能源并网系统中IGBT模块的温度场分布分析Word下载.docx
《能源并网系统中IGBT模块的温度场分布分析Word下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《能源并网系统中IGBT模块的温度场分布分析Word下载.docx（6页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
本文对于IGBT模块的温度参数运用有限元分析方法得到二维温度场分布图，比结温方法更精确。
且本文考虑到IGBT模块的在并网系统中的应用，得到了IGBT模块在该应用下的温度场分布，为IGBT模块的在线温度监测提供了一定的理论基础。
1原理
IGBT模块有近60%的失效是由温度引起的，温度每上升10℃，器件失效概率以近2倍的速率上升[2]。
因此研究IGBT模块的温度分布对于研究IGBT模块的可靠性很重要。
IGBT的温度升高需要能量，这个能量由IGBT模块的功率损耗提供。
由IGBT的结构特性和工作原理可知：
IGBT模块可近似认为由MOSFET和PNP晶体达林顿连接而成，其单元结构及等效电路如图1所示。
在导通过程中可近似认为和MOSFET的导通过程一致。
同MOSFET一样导通过程存在电压延迟下降时间，关断过程存在电压延迟上升时间。
导通和关断过程均会产生功率损耗，并由此引起局部温升。
IGBT的总损耗主要由稳态损耗和暂态损耗构成[3]如式
（1）：
为了对IGBT模块的温度场分布进行分析，采用图2所示的Cauer网络对IGBT模块的7层结构进行等效[4]。
运用电热比拟理论在这个网络中将7层结构中的每层都等效为一组并联的RC网络，电流的大小和方向等效于温度的高低和传导方向，最后的电流源T相当于环境温度。
构成了IGBT模块的热传导模型。
2仿真
首先在MATLAB里搭建直流并网系统仿真，如图3所示，得到IGBT的输出电压Vce波形（图4），在导通过程中，集射极电压下降的过程分为两个部分，第一部分是IGBT中MOSFET单独工作时的电压下降过程，第二部分是MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。
由于集射极电压下降时IGBT中MOSFET的栅极漏电容增加，并且IGBT中PNP晶体管的工作状态由放大状态进入饱和状态也需要一个过程，因此此部分电压下降过程变缓。
关断过程中，当栅极电压降为0后，由于载流子的复合是需要时间的，这也就使关断电压的上升过程变缓。
将该波形作为温度分布仿真中载荷的来源，但由于ANSYS仿真软件本身对载荷是有要求的，因此这个输出波形需进行处理才能作为热仿真中的载荷。
经过多个单元近似线性得到了如图4所示波形，但MATLAB里的IGBT模块作为理想的仿真模块没有考虑寄生电感的作用。
从文献[5]中可以查出，正常关断过程中的尖峰电压约比关断时电压高出20%。
所以在对载荷进行处理时考虑了尖峰电压，得到了如图5所示的载荷，作为ANSYS仿真建模里所施加的载荷。
模块的热传导模型采用IGBT典型的7层结构，如图6所示。
7层结构自上到下分别是：
键合线、芯片、芯片焊接层、铜镍层1、陶瓷衬板、铜镍层2、基板焊接层和基板。
图中的箭头为IGBT模块的热传导方向。
在进行计算前先建立模型，对几何模型做出如下假设：
（1）在这个剖面图中没有考虑门极，因为门极和芯片不在同一个衬板上，且门极电压值远小于模块的集射极电压值，所以此次建模不考虑门极电压作用产生的温度场；
（2）IGBT模块内部各层之间存在热量的传导，模块与外部环境存在对流和辐射[6]。
在此次建模中我们只考虑占主导作用的自上而下的竖直方向上的热传导，忽略侧向对流和辐射作用；
（3）本次建模只针对单个芯片模块，不考虑输入输出端子仅以端子连接处部分代替输入输出端子；
（4）假设模块处在理想情况下,模块内部的焊料层均匀无缺陷，模块的各种材料的属性参数不随温度的变化而变化，假设模块周围的环境温度不发生变化。
在基于上述几何模型假设的情形下，利用基于网格划分的有限元法，进行三维温度场热仿真分析。
经网格划分后为90334个单元，507851个节点。
从文献[7]中可以查找出各层的材料属性参数，假设模块底部所安装的散热器散热足够好，模块底部温度恒为25℃。
器件基板的4个侧面与外界的对流换热系数为8.76W/（m2·
℃）。
3结果
图7是利用Cauer网络模型进行的IGBT模块温度场分布图。
从温度场分布图中可以看出，仿真结果显示最大温度值为192℃。
将图中的温度分布按从高到低分为9个等级，温度最高显示为9级，最低显示为1级。
从图中的可以看出第5级（118℃）及以下的温度场分布中出现各向异性。
这可归因于这几层温度分布靠近器件边缘，环境温度远远低于温度场温度，热量的传递就会趋向于温度梯度▽T更大的位置。
从模型剖面图看，热量的传递符合传导模型自上而下的垂直传导方向，且温度较高的位置出现在芯片四周，符合IGBT模块失效特征分析中的边缘易损坏的特征。
这同试验人员用试验方法测得的集射极过电压引起的失效位置通常在有源区的四周边沿处[8]的结果相一致。
过电压失效是由于温度升高引起的，因此温度的最高点也存在于有源区的四周边缘处，这就是为什么四周边缘处温度高的原因。
4结论
本文在ANSYS里做了一个仿真试验，这个试验采用有限元分析的方法得到了IGBT模块的温度场分布不均匀。
IGBT模块的温度最高区域位于芯片的四周外沿处。
这同以前的实验结果相符合，这归因于在热仿真过程中考虑了IGBT模块开关瞬间的电压缓变。
本文构建的仿真主要有两方面的重要意义：
其一，从模块本身讲，本文构建的试验仿真因为仿真过程中的载荷考虑了IGBT关断过程中的暂态过程而更真实，所以仿真结果更为准确。
为IGBT模块的可靠性检测提供了一种较为准确的试验方法，可以使用于IGBT模块的寿命检测，并且比传统的寿命检测方法更为安全可靠。
运用该仿真方法研究IGBT模块的温度场分布和可靠性问题，为IPM技术发展过程中解决功率部分高温对逻辑部分的影响提供了理论借鉴。
其二，在实际应用过程中，设计人员为了避免IGBT由于温度升高引起的失效而通常采用降级使用[9]，这对于模块的合理使用是不恰当的，而根据本文试验仿真的结果来选取模块比依靠传统的方法来选取更为精确，使模块以及模块所在的系统得到合理利用。
本次仿真系统所搭建的仿真模型为实现功率模块的实时在线检测提供了理论依据，在仿真系统里是可以直接观察到IGBT模块的整个温度场分布的。
而功率模块的失效将直接引起的变流装置的输出电压不符合并网要求，严重危害电力系统的稳定性。
因此，监控IGBT等功率模块的温度变化为避免无防备失效引起的危害提供了明确的警示作用。
升级会员 