中国LED行业专利分析及预警报告Word下载.docx

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封装技术主要包括改进封装结构、提高散热性能、提高出光效率、提高抗光衰和可靠性等方面。

LED的应用主要在LED照明和LED显示屏上。

LED照明具有功耗小、寿命长、环保的特点，但是LED散热极大的影响LED的光衰特性，缩短了LED的使用寿命。

LED显示屏具有：

1、亮度高；

2、寿命长；

3、视角大；

4、屏幕面积可大可小，小至不到一平米，大则可达几百、上千平米；

5、易与计算机接口，支持软件丰富等特点，推动了LED显示屏市场的发展。

OLED技术是LED未来技术的方向之一，主要有小分子OLED技术和高分子OLED（也可称为PLED）技术。

小分子OLED和高分子OLED的差异主要表现在器件的制备工艺不同：

小分子器件主要采用真空热蒸发工艺，高分子器件则采用旋转涂覆或喷涂印刷工艺。

小分子材料厂商主要有：

Eastman、Kodak、出光兴产、东洋INK制造、三菱化学等；

高分子材料厂商主要有：

CDT、Covin、DowChemical、住友化学等。

目前国际上与OLED有关的专利已经超过1400份，其中最基本的专利有三项。

小分子OLED的基本专利由美国Kodak公司拥有，高分子OLED的专利由英国的CDT（CambridgeDisPlayTechnology）和美国的Uniax公司拥有。

Oled关键技术有：

1、氧化铟锡（ITO）基板前处理；

2、阴极工艺；

3、封装。

第二节理论依据和分析方法

专利具有市场属性，这决定了任何有意义的专利战略研究必须要以市场竞争为基本目的，而市场竞争的胜负则直接取决于各参与者的相对竞争力强弱。

如何评价一个企业的技术竞争力，需要以量化的数据进行分析和对比。

针对欲进入目标市场，依据量化的竞争力分析，企业就可以此为基础调整自己的研发方向，选择恰当的竞争战略，最终达到企业经济利益的最大化，而企业专利战略研究正是有助于实现这一目标的重要手段。

1.2.1主要分析方法和工具

专利信息分析法

专利分析方法分为定量分析与定性分析两种，其中定量分析又称统计分析，主要是通过专利文献的外表特征来进行统计分析，也就是通过专利文献上所固有的项目如申请日期、申请人、分类类别、申请国家等来识别有关文献，然后将这些专利文献按有关指标如专利数量、同族专利数量、专利引文数量等来进行统计分析，并从技术和经济的角度对有关统计数据的变化进行解释，以取得动态发展趋势方面的情报；

定性分析也称技术分析，是以专利说明书、权利要求、图纸等技术内容或专利的“质”来识别专利，并按技术特征来归并有关专利并使其有序化，一般用来获得技术动向、企业动向、特定权利状况等方面的情报。

通常情况下，在进行专利分析时，需要将定量分析与定性分析结合起来使用，也就是将外表特征及内容特征结合起来进行分析，才能达到较好的分析效果。

专利信息分析的工具

专利信息分析的工具采用的是北京中献智泉信息技术有限公司的专利信息分析系统。

利用该系统可以对专利信息进行加工处理，对技术发展趋势、申请人状况、专利保护地域等专利战略要素进行定性、定量分析研究，对行业技术领域的各种发展趋势、竞争态势有一个综合的了解。

