计算机组成原理第二次实验报告Word下载.docx

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直通门D将运算器的结果不移位送总线,右移门R将运算器的结果右移一位送总线,左移门L将运算器的结果左移一位送总线。

用控制信号CN决定运算器是否带进位移位。

三、实验内容

1、运算器实验

按照下表连线

连接

信号孔

接入

1

J1座

J3座

5

AEN

K3

2

S0

K0

6

WEN

K4

3

S1

K1

7

CyIN

K5

4

S2

K2

8

ALUCK

CLOCK

注:

CyIN为运算器进位输入。

(1)将运算数据输入A、W中

将XXH写入A寄存器:

拨设置开关K23—K16,使其为A寄存器要输入的数据:

K23

K22

K21

K20

K19

K18

K17

K16

 

置控制信号,使DBUS数据送入A寄存器中:

K5(CyIN)

K4(WEN)

K3(AEN)

K2(S2)

K1(S1)

K0(S0)

按住CLOCK脉冲键,CLOCK由高变低,这时寄存器A的黄色指示灯亮,表示选择寄存器A。

放开CLOCK键,CLOCK由低变高,产生一个上升沿,数据XXH被写入寄存器A。

将XXH写入W寄存器

置控制信号,使DBUS数据送入W寄存器中:

K3(KAEN)

按住CLOCK脉冲键,CLOCK由高变低,这时寄存器W的黄色指示灯亮,表示选择寄存器W。

放开CLOCK键,CLOCK由低变高,产生一个上升沿,数据XXH被写入寄存器W。

(2)置控制信号,填写运算结果。

结果(直通门D)

注释

06

加运算

02

减运算

或运算

00

与运算

带进位加运算

07

带进位减运算

01

FB

取反运算

04

输出A

2、移位实验

J1座谈

CN

CyIN为移位进位输入。

(1)将数据写入A寄存器

置控制信号为:

K0(AEN)

K3(S2)

K4(S1)

K5(S0)

S21S1S0=111时,运算器输出为寄存器A的内容。

(2)将A中数据进行三种方式操作,并写出结果

L

D

R

X

05

81

实验四存储器实验

1、掌握静态随机存储器的工作原理;

2、通过对6116SRAM芯片的实验体会存储芯片读写信号的作用;

3、了解COP2000实验仪中内存模块地址的两个来源,学会给出地址并按地址向相应的EM单元中写入数据的方法;

4、掌握由EM读出数据打入指令寄存器IR和uPC的方法;

EM原理图

内存中存放指令和数据,当内存存放指令时,将指令送指令总线;

当内存存放数据时,将数据送数据总线。

存储器实验电路由一片RAM6116和二片74HC245组成。

6116是2K*8bit的SRAM,A0—A10是存储器的地址线,本实验电路中,只使用8条地址线A0—A7,而A8—A10接地。

D0—D7是存储器的数据线。

E是存储器的片选信号,当E为低电平时,存储器被选中,可以进行读写操作;

当E为高电平时,存储器未被选中;

本实验中E始终接地。

W为写命令,W为低电平时,是写操作;

G为读命令,G为低电平时,是读操作。

RAM的数据输出通过74HC245与数据总线相连,RAM的地址线与地址总线相连,可选择由PC或MAR提供地址。

RAM的数据输出直接接到指令总线IBUS上。

指令总线的数据还可以由1片74HC245提供,当ICOE=0时,74HC245输出中断指令B8。

按下表连接线

接入孔

J2

J3

EMRD

IREN

K6

EMWR

PCOE

9

PCCK

MAROE

10

MARCK

MAREN

11

EMCK

EMEN

12

IRCK

1、置PC/MAR输出地址选择的控制信号

K5(PCOE)

K4(MAROE)

地址总线

红色地址输出指示灯

PC输出地址

PC地址输出指示灯亮

MAR输出地址

MAR地址输出指示灯亮

地址总线浮空

错误,PC及MAR同时输出

2、存储器EM写实验(以下存储器实验均由MAR提供地址)

(1)将地址0写入MAR:

将二进制开关K23—K16置为00000000,即DBUS[7:

0]的数据输入为00H

设置控制信号:

(IREN)

(PCOE)

(MAROE)

(MAREN)

(EMEN)

(EMRD)

(EMWR)

按CLOCK键,将地址0写入MAR

向EM[0]中写入一个数据

置数据

置控制信号:

按CLOCK键,将数据XXH写入EM[0]

(2)将地址1写入MAR:

将二进制开关K23—K16置为00000001,即DBUS[7:

