最可靠的UBOOT移植讲解学习.docx
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最可靠的UBOOT移植讲解学习
最可靠的UBOOT移植
一．
1、到ftp:
//ftp.denx.de/pub/u-boot/下载u-boot-2010.06.tar.bz2
2、解压 tarjxvfu-boot-2010.06.tar.bz2
3、进入uboot cdu-boot-2010.06
4、删减uboot
进入/board，留下samsung，其它全部删除
ls|grep-v"^samsung$"|xargsrm-rf
进入/arch，留下arm，其它全部删除
ls|grep-v"^arm$"|xargsrm-rf
进入/arch/arm/cpu,留下arm920t，其它全部删除
ls|grep-v"920"|xargsrm–rf
二．
1、建立自己的DEMO板
cd/board/samsung
mkdirsmdk2440
cp-rfsmdk2410/*smdk2440/ //将2410下所有的代码复制到2440下
cdsmdk2440 //进入smdk2440目录
mvsmdk2410.csmdk2440.c //将smdk2440下的smdk2410.c改名为smdk2440.c
然后在文件夹samsung里留下smdk2440，其它全部删除
cpinclude/configs/smdk2410.hinclude/configs/smdk2440.h //建立2440头文件
在include/configs下留下smdk2440.h,其它全部删除
vi board/samsung/smdk2440/Makefile //修改smdk2440下Makefile的编译项，如下：
COBJS:
=smdk2440.oflash.o //修改第28行因在smdk2440下我们将smdk2410.c改名为smdk2440.c
2、顶层Makefile文件。
查找到smdk2410_config的地方，在他下面按照smdk2410_config的格式建立my2440_config的编译选项，另外还要指定交叉编译器，修改159行
CROSS_COMPILE?
=arm-linux- //指定交叉编译器为arm-linux-gcc
smdk2410_config :
unconfig //2410编译选项格式
@$（MKCONFIG）$（@:
_config=） armarm920tsmdk2410samsungs3c24x0
smdk2440_config :
unconfig //修改蒂3054行，2440编译选项格式
@$（MKCONFIG）$（@:
_config=） armarm920t smdk2440samsungs3c24x0
*说明：
arm ：
CPU的架构（ARCH）
arm920t：
CPU的类型
smdk2440：
对应在board目录下建立新的开发板项目的目录
samsung：
新开发板项目目录的上级目录，如直接在board下建立新的开发板项目的目录，则这里就为NULL
s3c24x0：
CPU型号
*注意：
编译选项格式的第二行要用Tab键开始，否则编译会出错
3、测试编译新建的smdk2440开发板项目
在uboot根目录测试
makesmdk2440_config
make即可在uboot根目录下生成bin文件
三
Makedistclean
在include/configs/smdk2440.h头文件中添加CONFIG_S3C2440宏
viinclude/configs/smdk2440.h 在第40行添加
#defineCONFIG_S3C24401
1start.S
找到程序的入口点，reset:
/*
*setthecputoSVC32mode
*/
mrs r0,cpsr
bic r0,r0,#0x1f
orr r0,r0,#0xd3
msr cpsr,r0
1-1. 在下面添加开发板的LED测试代码，以方便观看u-boot的运行
//测试开发板的LED
#if1 //P284LED分别由S3C2440的PB5、6、7、8口来控制
#defineGPBCON0x56000010
#defineGPBDAT0x56000014
#defineGPBUP 0x56000018
ldrr0,=GPBUP
ldrr1,=0x7FF //即：
二进制11111111111，关闭PB口上拉
strr1,[r0]
ldrr0,=GPBCON //配置PB5、6、7、8为输出口，对应PBCON寄存器的第10-17位
ldrr1,=0x154FD //即：
二进制010*********
strr1,[r0]
ldrr0,=GPBDAT
ldrr1,=0x1C0 //即：
二进制111000000，PB5设为低电平，6、7、8为高电平
strr1,[r0] ////点亮开发板上的LED1，
#endif
1-2.去掉117，118行点亮AT91RM9200DK系列LED的代码
/*
blcoloured_LED_init
blred_LED_on
*/
1-3.中断，时钟
# if defined（CONFIG_S3C2410）
ldr r1, =0x3ff
ldr r0, =INTSUBMSK
str r1, [r0]
# endif
/*164行*/
#ifdefined（CONFIG_S3C2440）//添加s3c2440的中断禁止部分
ldr r1,=0x7fff //根据2440芯片手册，INTSUBMSK寄存器有15位可用
