模拟电子技术基础习题.docx
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模拟电子技术基础习题
《模拟电子技术》考试题型
一、判断/思考题
二、填空/改错题
三、分析与选择题
四、计算题
五、设计题
模拟电子技术习题（部分）
一、填空题
1）根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为（绝缘体）、（导体）和（半导体）三类。
2）P型半导体的多数载流子是（空穴），少数载流子是（电子）；N型半导体的多数载流子是（电子），少数载流子是（空穴）。
3）PN结具有（单向导电性）性能，即加正向电压时PN结导通，加反向电压时的PN结截止。
4）硅二极管导通时的正向压降约（0.7）V，锗二极管导通时的正向压降约（0.2）V。
5）交流电流可以无失真地通过二极管.（ 错 ）
6）晶体三极管有两个PN结，即（）结和（）结；有三个点极，即（）极、（）极、（）极，分别用字母（）、（）、（）表示。
7）晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即（）区、（）区、（）区。
8）放大电路按三极管的连接方式可分为（）、（）、（）。
9）在放大状态下的ＮＰＮ型三极管,必定Vc（ ）VB，Ve（ ）VB.
在饱和状态下的ＰＮＰ型三极管,必定Vc（ ）VB，Ve（ ）VB.
10）三极管的共射直流电流放大系数βo的定义是（ ）.
共射交流电流放大系数β的定义是（ ）.
11）三极管的交流输入电阻RBe与管子的电流放大系数β无关（ ），与集电极电流Ｉc有关（ ）。
12）为防止失真，放大器发射结电压直流分量UBEO应比输入信号峰值（），并且要大于发射结的（）。
13）负反馈可分为有（），（），（）和（）等四种基本形式。
14）功率放大器一般按工作状态可分为（）放大、（）放大和（）放大三类。
15）单级共射放大器的输出电阻与负载电阻有关（ ），与三极管的集电极电流Ｉc无关（ ）。
16）某个放大电路的电压放大增益是100DB、80DB、40DB，所表示的放大倍数各是（ ），（ ），（ ）。
17）欲稳定放大器的输出电压，应采用（ ）负反馈，欲提高放大器的输入电阻，应采用（ ）负反馈
18）人们总希望放大器有（ ）输入电阻和（ ）输出电阻。
二、判断题
（1）在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。
（）
（2）PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）
（3）晶体二极管是线性元件。
（）
（4）无论哪种类型的晶体二极管，其正向电压都是0.3V左右。
（）
（5）当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）
（6）发射结正向偏置的晶体三极管一定工作在放大状态。
（）
（7）发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。
（）
（8）放大电路的交流负载线比直流负载线陡。
（）
（9）近似估算法同样可以应用于功率放大器。
（）
（10）功率放大器的电压和电流放大倍数都大于1。
（）
（11）自激振荡器建立振荡的条件是AUF>1。
（）
（12）石英晶体震荡器的特点是频率稳定度高。
（）
（13）零漂一般是折算到输出端来衡量的。
（）
（14）差动放大电路的共模放大倍数实际上为零。
（）
（15）共模抑制比越小，差动放大电路的性能越好。
（）
三、简答题
（1）为什么温度对二极管的正向特性影响小，而对反向特性却影响很大？
（2）放大器为什么要设置静态工作点？
（3）如何确定放大器的静态工作点？
（4）什么叫作运算放大器的“虚短”“虚断”和“虚地”？
（5）功率放大器与小信号电压放大器有哪些不同？
四、分析题
（1）、用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电位是UA=9.5V，UB=-5.9V，UC=-6.2V，试根据此判断晶体三极管的管脚、材料与类型。
（2）测得某三极管，其电流如图（P186）所示，在图中标出各管的管脚，并说明三极管是NPN型还是PNP型？
五、计算题4.3.54.3.114.4.3
4、
5、
五、设计题
1、画出用运算放大器实现Vo＝2V1＋4V2－V3要求的电路。
2、设计一个最大输出功率为10W的OCL功率放大器（RL=8），确定该功率放大器的工作电压，确定该功率放大器中的功率放大输出三极管的参数值（功耗、耐压、最大允许IC电流等），画出电路图，给出所用元件的参数。
3、用78/79系列的三端稳压芯片为2题的功率放大器设计其要求的直流电源，画出电路图，给出所用元件的参数。
一、思考题：
1-1二极管电路如下图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求
出AO两端电压VA0，设二极管是理想的。
1-2试判断图中二极管导通还是截止,为什么?