1.2.2专利战略应用及应用价值

专利分析不仅是企业争夺专利的前提，更能为企业发展其技术策略，评估竞争对手提供有用的情报。

技术是市场中占主导地位的竞争参数，专利分析所针对的正是竞争性技术情报源，专利分析的价值已被下列的战略应用广泛证实：

1、技术竞争分析：

通过分析竞争对手所拥有的全部专利或分析该技术领域的全部专利，确定竞争对手的相对竞争地位及其相对的技术性竞争优势、劣势。

2、新风险评估：

通过专利分析确定竞争对手的优势及劣势后，公司可选择性买卖合适的专利技术，以辅助进行扩张和分散风险的决策。

3、专利投资组合管理：

通过专利分析可以辅助决策专利许可、出售、联合风险开发等。

4、研究与开发管理：

专利分析可发现具有竞争力的先进技术，以优化自身R&

D项目。

5、产品领域和市场监督：

通过跟踪竞争对手的专利申请领域及范围等状况，可发现竞争对手动向、技术开发及竞争性加入。

6、兼并与收购分析：

通过专利分析可辅助M&

A的决策以增强公司的技术基础力，并减少技术威胁。

7、价值链分析：

可分析供应商与客户的专利活动情报，观察价值链中各个环节的潜在变化，辅助公司作出相应调整决策。

1.2.3专利战略研究的目的

针对本课题所开展的专利战略研究主要有以下几个目的：

1、自身与对手的相对竞争力量化分析，旨在确立技术优势；

2、技术或产品市场的预测与评价，旨在争取效益最大化；

3、发明主题的分析，旨在提高研究起点，优化科研资源配置；

4、分析竞争对手的战略意图，了解竞争对手技术特点和状况；

5、寻找技术合作合作伙伴，指导技术贸易，获取最大利益；

6、制定行业的专利战略。

第三节报告撰写方法及步骤

本报告撰写分为四个阶段：

第一个阶段为“确立研究主题的范围及目的”；

第二个阶段为“建立检索条件与提取专利数据”；

第三个阶段为“对专利数据进行行业、技术趋势等分析”；

第四个阶段为“提出策略”。

明确技术主题

技术相关资料收集

专利文献调研

确定技术分类标准

技术关键词和IPC分类的确定

讨论

选择专利数据库

专利检索策略的建立与修订

专利数据检索与筛选

检索结果的审查

专利信息的分析

专利战略的分析

竞争对手分析

区域分析

技术分析

专利趋势分析

竞争对手解析

市场需求解析

产品研发解析

专利趋势解析

专利战略的制定与建议

第一阶段

第二阶段

第三阶段

第四阶段

第四节逻辑检索表达式及专利信息数据库

1.4.1专利数据库的技术范围

本报告中LED行业的技术界定为LED生产技术中的上、中、下游技术，即包括衬底技术、外延技术、封装技术、应用技术。

1.4.2专利数据库范围及检索年限

本报告检索数据库范围为中国专利数据库，检索年限为1985年到2011年6月17日。

专利类型有三种，分别为：

发明、实用新型、外观设计。

第二章LED行业技术专利信息技术分析

第一节衬底技术专利分析

2.1.1趋势分析

图2.1.1-1LED行业衬底技术中国区域总体发展趋势分析

注：

期末统计数量下降是某些专利申请尚未公开所致，并非申报量下降。

我国关于led行业衬底技术的专利授权是从1992年开始的，到了90年代中后期，出现了超亮度的氮化镓led，led在消费电子的运用越来越广泛，led的衬底技术发展也越来越快，从2000年开始进入专利授权的快速增长期，2006年达到顶峰，其后技术研发相对比较稳定。

2.1.2国省分布

图2.1.2-1LED行业衬底技术中国区域国内申请与国外在华申请对比图

LED行业衬底技术中国区域专利申请中，国内申请占35.9%，国外申请人占64.1%。

中国区域的专利申请主要集中在国外申请人中。

该行业衬底技术的核心专利基本上掌握在国外申请人手中。

国外申请人中，日本的申请量较多，其次是美国，分别占总申请量的30.5%、13.9%。

图2.1.2-2LED行业衬底技术中国区域类型分析及国省分布情况

LED行业衬底技术中国区域专利申请中，发明占92.60%，实用新型占7.36%，外观设计占0.06%。

衬底技术处在LED行业链的上游部分，技术含量高，专利申请基本以发明为主。

从LED行业衬底技术领域的专利申请国省分布状况来看，各省的申请授权量差距较大，中国台湾省的专利申请授权量居首，共申请授权了2074件专利，占总申请授权量的9.48%；

上海的专利申请授权居第二位，共申请授权专利1775件，占总申请授权量的8.11%；

北京、江苏、广东的专利申请授权量分别占据第三、第四和第五位，分别占总申请授权量的4.99%、3.02%和2.54%。

国外申请人中，日本专利申请授权量最多占总申请授权量的30.5%；

美国和韩国的也有较多申请，分别占总申请授权量的13.9%和10.3%。

2.1.3申请人分析

图2.1.3-1LED行业衬底技术中国区域专利申请人分布图

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、三星电子株式会社、国际商业机器公司、松下电器产业株式会社、株式会社半导体能源研究所、株式会社东芝、海力士半导体有限公司、东部高科股份有限公司、东京毅力科创株式会社、三菱电机株式会社为LED行业衬底技术中国区域专利申请前十位申请人。

