模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版Word格式.docx
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1.6已知图Pl.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI35V时负载开路，则会出现什么现象？
为什么？
（1）只有当加在稳压管两端的
电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。
∴UR
I10V时，UOL
RRUI3.3V；
L
UR
I15V时，UL
ORRUI5V；
UI35V时，UORL
RRUI11.7VUZ，∴UOUZ6V。
（2）当负载开路时，IZUIUZ
R29mAIZmax25mA，故稳压管将被烧毁。
1.7在图Pl.7所示电路中，发光二极管导通电压
UD=1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作。
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
2
（1）S闭合。
（2）R的范围为:
Rmin（VUD）/IDmax233
Rmax（VUD）/IDmin700图P1.7
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
（a）（b）（a）（b）
图Pl.8解图Pl.8
答案如解图Pl.8所示。
放大倍数分别为a1mA/10A100和b5mA/100A50
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解:
如解图1.9。
3
解图1.9
1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时UBE三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
（1）当VBB
（2）当VBB0.7V，β=50。
试分析VBB为0V、1V、3V0时，T截止，uO12V1V时，因为
VBBUBEQ
Rb60A。
IBQ
ICQIBQ3mAuOVCCICQRc9V图P1.10所以T处于放大状态。
（3）当VBB3V时，因为IBQVBBUBEQ
Rb460A，
ICQIBQ23mAICSVCCUCES11.3mA，所以T处于饱和状态。
Rc
1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50,BE管的稳定电压UZ0.2V，饱和管压降CES0.1V；
稳压。
当uI5V,正向导通电压UD0.5V0V时uO？
；
当uI5V时uO？
当uI0V时，晶体管截止，稳压管击穿，
uOUZ5V。
4
当uI5V时，晶体管饱和，
。
uO0.1V
因为：
图P1.11
IB
uIUBE480A，ICIB24mA，UECVCCICRc0Rb
1.12分别判断图Pl.12
所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
（a）（b）（c）
（d）（e）
图P1.12
（a）可能；
（b）可能；
（c）不能；
（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能。
1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。
管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图Pl.13所示。
5
解图Pl.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14（a）（b）
解图Pl.14
在场效应管的恒流区作横坐标的垂线（如解图Pl.14（a）所示）,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及uGS值，建立iD
所示。
1.15电路如图P1.15所示，T的输出特性如图Pl.14所示,分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
根据图P1.14所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图Pl.15所示电路可知f（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14（b）uGSuI。
当uI=4V时，uGS小于开启电压，故T截止。
当uI=8V时，设T工作在恒流区，根据输出
特性可知iD
0.6mA，管压降uDSVDDiDRd10V，6
因此，uGDuGSuDS2V，小于开启电压，
说明假设成立，即T工作在恒流区。
图Pl.15
当uI=12V时，由于VDD
l.16分别判断图Pl.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
12V，必然使T工作在可变电阻区。
（a）（b）（c）（d）
图P1.16
（a）可能,（b）不能,（c）不能,（d）可能。
补充1.电路如补图P1（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ
如图（c）所示。
试分别画出uO1和uO2的波形。
3V,R的取值合适，uI的波形
补图P1
波形如下图所示
7
补充2.在温度20oC时某晶体管的ICBO
ICBO602A,试问温度是60oC时的ICBO？
ICBO202422432A。
补充3.有两只晶体管，一只的β=200,ICEO200A；
另一只的β=100,ICEO10A，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？
为什么？
选用β=100,
管子好。
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：
取UCES
则ICEO10A的管子，因其β适中,ICEO较小，因而温度稳定性较另一只UBE，若管子饱和，,即RbVCCUBEVCCUBERbRc
Rc所以,
Rb100时,管子饱和。
补图P4
8
第2章基本放大电路
习题
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.1
（a）将-VCC改为+VCC。
（b）在+VCC与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在VBB支路加Rb，在-VCC与集电极之间加Rc。
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
（a）
（b）
（c）（d）
图P2.2
将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；
9
（c）（d）解图P2.2
、R和R的表2.3分别判断图P2.2（a）、（b）所示两电路各属哪种放大电路，并写出Q、Auio
达式。
图（a）:
IBQVCCUBEQ
R1R2
（1）R3
，Ri，ICQIBQ，UCEQVCC
（1）IBQRc。
R2//R3Aurbe
图（b）：
IBQrbe//R1，RoR2//R3（R2VCCUBEQ）/R2//R3
（1）R1，ICQIBQ，R2R3
UCEQVCCICQR4IEQR1。
R4Aurbe，RiR1//rbe，RoR4。
