电容器简单分为三类

第一类：

电解类

电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等阀金属的外表采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电介质，以电解质作为阴极而构成的电容器。

目前最常用的电解电容有铝电解和钽电解。

广义上讲，电解质包括电解液、二氧化锰、有机半导体TQ、导体聚合物〔PPy、PEDT〕、