前十申请人中只有中芯国际集成电路制造（上海）有限公司是中国企业，其他主要是日本和韩国的企业。

掌握核心技术的美国cree公司和日本日亚公司在中国没有申请专利。

表2.1.3-1LED行业衬底技术中国区域前10名申请人综合比较

申请人

专利件数

占本主题专利百分比

活动年期

发明人数

平均专利年龄

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

462

16.43%

8

963

3.59

三星电子株式会社

650

12.63%

21

1258

7.18

国际商业机器公司

619

12.02%

20

1709

6.72

松下电器产业株式会社

509

9.89%

17

699

6.67

株式会社半导体能源研究所

494

9.60%

22

280

7.81

株式会社东芝

448

8.70%

19

653

7.31

海力士半导体有限公司

442

8.59%

10

390

4.61

东部高科股份有限公司

417

8.10%

3

197

3.17

东京毅力科创株式会社

368

7.15%

11

578

4.88

三菱电机株式会社

358

6.95%

418

8.08

从表上可以看出，LED衬底技术中国区域申请人前三名是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、三星电子株式会社、国际商业机器公司，其中中芯国际集成电路制造（上海）有限公司是前十申请中唯一的一家中国企业，成立于2000年，是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片代工企业，平均专利年龄只有3.59年。

三星电子株式会社、国际商业机器公司、松下电器产业株式会社、株式会社半导体能源研究所和株式会社东芝都是老牌的国际知名大企业，他们的专利活动年期都在20年左右，技术沉淀比较雄厚，平均专利年龄也都在7年左右。

我们在从事LED行业衬底领域方面的生产研究时，应注意避开国外专利技术，对于无法避开的核心专利可以尝试通过购买或者交叉许可的方式获得授权。

2.1.4IPC分析

图2.1.4-1LED行业衬底技术中国区域专利IPC分类分步图

表2.1.4-1LED行业衬底技术中国区域专利IPC及外观设计技术分类对照

编号

IPC及外观设计分类

涉及的技术内容

1

H01L21

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

2

H01L27

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L29

专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或

表面势垒的半导体器件；

具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒

4

H01L23

半导体或其他固态器件的零部件

5

H01L33

具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射；

制造或处理

这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备；

这些半导体器件的零部件

6

H01L31

对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适

用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行

电能控制的半导体器件；

专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件

的方法或设备；

其零部件

7

C30B29

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

H01L25

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

9

H01S5

半导体激光器

C23C16

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆

从图、表中可以看出，中国区域的LED行业衬底技术专利申请基本上集中在专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备（H01L21）技术分类中。

H01L类主要涉及的内容是半导体器件，其他类目未包含的电固体器件，下面的大组H01L23、H01L25、H01L27、H01L29、H01L31、H01L33都是LED行业衬底技术的主要分类，都是对半导体器件的研究。

第二节外延技术专利分析

2.2.1趋势分析

图2.2.1-1LED行业外延技术中国区域总体发展趋势分析

注：

我国关于led行业外延技术的专利授权是从1992年开始的，到了90年代中后期，出现了超亮度的氮化镓led，led在消费电子的运用越来越广泛，led的衬底技术发展也越来越快，从2001年开始进入专利授权的快速增长期，2009年达到顶峰，其后技术研发相对比较稳定。