1
2.4电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ分别求出RL0.7V。
利用图解法。
和RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）
10
（a）（b）
图P2.4
空载时：
IBQ20A,ICQ2mA,UCEQ6V；
最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：
IBQ20A,ICQ2mA,UCEQ3V；
最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.4图P2.5
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,rbe=1kΩ,20mVUi,静态时
判断下列结论是否正确，在括号（×
）
（2）u201030.7
805400（×
）（4）A802.5200（√）（3）Auu11
200.7k1k（×
）（6）Rik35k（×
）（5）Ri200.02
（1）Au
（7）Ri
3k（×
）（8）Ri1k（√）11
（9）RO5k（√）（10）RO2.5k（×
）
（11）US
60mV（√）20mV（×
）（12）US
2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，UBE=0.7V，饱和管压降UCES=0.5V。
在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？
（1）正常情况；
（2）Rb1短路；
（3）Rb1开路；
（4）Rb2开路；
（5）Rb2短路；
（6）RC短路；
图P2.6图P2.7
（1）IBVCCUBE
RUBE17416311A,ICIB1.32mA，b2Rb1
∴UCVCCICRc8.3V。
（2）Rb1短路,ICIB0,∴UC15V。
（3）RVCCU
b1开路,临界饱和基极电流ICES
BSR23.7A，c
实际基极电流IVCCUBE
BR174A。
b2
由于IBIBS,管子饱和,∴UCUCES0.5V。
（4）Rb2开路,无基极电流,UCVCC15V。
（5）Rb2短路，发射结将烧毁，UC可能为15V。
12
（6）RC短路,
UCVCC15V。
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80，r
的Q点、bb’100。
分别计算RL和RL3k时、R和R。
Aoiu
在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为：
IBQVCCUBEQ
RbUBEQRs22A
ICQIBQ1.76mA
rberbb’
（1）26mV1.3kIEQ
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：
Rc308UCEQVCCICQRc6.2V；
Aurbe
RiRb//rberbe1.3k；
Ausrbe93AurbeRs
RoRc5k
RL3k时，静态管压降、电压放大倍数分别为：
UCEQRLVCCICQ（Rc//RL）2.3VRLRc
（Rc//RL）115ArbeA34.7AuusurberbeRs
RiRb//rberbe1.3kRoRc5k。
2.8若将图P2.7所示电路中的NPN管换成PNP管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源13
、R和R变化吗？
如变化，则如何变化？
若输出电压波形底部失真，应作如何变化？
Q点、Aoiu
则说明电路产生了什么失真，如何消除？
由正电源改为负电源；
Q点、、R和R不会变化；
输出电压波形底部失真对应输入Aoiu
信号正半周失真，对PNP管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；
减小Rb。
2.9已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，rbe=1.4kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ=6V，估算Rb；
和U的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少？
（2）若测得Uio
（1）IC
∴RbVCCUCE2mA，IBIC/20A,RcVCCUBE565k。
IB
（2）由Uo（Rc//RL）100,AuUirbe
可得:
RL2.625k。
图P2.9
2.10在图P2.9所示电路中，设静态时ICQ
当负载电阻RL2mA，晶体管饱和管压降UCES0.6V。
和RL3k时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
由于ICQ2mA，所以UCEQVCCICQRc6V。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故
UomUU3.82V
RL3k时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
Uom’IR2.12V
2.11电路如图P2.11所示，晶体管β=100，rbb=100Ω。
14
（1）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；
（2）若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？
如何变化？
（1）静态分析：
URb1
BQRVCC2V
b1Rb2
IUBQUBEQ
EQR1mA
fRe
IIEQ
BQ110A
UCEQVCCIEQ（RcRfRe）5.7V图P2.11动态分析：
r26mV
berbb’
（1）I2.73k
EQ
Au（Rc//RL）
r7.7
be
（1）Rf
RiRb1//Rb2//[rbe
（1）Rf]3.7kRoRc5k
（2）β=200时，UBQRb1
RVCC2V（不变）；
IBQUBEQ1mA（不变）；
EQU
RBQ5A（减小）fRe1；
UCEQVCCIEQ（RcRfRe）5.7V（不变）。
（3）Ce开路时，Ac
u（Rc//RL）
rRR//RL1.92（减小）；
be
（1）（eRf）ReRf
RiRb1//Rb2//[rbe
（1）（ReRf）]4.1k（增大）；
15
RoRc5k（不变）
2.12电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点；
（2）分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的
（1）求解Q点：
、R和R。
AoiuIBQVCCUBEQ
Rb
（1）Re32.3A
IEQ
（1）IBQ2.61mAUCEQVCCIEQRe7.17V
（2）求解放大倍数和输入、输出电阻：
RL=∞时；
Au
（1）Re图P2.120.996rbe
（1）Re
RiRb//[rbe
（1）Re]110k
RL=3kΩ时；
Au
（1）（Re//RL）0.992rbe
（1）（Re//RL）RiRb//[rbe
（1）（Re//RL）]76k输出电阻：
Ro
2.13电路如图P2.13所示，晶体管的β=60,Re//Rs//Rbrbe371rbb’100。
、R和R
（1）求解Q点、Aoiu
（2）设Us=10mV（有效值），问Ui若C3开路，则Ui?