ldr r0,=INTSUBMSK
str r1,[r0]
#endif
#ifdefined（CONFIG_S3C2440） //添加s3c2440的时钟部分
#defineMPLLCON 0x4C000004 //系统主频配置寄存器基地址
#defineUPLLCON 0x4C000008 //USB时钟频率配置寄存器基地址
ldr r0,=CLKDIVN //设置分频系数FCLK:
HCLK:
PCLK=1:
4:
8
mov r1,#5
str r1,[r0]
ldr r0,=MPLLCON //设置系统主频为405MHz
ldr r1,=0x7F021 //这个值参考芯片手册“PLLVALUESELECTIONTABLE”部分
str r1,[r0]
ldr r0,=UPLLCON //设置USB时钟频率为48MHz
ldr r1,=0x38022 //这个值参考芯片手册“PLLVALUESELECTIONTABLE”部分
str r1,[r0]
#else//其他开发板的时钟部分，这里就不用管了，我们现在是做2440的
/*FCLK:
HCLK:
PCLK=1:
2:
4*/
/*defaultFCLKis120MHz!
*/
ldr r0,=CLKDIVN
mov r1,#3
str r1,[r0]
#endif
接下来为了观看u-boot的运行，添加一段LED的程序，此时点亮LED2,关闭其它LED
//点亮LED2
ldrr0,=GPBDAT
ldrr1,=0x1A0 //即：
二进制110100000，PB6设为低电平，5、7、8为高电平
strr1,[r0] ////点亮开发板上的LED2，
2S3C2440的时钟部分除了在start.S中添加外，还要分别在board/samsung/smdk2440/smdk2440.c和cpu/arm920t/s3c24x0/speed.c中修改或添加部分代码，如下：
viboard/samsung/smdk2440/smdk2440.c
时钟部分修改第34行和在45行添加如下红色部分
#defineFCLK_SPEED2 //设置默认等于2，即下面红色代码部分有效
#ifFCLK_SPEED==0 /*Fout=203MHz,Fin=12MHzforAudio*/
#defineM_MDIV 0xC3
#defineM_PDIV 0x4
#defineM_SDIV 0x1
#elifFCLK_SPEED==1 /*Fout=202.8MHz*/
#defineM_MDIV 0xA1
#defineM_PDIV 0x3
#defineM_SDIV 0x1
#elifFCLK_SPEED==2 /*Fout=405MHz*/
#defineM_MDIV 0x7F //这三个值根据S3C2440芯片手册“PLLVALUESELECTIONTABLE”部分进行设置
#defineM_PDIV 0x2
#defineM_SDIV 0x1
#endif
USB时钟部分修改第51行和在61行添加如下红色部分
#defineUSB_CLOCK2 //设置默认等于2，即下面红色代码部分有效
#ifUSB_CLOCK==0
#defineU_M_MDIV 0xA1
#defineU_M_PDIV 0x3
#defineU_M_SDIV 0x1
#elifUSB_CLOCK==1
#defineU_M_MDIV 0x48
#defineU_M_PDIV 0x3
#defineU_M_SDIV 0x2
#elifUSB_CLOCK==2 /*Fout=48MHz*/
#defineU_M_MDIV 0x38 //这三个值根据S3C2440芯片手册“PLLVALUESELECTIONTABLE”部分进行设置
#defineU_M_PDIV 0x2
#defineU_M_SDIV 0x2
#endif
3、viarch/arm/cpu/arm920t/s3c24x0/speed.c//根据设置的分频系数FCLK:
HCLK:
PCLK=1:
4:
8修改获取时钟频率的函数
get_PLLCLK函数修改第66行如下
staticulongget_PLLCLK（intpllreg）
{
structs3c24x0_clock_power*clk_power=s3c24x0_get_base_clock_power（）;
ulongr,m,p,s;
if（pllreg==MPLL）
r=clk_power->MPLLCON;
elseif（pllreg==UPLL）
r=clk_power->UPLLCON;
else
hang（）;
m=（（r&0xFF000）>>12）+8;
p=（（r&0x003F0）>>4）+2;
s=r&0x3;
#ifdefined（CONFIG_S3C2440）
if（pllreg==MPLL）
{ //参考S3C2440芯片手册上的公式：
PLL=（2*m*Fin）/（p*2s）
return（（CONFIG_SYS_CLK_FREQ*m*2）/（p< }
#endif
return（（CONFIG_SYS_CLK_FREQ*m）/（p<}
修改84行get_HCLK函数为
/*returnHCLKfrequency*/
ulongget_HCLK（void）
{
structs3c24x0_clock_power*clk_power=s3c24x0_get_base_clock_power（）;
#ifdefined（CONFIG_S3C2440）
return（get_FCLK（）/4）;
#endif
return（readl（&clk_power->CLKDIVN）&2）?
