南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案.docx

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南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）

一、选择题

1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五

2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素，变成为P型半导体。

A.二B.三C.四D.五

3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于

4、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于

5、本征半导体温度升高以后，C。

A.自由电子增多，空穴数基本不变

B.空穴数增多，自由电子数基本不变

C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同

D.自由电子数和空穴数都不变

6、空间电荷区是由C构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将A。

A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定

8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是C。

A.ISeUB.C.D.IS

9、稳压管的稳压区是其工作在C。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

D.前者反偏、后者正偏

11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。

A.增大B.不变C.减小D.都有可能

12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。

A.83B.91C.100D.10

13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A。

A.增大B.不变C.减小D.都有可能

14、晶体管是A器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流

15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量D。

16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为D；图2为A。

[基极电位总是处于中间]

①6V

②0V

③

图1

①3V

②9V

③

图2

硅管硅管锗管锗管

17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压B，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压D。

A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零

18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C。

A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区D.击穿区

19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。

A.夹断电压UGS（off）B.低频跨导gmC.饱和漏极电流IDSSD.开启电压UGS（th）

20、场效应管是D器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流

21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路

B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化

C.保护信号源D.防止输出电压被短路

22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是B。

A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量

C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC

23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为A。

短路开路短路D.β过小

24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位A。

A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°

25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是B失真。

A.饱和B.截止C.双向D.相位

26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。

若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是A。

A.10μA，1mAB.20μA，2mAC.30μA，3mAD.40μA，4mA

27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B。

A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小

28、放大电路产生零点漂移的主要原因是A。

A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大

C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源

29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选B耦合方式。

A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器

30、放大电路的三种组态（C）。

A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用

C.都有功率放大作用D.都不是

一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（C）。

A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB

31.多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（　A　）。

A.提高B.降低　C.不变D.不确定

二、填空

1、PN结中扩散电流的方向是：

从P区到N区，漂移电流的方向是从N区到P区。

2、PN结的最大特点是单向导电性。

3、使PN结正偏的方法是：

将P区接高电位，N区接低电位。

4、PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。

5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。

6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。

7、P型半导体中的多数载流子是空穴，N型半导体中的多数载流子是电子。

以上为第一章习题

8、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。

9、从栅极输入，从漏输出的是共源极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。

10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于1

11、某多级放大器中各级电压增益为：

第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100，总的放大倍数为10。

12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。

13、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。

三、判断题

1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。

（√）

2、PN结正向电流的大小由温度决定的。

（×）

3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

（×）

4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（√）

5、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（×）

6、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（√）

7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（×）

8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

（√）

9、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（×）

以上为第一章习题

10、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（×）

11、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）

12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）

13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）

14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）

15、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（×）

16、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（×）

17、某两级放大器中各级电压增益为：

第一级2dB、第二级3dB，放大器的总增益为6dB。

（×）

四、分析题

1、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。

试求左图所示电路中电阻R的取值范围。

解：

稳压管的最大稳定电流

IZM＝PZM/UZ＝25mA

电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为

2、下图示电路中，已知输入R1=1kΩ，RL=3kΩ，UI=12V，UZ=6V，IZ=5mA，PZM=90mW，问输出电压UO能否等于6V？

解：

稳压管正常稳压时，工作电流IDZ应满足IZ＜IDZ＜IZM，而

即5mA＜IDZ＜15mA

设电路中DZ能正常稳压，则UO=UZ=6V。

可求得：

显然，IDZ不在稳压工作电流范围内。

以上为第一章习题

3、测得工作在放大电路中三极管1、2、3脚的电位分别是，，。

试判断它是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出e、b、c。

4、管子对地电位如图所示。

判断管子的工作状态和材料。

（A）

+

＋6V

-3V

（C）

-2V

0V

+

-2V

+1V

（B）

+

+6V

+

（D）

（E）

+4V

＋4V

+4V

解：

（A）NPN型管。

UBE==，JE正偏，

UBC＝＝，JC反偏。

故该管工作在放大状态，为锗管。

（B）PNP型管。

UEB==，JE正偏，

UCB＝＝，JC反偏。

故该管工作在放大状态，为硅管。

（C）NPN型管。

UBE=-3-（-2）=-1V，JE反偏，

UBC＝-3-0＝-3V，JC反偏。

故该管工作在截止状态。

（D）PNP型管。

UEB==，JE正偏，

UCB＝，JC正偏。

故该管工作在饱和状态，为硅管。

（E）NPN型管。

UBE=4-4=0V，

UBC＝4-4＝0V。

则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。

5、判断以下两工作电路处于何种状态

图（a）没有放大作用。

VBB对信号有短接作用；UBE过大，JE可能烧毁。

在VBB中串接电阻RB。

图（b）没有放大作用。

放大元件T没有合适的偏置状态。

RB接点移至到C1后

五、计算题（都为第二章习题）

1、在右图所示电路中，已知RB1=5kΩ,RB1=20kΩ,RE=Ω,RC=RL=10kΩ,VCC=15V,β=80,rbb′＝100Ω，UBEQ=。

试求解：

（1）估算静态工作点Q；

（2）估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

（3）若将晶体管换成β为100的管子，Q点将如何变化？

（4）若CE开路，则Au与Ri将如何变化。

解

（1）求解Q点。

因为RB1＜＜（1+β）RE，所以

（2）求解Au、Ri和Ro。

画出微变等效电路

（3）当β由80变为100时，ICQ与UCEQ基本不变，而

（4）CE开路，那么电路的微变等效电路如图[P79T2.3.4]所示。

2、如右图所示电路中，已知VCC=15V,RB=750kΩ,RC=RL=Ω,β=80,rbb′＝100Ω。

试求解：

（1）静态工作点Q；

（2）RL接入和断开两种情