光电耦合器pc817中文资料文档格式.docx
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IF
50
mA
*1Peakforwardcurrent峰值正向电流
IFM
1
A
Reversevoltage反向电压
VR
6
V
Powerdissipation功耗
P
70
mW
输出
Collector-emittervoltage集电极发射极电压
VCEO
35
Emitter-collectorvoltage发射极集电极电压
VECO
Collectorcurrent集电极电流
IC
Collectorpowerdissipation集电极功耗
PC
150
Totalpowerdissipation总功耗
Ptot
200
*2Isolationvoltage隔离电压
Viso
5000
Vrm
Operatingtemperature操作温度
Topr
-30to+100
Storagetemperature存储温度
Tstg
-55to+125
*3Solderingtemperature焊接温度
Tsol
260
℃
*1脉冲宽度<
=100ms,占空比:
0.001*240至60%相对湿度,交流1分钟
*310秒
Conditions测试条件
数值
最小
典
型
输入侧
Forwardvoltage正向电压
VF
IF=20mA
-
1.2
Peakforwardvoltage正
向峰值电压
VFM
IFM=0.5A
Reversecurrent反向电流
IR
VR=4V
Terminalcapacitance终端电容
Ct
V=0,f=1kHz
30
输出侧
Collectordarkcurrent集电极暗电流
ICEO
VCE=20V
*4Currenttransferratio电流传输比
CTR
IF=5mA,VCE
=5V
Collector-emitter
saturationvoltage集电
极发射极饱和电压
CE(sat)
IF=20mA,IC=1mA
0.1
Isolationresistance隔离电阻
RISO
DC500V,40to
60%RH
10
5x1010
11
Transfercharac-teristics传输特点
Floatingcapacitance浮动电容
Cf
V=0,f=1MHz
0.6
Cut-offfrequency截止频率
fc
VCE=5V,IC=
2mA,RL=100
W,-3dB
80
Responsetime响应时间
Risetime上升时间
tr
VCE=2V,IC=
4
Falltime下降时间
tf
W
3
Electro-opticalCharacteristics光电特性
大
*4分类表电流传输比如下所示
ModelNo.型号
Rankmark等级标志
电流传输比CTR(%)
PC817A
80to160
PC817B
B
130to260
PC817C
C
200to400
PC817D
D
300to600
PC8*7AB
A或B
80to260
PC8*7BC
B或C
130to400
PC8*7CD
C或D
200to600
PC8*7AC
A,B或C
80to400
PC8*7BD
B,C或D
130to600
PC8*7AD
A,B,C或D
80to600
PC8*7
A,B,C,D或无标记
50to600
*:
1或2或3或4
图2测试电路的响
图1测试电路的频率响应应时间特性曲线图
集电极功耗比(常温)
正向电流比(常温)
峰值正向电流与占空比
电流传输比比正向电流
正向电流与正向电压
集电极电流比集电极发射极电
压
集电极发射极饱和电压与常温
集电极暗电流比常温
频率响应
响应时间与负载电阻
集电极发射极饱和电压与正向电
流应用电路:
图4打开或关闭12V直流电动机的TTL
控制信号输入电路图
图5与TL431配合的电源反馈电路
封装尺寸及引脚功能图:
PC817
IntemalCOnneCtlOndiwg「am
G=0to13β
①AnOde
®
Cathode
◎Emitter
④COlleCtOr
PC827
2.54*025
©
◎
IrIrp
InternalCOnneCtlondiagram
⑦⑥⑤
Anode
Inark
CIBfVMO
4-god
O-W
①②③④
c>
卜
Oi
Tl
Q
AnOdeCathodeEmitterCOileCtOr
PC837
KJ
E
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PCev
PG817
Z丁十M
PG847
XVIlodeIrlarF
PGβt7
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17
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PCB17
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