0]的数据输入为01H

按CLOCK键,将地址1写入MAR

向EM[1]中写入一个数据

可以重复若干次,向多个EM单元写入多个不同的数据。

3、存储器EM读实验

读EM[0]:

EM[0]读出值是___02___

读EM[1]:

EM[1]读出值是___04___

可以重复若干次,读出多个单元中的数据。

4、存储器打入IR/uPC实验

COP2000中直接用EM中读出的内容作为uM地址,故需具备EM内容打入uPC的功能。

(1)将地址0写入MAR

(2)读EM[0],并写入IR及uPC

按CLOCK键,将EM[0]写入IR及uPC,IR=___02_____,uPC=____00____

四、思考题

运算器

1、运算器在加上控制信号及数据(A、W)后,运算结果是否需CLOCK跳变才能给出?

答:

不需要,结果会直接给出。

2、S2、S1、S0控制信号的作用。

通过控制信号S2、S1、S0来选择ALU的运算类型。

具体运算选择如下:

S2 

S1 

S0 

 

功能 

A+W 

加 

A—W 

减 

A|W 

或 

A&

与 

A+W+C 

进位加 

A—W+C 

进位减 

~A 

取反 

输出

3、在移位实验中,CN是什么控制信号?

CN是判断移位是否带进位的信号,CN=0表示不带进位,CN=1表示带进位。

4、移位与输出门是否打开无关,无论运算器结果如何,移位门都会给出移位结果。

但究竟把哪一个结果送数据总线由哪些控制信号决定?

由DOE,LOE,ROE控制信号决定。

5、直通门D、左移门L和右移门R的输出结果是否总是同时给出?

为什么?

输出结果是同时给出的,都是由CLOCK上升沿控制。

存储器

1、详细了解EM原理图,说明6116的三个控制端的连接方法的含义;

写使能与读使能的区别。

(1)E是存储器的片选信号,当E为低电平时,存储器被选中,可以进行读写操作;

本实验中E始终接地,所以该存储器一直被选中,可以使用。

G为读命令,G为低电平时,是读操作,EMRD信号作为G的输入,因此当EMRD为低电平时,存储器进行读操作。

W为写命令,W为低电平时,是写操作。

EMWR和CK经或门后的输出作为W的输入,因此只有当EMWR为低电平,并且时钟脉冲到来时,在时钟脉冲的下降沿,W为低电平,将数据写入存储器。

(2)写使能有效时是将数据写入到存储器中,而读使能有效时是将数据从存储器送出到数据总线上。

2、观察EM地址的来源,EM的地址什么时候由PC提供,什么时候由MAR提供;

控制信号不同会导致EM地址来源不同:

PCOE为0,MAROE为1时,EM的地址由PC提供;

PCOE为1,MAROE为0时,EM的地址由MAR提供。

3、存储器进行读操作时,如果将EMRD置为1,能读出原来的写入数据吗?

读EM单元内容需要CLK跳变吗?

如果将EMRD置为1,不能读出原来的写入数据,因为读使能为低电平有效。

读EM单元内容不需要CLK跳变,因为EM的G端的信号是直接由EMRD提供的。

4、同时打入IR和uPC的数据可能变成两个不同的数(例:

55H—55H,54H),为什么?

因为指令总线IBUS[7:

0]的高六位被接到µ

PC预置输入的高六位,µ

PC预置的低两位直接接地,被置为0,所以打入µ

PC的数的低两位是默认为0的,因此会出现同时打入IR和µ

PC的数据变成两个不同的数,此时数据的真实值是IR显示的数值。

5、列表总结存储器实验用到控制信号及作用。

控制信号

作用

有效电平

存储器写允许

低有效

存储器读允许

存储器与数据总线相连

POCE

PC输出地址到存储器

MAR写允许

MAR输出地址到存储器

IR、µ

PC写允许

五、实验体会及建议

实验遇到的问题及解决办法;

在做存储器的读写实验时遇到了问题,在对存储器进行写操作后,再对写入数据进行读取,发现读出的数据与写入的不一样,在进行多次尝试并且请教同学后,仍然没有解决这个问题,之后做将存储器的数据打入IR和µ

PC实验,结果发现打入的数据和存储的数据相同,然而存储器数码管上显示的数据仍然是不同的。

最后我们一致得出结论,是那个存储器的数码管坏了,没有显示正确的数值。

实验内容是否合适:

(内容多,适中,内容少);

适中,时间比较充裕,在做完实验后可以进行充分的思考,来消化吸收知识。

对本次实验的建议,以及以后实验内容安排的建议等。

希望可以老师们可以对实验仪器进行检查,避免因为仪器问题做不出实验结果。

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