2.3.2国省分布

图2.2.2-1LED行业外延技术中国区域国内申请与国外在华申请对比图

LED行业外延技术中国区域专利申请中，国内申请占69.7%，国外申请人占30.3%。

中国区域的专利申请主要集中在国内申请人中。

在中国领域该行业衬底技术的核心专利基本上掌握在国内申请人手中。

国外申请人中，日本的申请量较多，其次是美国，分别占总申请量的15.6%、6.5%。

图2.2.2-2LED行业外延技术中国区域类型分析及国省分布情况

LED行业外延技术中国区域专利申请中，发明占95.0%，实用新型占4.9%，外观设计占0.1%。

外延技术处在LED行业链的上游部分，技术含量高，专利申请基本以发明为主。

从LED行业外延技术领域的专利申请国省分布状况来看，北京的专利申请授权量居首，共申请授权了287件专利，占总申请授权量的18.78%；

上海的专利申请居第二位，共申请授权专利193件，占总申请授权量的12.63%；

江苏、广东、福建的专利申请授权量分别占据第三、第四和第五位，分别占总申请授权量的6.41%、5.37%和4.93%。

国外申请人中，日本专利申请量最多占总申请授权量的15.6%；

美国和韩国的也有较多申请，分别占总申请授权量的6.5%和2.7%。

2.2.3申请人分析

图2.2.3-1LED行业外延技术中国区域专利申请人分布图

中国科学院半导体研究所、住友电气工业株式会社、南京大学、中国科学院上海技术物理研究所、上海蓝光科技有限公司、西安电子科技大学、北京大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、厦门市三安光电科技有限公司、日亚化学工业株式会社为LED行业外延技术中国区域专利申请前十位申请人。

前十申请人中只有住友电气工业株式会社和日亚化学工业株式会社是外国企业，其他主要是国内申请人申请。

国内申请人中，中国科学院半导体研究所、中国科学院上海技术物理研究所和中国科学院上海微系统与信息技术研究所为科研机构，南京大学、西安电子科技大学、北京大学是大专院校，他们主要从事的是科研研究，需要注重和企业的合作，增进专利的转化率。

表2.2.3-1LED行业外延技术中国区域前10名申请人综合比较

中国科学院半导体研究所

174

32.52%

13

261

4.82

住友电气工业株式会社

56

10.47%

14

65

5.55

南京大学

54

10.09%

15

95

6.19

中国科学院上海技术物理研究所

44

8.22%

83

6.55

上海蓝光科技有限公司

39

7.29%

52

2.92

西安电子科技大学

59

2.77

北京大学

38

7.10%

12

80

4.47

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

33

6.17%

4.33

厦门市三安光电科技有限公司

1.7

日亚化学工业株式会社

25

4.67%

24

12.88

从表上可以看出，LED衬底技术中国区域申请人前三名是中国科学院半导体研究所、住友电气工业株式会社、南京大学，其中住友电气工业株式会社是一家老牌的日本企业集团，拥有雄厚的研发实力，在半导体方面也有自己独到的研究。

中国企业在专利研发和拥有量方面与国外发达国家相比，都较为逊色。

中国企业需要更好的与国内科研院校和机构合作，优化利用这些院校和机构的研发能力，使企业能够得到更好的发展。

2.2.4IPC分析

图2.2.4-1LED行业外延技术中国区域专利IPC分类分步图

表2.2.4-1LED行业外延技术中国区域专利IPC及外观设计技术分类对照

C30B25

反应气体化学反应法的单晶生长

H01S3

激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调

制、解调或变频的器件

从图、表中可以看出，中国区域的LED行业衬底技术专利申请主要集中在专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备（H01L21）、具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射，制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备和这些半导体器件的零部件（H01L33）和半导体激光器（H01S5）技术分类中。

H01L类主要涉及的内容是半导体器件，其他类目未包含的电固体器件，下面的大组H01L27、H01L29、H01L31、H01L33都是LED行业外延技术的主要分类，都是对半导体器件的研究。

第三节封装技术专利分析

2.3.1趋势分析

图2.3.1-1LED行业封装技术中国区域总体发展趋势分析

我国关于led行业封装技术的专利授权是从1992年开始的，到了20世纪90年代后期，LED产品的应用得到很大的推广，从2000年开始进入专利的发展快速通道，2010年专利授权量达到顶峰。

图2.3.2-1LED行业封装技术中国区域国内申请与国外在华申请对比图

LED行业封装技术中国区域专利申请中，国内申请占83.1%，国外申请人占16.9%。

在中国领域该行业封装技术的核心专利基本上掌握在国内申请人手中。

国外申请人中，日本的申请量较多，其次是美国，分别占总申请量的5.9%、4.6%。

图2.3.2-2LED行业封装技术中国区域类型分析及国省分布情况

LED行业封装中国区域专利申请中，发明占57.4%，实用新型占41.6%，外观设计占1.0%。

封装技术处在LED行业链的中游部分，技术含量相对较高，专利申请以发明为主，其次实用新型专利也较多。

从LED行业封装技术领域的专利申请国省分布状况来看，广东的专利申请授权量居首，共申请授权