Uo?
?
（1）Q点：
16
IBQ
VCCUBEQRb
（1）Re31A图P2.13ICQIBQ1.86mAUCEQVCCIEQ（RcRe）4.56V
、R和R的分析：
rberbb’
（1）26mV（Rc//RL）95952,AurbeIEQ
RiRb//rbe952,RoRc3k。
（2）设Us=10mV（有效值），则
UiRiUs3.2mVRsRi；
U304mVUoAui
若C3开路，则：
Rc//RL1.5RiRb//[rbe
（1）Re]51.3k，AuRe
UiRiUs9.6mVRsRi，U14.4mV。
UoAui
2.14改正图P2.14所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共漏接法。
17
图P2.14
（a）源极加电阻RS；
（b）漏极加电阻RD；
（c）输入端加耦合电容；
（d）在Rg支路加−VGG，+VDD改为−VDD
改正电路如解图P2.14所示。
解图P2.14
2.15已知图P2.21（a）所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）、（c）所示。
（1）利用图解法求解Q点；
（2）利用等效电路法求解Au、Ri和Ro。
18
（b）（c）图P2.15
（1）在转移特性中作直线uGSiDRs，与转移特性的交点即为Q点；
读出坐标值，得出IDQ1mA,UGSQ2V。
如解图P2.15（a）所示。
（a）（b）解图P2.21
在输出特性中作直流负载线uDS
线的交点为Q点，UDSQ
与UGVDDiD（RdRs），2V的那条输出特性曲SQ3V。
如解图P2.21（b）所示。
19
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
gmiD
uGSUDS1mV/V
gR5A；
RiRg1M；
RoRd5kumd
2.16已知图P2.16（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。
。
求解电路的Q点和Au
图P2.16
（1）求Q点：
根据电路图可知，UGSQVGG3V。
从转移特性查得，当UGSQ
因此管压降3V时的漏极电流：
IDQ1mAUDSQVDDIDQRd5V。
（2）求电压放大倍数：
∵gm
2mA/V，∴gR20Aumd
2.17电路如图P2.17所示。
（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？
若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？
（2）若想增大Au，则可采取哪些措施？
（1）输出电压波形底部失真，类似于NPN型三极管的饱和失真，应降低Q，故可减小R2或增大R1、RS；
若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R2或减小R1、RS。
（2）若想增大
Au，就要增大漏极静态电流以增大gm，故可增大R2或减小R1、RS。
20
2.18图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？
标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、沟道结型„„）及管脚（b、e、c、d、g、s）。
（d）
（e）（f）（g）
图P2.18
（a）不能。
（b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。
（e）不能。
（f）构成PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
21N
第3章多级放大电路
3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
（e）（f）
图P3.1
（a）共射，共基（b）共射,共射（c）共射,共射
（d）共集，共基（e）共源，共集（f）共基，共集
3.2设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出
Au、Ri22
和Ro的表达式。
图P3.2
（1）图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
（2）各电路的Au、Ri和Ro的表达式分别为：
（a）：
A1R2//rbe2（12）R3
uR（12）R3
1rbe1r；
be2（12）R3
Rrbe2R2
iR1rbe1；
RoR3//1
（b）：
A1）（R2//R3//rbe2）
u（1
r
（1）（R（2R4
r）
be112//R3//rbe2）be2
RiR1//[rbe1（11）（R2//R3//rbe2）]；
RoR4
23
（c）：
2R31{R2//[rbe2（12）rd]}[A]urbe1R1rbe2（12）rd
RiR1rbe1；
RoR3
[gm（R4//R6//R7//rbe2）]（（d）：
Au2R8rbe2）
RiR1//R2R3；
Ro
R8
（c）
解图P3.2
3.3基本放大电路如图P3.3（a）、（b）所示，图（a）虚线
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