get_FCLK（）/2:
get_FCLK（）;
}
4board/smdk2440/lowlevel_init.S
还是回到start.S
#ifndefCONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT
bl cpu_init_crit
#endif
以上代码使程序跳转到cpu_init_crit在cpu_init_crit中程序还要跳转到
lowlevel_init执行，该函数在board/smdk2440/lowlevel_init.S中，用于对SDRAM的初始化，在该文件中需要修改SDRAM的刷新参数
#defineB1_BWSCON（DW16）//这个改不改无所谓，没有接东西
#defineB2_BWSCON（DW16+WAIT+UBLB）//芯片手册P208
#defineB3_BWSCON（DW16）
#defineB4_BWSCON（DW16）
#defineB5_BWSCON（DW8）
#defineB6_BWSCON（DW32）//芯片手册P197
#defineB7_BWSCON（DW32）
@AX88796用的是bank2，和smdk2410有所区别，所以要这么改（参考vivi）：
#defineB2_Tacs0x0@[14：
13]00为0clock地址建立时间beforeNGCS2
#defineB2_Tcos0x3@[12：
11]00为0clock芯片选择建立时间beforenOE
#defineB2_Tacc0x7@[10：
8]111为14clock访问周期
#defineB2_Tcoh0x1@[7：
6]00为0clock芯片选择保持时间afternOE
#defineB2_Tah0x0@[5：
4]00为0clock地址保持时间afternGCSn
#defineB2_Tacp0x3@[3：
2]00为2clock页面模式存储周期
#defineB2_PMC0x0@[1：
0]00为normal（1data）页面模式配置
/*BANK6CON*/
@配置SDRAM的参数（SDRAM占用BANK6），BANK6和BANK7要配置成同样的值，需要查看SDRAM
@的datasheet当内存为ROM或SRAM时需要配置所有位，当为SDRAM时只要配置[0~3]
@这里不用修改，因为smdk2410也就是这样设置的
#defineB6_MT0x3/*SDRAM*/@决定内存类型[16：
15]=11—>SDRAM（缺省时使用SDRAM）
#defineB6_Trcd0x1@[3：
2]=013clockRAStoCASdelay（即RAS到CAS的延时）20ns
#defineB6_SCAN0x1/*9bit*/
@[1:
0]=019bit列地址位数，即列扫描数，在SDRAM手册上，有一句：
C0~C8即为9列
/*BANK7CON*/
#defineB7_MT0x3/*SDRAM*/
#defineB7_Trcd0x1/*3clk*/
#defineB7_SCAN0x1/*9bit*/
/*REFRESHparameter*/
@SDRAM刷新参数，这个很重要，移植时要更改
#defineREFEN0x1/*Refreshenable*/
@默认为允许刷新
#defineTREFMD0x0/*CBR（CASbeforeRAS）/Autorefresh*/
@下面三个时间参数多是根据经验来设置
#defineTrp0x0/*2clk*/
#defineTrc0x3/*7clk*/
#defineTchr0x2/*3clk*/
#defineREFCNT0x4F4/*1268period=7.8us,HCLK="100Mhz",（2048+1-15.6*100）*/
@SDRAM刷新计数值，这个值比较重要，根据SDRAM（HY57V561620AT-H）的datasheet，（我使用的@这款芯片在datasheet写着8192Refreshcycle/64ms，所以一个刷新周期为64ms/8192=7.8125us,取@7.9的话REFCNT的值就为1259）
在#ifndefCONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT
bl cpu_init_crit//屏蔽掉，如在内存中运行
#endif
后面加：
//点亮LED3
ldrr0,=GPBDAT
ldrr1,=0x160 //即：