1-3如图所示画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:
（1）电源电压Vcc,静态电流IB、Ic和管压降VCE的值;
（2）电阻Rb,Rc的值;（3）输出电压的最大不失真幅度;（4）要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?
1-4NPN型三极管接成如图所示三种电路，试分析三极管T处于何种工作状态。
设T的UBE=0.7V
二、思考题
1-5掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要的因素是什么？
温度变化时受影响更大的是哪种载流子？
试说明原因。
1-6有二个晶体管，一个β=200，ICEO=200µA；另一个β=50，ICEO=10µA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？
1-7FET有多种类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，试总结出判别FET类型及电压极性的规律。
三、讨论题
1-8假设用万用表的R×10挡测得某二极管的正向电阻为200Ω，若改用R×100挡量同一个二极管，则测得的结果将比200Ω大还是小，还是正好相等？
为什么？
1-9有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们得三个未知电极X、Y、Z对地电压分别为：
甲管：
VX=9V，VY=6V，VZ=6.7V；乙管：
VX=–9V，VY=–6V，VZ=–6.2V。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？
它们是NPN型还是PNP型？
是锗管还是硅管？
第二章基本放大电路
一、作业题
2-1如图所示单级共射放大电路，已知三极管的UBE=0.7V，β=50，Rb=377kΩ，Rc=6kΩ，Rs=100Ω，RL=3kΩ，Vcc=12V。
试计算：
1）电路的静态工作点Q；
2）电压放大倍数Au、Aus；
3）输入电阻Ri和输出电阻Ro。
2-2电路如图所示，已知BJT的β=100，VBE=-0.7V。
（1）试估算该电路的Q点;
（2）画出简化的H参数小信号等效电路;（3）求该电路的电压增益Av,输入电阻Ri、输出电阻Ro；（4）若Uo中的交流成分出现图（b）所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?
为消除此失真,应调整电路中的哪个元件?
如何调整?
2-3PNP管接成如图所示电路，已知三极管的UBE=–0.2V，β=60，Rb=472kΩ，
Rc=4kΩ，Rs=300Ω，RL=6kΩ，Vcc=12V，UCES=–0.2V，rbb’=100Ω。
1）试计算电路的静态工作点Q；
2）画出微变等效电路图；
3）试计算输入电阻Ri、输出电阻Ro、电压放大倍数Au、Aus；
4）画出直流、交流负载线DCLL、ACLL；
5）计算电路的最大输出幅度Uomax；
6）信号增大时，首先出现什么失真？
怎样消除？
7）调整Rb的阻值，使电路有尽可能大的输出幅度Uomax，此时Rb=？
，Uomax=？
2-4已知电路参数如图所示,FET工作点上的互导gm=1ms,设rd》Rd。
画出电路的小信号模型;
（2）求电压增益Av;（3）求放大器的输入电阻Ri。
二、思考题
2-5放大电路为什么要设置合适的静态工作点Q？
2-6BJT的小信号模型是在什么条件下建立的？
其中的受控电源的性质如何？
2-7CE、CC和CB表示BJT的三种电路接法。
而反向电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量和输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来解释？
三、讨论题
2-8在画小信号等效电路时，常将电路中的直流电源短路，即把直流电源Vcc的正端看成是直流正电位、交流地电位。
对此如何理解？
2-9在简化的BJT的小信号模型中，两个参数rbe和β怎么求得？
若用万用表的“Ω”档测量b、e两极的电阻，是否为rbe？
2-10试比较图解分析法和小信号模型分析法的特点及应用范围？
第三章多级放大电路
3-1CC-CE两级放大电路如图所示，已知Vcc=12V，Rb1=180kΩ，Re1=2.7kΩ，
R1=100kΩ，R2=50kΩ，Rc2=2kΩ，Re2=1.6kΩ，Rs=1kΩ，RL=8kΩ，β1=β2=50，rbe1=rbe2=900Ω。
1）画出微变等效电路
2）求电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro。
3）计算电压放大倍数Au、Aus
3-2CC-CC两级放大电路如图所示，已知三极管的β1=β2=60，rbe1=5kΩ，rbe2=1kΩ，
求电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro。
3-3三级放大电路如图所示，已知三极管b、e的等效电阻分别为rbe1、rbe2、rbe3，电流放大系数分别为β1、β2、β3，写出Ri、Ro、Au的表达式。
二、思考和讨论题
3-4多级放大电路级间耦合方式及其特点如何？
各级耦合应满足什么条件？
3-5对于直接耦合多级放大电路的静态工作点Q的计算应注意什么问题？
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