二进制101100000，PB7设为低电平，5、6、8为高电平
strr1,[r0] ////点亮开发板上的LED3，
四
u-boot-2011.03在TQ2440上的移植（3）--支持norflash启动
修改命令提示符为自己的
4-1viinclude/configs/smdk2440.h
第118行修改为
#defineCONFIG_SYS_PROMPT "[SMDK2440]#" //将命令行前的名字改成[SMDK2440]
#if0 //注释掉下面两个类型的NorFlash设置,或者选LV800，因为与本板类似
#defineCONFIG_AMD_LV400 1/*uncommentthisifyouhaveaLV400flash*/
#defineCONFIG_AMD_LV800 1/*uncommentthisifyouhaveaLV800flash*/
#endif
#defineCONFIG_SYS_MAX_FLASH_BANKS1 /*maxnumberofmemorybanks*/
#ifdefCONFIG_AMD_LV800
#definePHYS_FLASH_SIZE 0x00200000 /*1MB*/
#defineCONFIG_SYS_MAX_FLASH_SECT （19） /*maxnumberofsectorsononechip*/
#defineCONFIG_ENV_ADDR （CONFIG_SYS_FLASH_BASE+0x0F0000）/*addrofenvironment*/
#endif
#ifdefCONFIG_AMD_LV400
#definePHYS_FLASH_SIZE 0x00080000 /*512KB*/
#defineCONFIG_SYS_MAX_FLASH_SECT （11） /*maxnumberofsectorsononechip*/
#defineCONFIG_ENV_ADDR （CONFIG_SYS_FLASH_BASE+0x070000）/*addrofenvironment*/
#endif
//第175行添加如下内容
#defineCONFIG_EON_29LV160AB 1 //添加TQ2440开发板NorFlash设置
#definePHYS_FLASH_SIZE 0x200000//我们开发板的NorFlash是2M
#defineCONFIG_SYS_MAX_FLASH_SECT （35） //根据EN29LV160AB的芯片手册描述，共35个扇区
#defineCONFIG_ENV_ADDR （CONFIG_SYS_FLASH_BASE+0x80000）//暂设置环境变量的首地址为0x80000//在256K处放uboot参数
4-2
添加Norflash的information
viinclude/flash.h
第181行添加
#defineEON_ID_LV160AB 0x22492249//通过JTAGJFLASH可查到
4-3
修改norflash的驱动，在u-boot中对NorFlash的操作分别有初始化、擦除和写入，所以我们主要修改与硬件密切相关的三个函数flash_init、flash_erase、write_hword。
viboard/samsung/smdk2440/flash.c
由-One 8-Kword, two 4-Kword, one 16-Kword,and thirty-one 32-Kwordsectors（wordmode）
可知主要扇区大小为32k，so修改第31行
#defineMAIN_SECT_SIZE 0x8000 //定义为32k，主要扇区的大小
#defineMEM_FLASH_ADDR1 （*（volatileu16*）（CONFIG_SYS_FLASH_BASE+（0x00000555<<1）））
#defineMEM_FLASH_ADDR2 （*（volatileu16*）（CONFIG_SYS_FLASH_BASE +（0x000002AA<<1）））
75行error改为
EON_ID_LV160AB
由于我们是把norflash连接到了s3c2440的bank0上，因此norflash中的地址相对于s3c2440来说基址为0x00000000，即CONFIG_SYS_FLASH_BASE =0。
而之所以又把norflash中的地址向左移一位（即乘以2），
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