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  弹性碰撞:

Δp=0;

ΔE=0{即系统的动量和动能均守恒}

  非弹性碰撞Δp=0;

0r0,f引>

f斥,F分子力表现为引力

  r>

10r0,f引=f斥≈0,F分子力≈0,E分子势能≈0

  热力学定律+Q=ΔU{,

  :

外界对物体做的正功,Q:

物体吸收的热量,ΔU:

增加的内能,涉及到类永动机不可造出

  热力学第三定律:

热力学零度不可达到{宇宙温度下限:

-273.15摄氏度}

  注:

  布朗粒子不是分子,布朗颗粒越小,布朗运动越明显,温度越高越剧烈;

  温度是分子平均动能的标志;

  )分子间的引力和斥力同时存在,随分子间距离的增大而减小,但斥力减小得比引力快;

  分子力做正功,分子势能减小,在r0处F引=F斥且分子势能最小;

  气体膨胀,外界对气体做负功0;

吸收热量,Q>

  物体的内能是指物体所有的分子动能和分子势能的总和,对于理想气体分子间作用力为零,分子势能为零;

  r0为分子处于平衡状态时,分子间的距离;

  十、电场

  两种电荷、电荷守恒定律、元电荷:

,:

静电力常量=9.0×

109N?

2/c2,Q1、Q2:

两点电荷的电量,r:

两点电荷间的距离,方向在它们的连线上,作用力与反作用力,同种电荷互相排斥,异种电荷互相吸引}

  电场强度:

E=F/q,q:

检验电荷的电量}

  真空点电荷形成的电场E=Q/r2{r:

源电荷到该位置的距离,Q:

源电荷的电量}

  匀强电场的场强E=UAB/d{UAB:

AB两点间的电压,d:

AB两点在场强方向的距离}

  电场力:

F=qE{F:

电场力,q:

受到电场力的电荷的电量,E:

电场强度}

  电势与电势差:

UAB=φA-φB,UAB=AB/q=-ΔEAB/q

  电场力做功:

AB=qUAB=Eqd{AB:

带电体由A到B时电场力所做的功,q:

带电量,UAB:

电场中A、B两点间的电势差,E:

匀强电场强度,d:

两点沿场强方向的距离}

  电势能:

EA=qφA{EA:

带电体在A点的电势能,q:

电量,φA:

A点的电势}

  0.电势能的变化ΔEAB=EB-EA{带电体在电场中从A位置到B位置时电势能的差值}

  1.电场力做功与电势能变化ΔEAB=-AB=-qUAB

  电容c=Q/U{c:

电容,Q:

电量,U:

电压}

  3.平行板电容器的电容c=εS/4πd

  带电粒子在电场中的加速:

=ΔE或qU=Vt2/2,Vt=1/2

  带电粒子沿垂直电场方向以速度Vo进入匀强电场时的偏转

  类平垂直电场方向:

匀速直线运动L=Vot

  抛运动平行电场方向:

初速度为零的匀加速直线运动d=at2/2,a=F/=qE/

  两个完全相同的带电金属小球接触时,电量分配规律:

原带异种电荷的先中和后平分,原带同种电荷的总量平分;

  电场线从正电荷出发终止于负电荷,电场线不相交,切线方向为场强方向,电场线密处场强大,顺着电场线电势越来越低,电场线与等势线垂直;

  常见电场的电场线分布要求熟记〔见图[第二册P98];

  电场强度与电势均由电场本身决定,而电场力与电势能还与带电体带的电量多少和电荷正负有关;

  处于静电平衡导体是个等势体,表面是个等势面,导体外表面附近的电场线垂直于导体表面,导体内部合场强为零,导体内部没有净电荷,净电荷只分布于导体外表面;

  电容单位换算:

1F=106μF=1012PF;

  是能量的单位,1eV=1.60×

10-19j;

  十一、恒定电流

  电流强度:

I=q/t{I:

电流强度,U:

导体两端电压,R:

导体阻值}

  电阻、电阻定律:

R=ρL/S{ρ:

电阻率,L:

导体的长度,S:

导体横截面积}

  闭合电路欧姆定律:

I=E/或E=Ir+IR也可以是E=U内+U外

  {I:

电路中的总电流,E:

电源电动势,R:

外电路电阻,r:

电源内阻}

  电功与电功率:

=UIt,P=UI{:

电功,U:

电压,I:

电流,t:

时间,P:

电功率}

  焦耳定律:

Q=I2Rt{Q:

电热,I:

通过导体的电流,R:

导体的电阻值,t:

通电时间}

  纯电阻电路中:

由于I=U/R,=Q,因此=Q=UIt=I2Rt=U2t/R

  电源总动率、电源输出功率、电源效率:

P总=IE,P出=IU,η=P出/P总{I:

电路总电流,E:

电源电动势,U:

路端电压,η:

电源效率}

  电路的串/并联串联电路并联电路

  电阻关系R串=R1+R2+R3+1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+

  电流关系I总=I1=I2=I3I并=I1+I2+I3+

  电压关系U总=U1+U2+U3+U总=U1=U2=U3

  功率分配P总=P1+P2+P3+P总=P1+P2+P3+

  0.欧姆表测电阻

  电路组成测量原理

  两表笔短接后,调节Ro使电表指针满偏,得

  Ig=E/

  接入被测电阻Rx后通过电表的电流为

  Ix=E/=E/

  由于Ix与Rx对应,因此可指示被测电阻大小

  使用方法:

机械调零、选择量程、欧姆调零、测量读数{注意挡位}、拨off挡。

  注意:

测量电阻时,要与原电路断开,选择量程使指针在中央附近,每次换挡要重新短接欧姆调零。

  1.伏安法测电阻

  电流表内接法:

  电压表示数:

U=UR+UA

  电流表外接法:

  电流表示数:

I=IR+IV

  Rx的测量值=U/I=/IR=RA+Rx>

R真

  Rx的测量值=U/I=UR/=RVRx/>

RA[或Rx>

1/2]

  选用电路条件RxRx

  电压调节范围大,电路复杂,功耗较大

  便于调节电压的选择条件Rp<

Rx

  注1)单位换算:

1A=103A=106μA;

1V=103V=106A;

1Ω=103Ω=106Ω

  各种材料的电阻率都随温度的变化而变化,金属电阻率随温度升高而增大;

  串联总电阻大于任何一个分电阻,并联总电阻小于任何一个分电阻;

  当电源有内阻时,外电路电阻增大时,总电流减小,路端电压增大;

  当外电路电阻等于电源电阻时,电源输出功率最大,此时的输出功率为E2/;

  十二、磁场

  磁感应强度是用来表示磁场的强弱和方向的物理量,是矢量,单位T),1T=1N/A?

  安培力F=BIL;

{B:

磁感应强度,F:

安培力,I:

电流强度,L:

导线长度}

  洛仑兹力f=qVB;

{f:

洛仑兹力,q:

带电粒子电量,V:

带电粒子速度}

  在重力忽略不计的情况下,带电粒子进入磁场的运动情况:

  带电粒子沿平行磁场方向进入磁场:

不受洛仑兹力的作用,做匀速直线运动V=V0

  带电粒子沿垂直磁场方向进入磁场:

做匀速圆周运动,规律如下a)F向=f洛=V2/r=ω2r=r2=qVB;

r=V/qB;

T=2π/qB;

运动周期与圆周运动的半径和线速度无关,洛仑兹力对带电粒子不做功;

解题关键:

画轨迹、找圆心、定半径、圆心角。

  安培力和洛仑兹力的方向均可由左手定则判定,只是洛仑兹力要注意带电粒子的正负;

  十三、电磁感应

  )E=nΔΦ/Δt{法拉第电磁感应定律,E:

感应电动势,n:

感应线圈匝数,ΔΦ/Δt:

磁通量的变化率}

  )E=BLV垂{L:

有效长度}

  )E=nBSω{E:

感应电动势峰值}

  )E=BL2ω/2{ω:

角速度,V:

速度}

  磁通量Φ=BS{Φ:

磁通量,B:

匀强磁场的磁感应强度,S:

正对面积}

  感应电动势的正负极可利用感应电流方向判定{电源内部的电流方向:

由负极流向正极}

  十四、交变电流

  电压瞬时值e=Esinωt电流瞬时值i=Isinωt;

  电动势峰值E=nBSω=2BLv电流峰值I=E/R总

  正弦式交变电流有效值:

E=E/1/2;

U=U/1/2;

I=I/1/2

  理想变压器原副线圈中的电压与电流及功率关系

  U1/U2=n1/n2;

I1/I2=n2/n2;

P入=P出

  在远距离输电中,采用高压输送电能可以减少电能在输电线上的损失损′=2R;

  公式1、2、3、4中物理量及单位:

ω:

角频率;

t:

时间;

n:

线圈匝数;

B:

磁感强度;

  S:

线圈的面积;

U输出)电压;

I:

电流强度;

P:

功率。

  交变电流的变化频率与发电机中线圈的转动的频率相同即:

ω电=ω线,f电=f线;

  发电机中,线圈在中性面位置磁通量最大,感应电动势为零,过中性面电流方向就改变;

  有效值是根据电流热效应定义的,没有特别说明的交流数值都指有效值;

  理想变压器的匝数比一定时,输出电压由输入电压决定,输入电流由输出电流决定,输入功率等于输出功率,当负载的消耗的功率增大时输入功率也增大,即P出决定P入;

  十五、电磁振荡和电磁波

  Lc振荡电路T=2π1/2;

f=1/T{f:

频率,T:

周期,L:

电感量,c:

电容量}

  电磁波在真空中传播的速度c=3.00×

108/s,λ=c/f{λ:

电磁波的波长,f:

电磁波频率}

  在Lc振荡过程中,电容器电量最大时,振荡电流为零;

电容器电量为零时,振荡电流最大;

  麦克斯韦电磁场理论:

变化的电场产生磁场;

  十六、光的反射和折射

  反射定律α=i{α;

反射角,i:

入射角}

  绝对折射率n=c/v=sin/sin{光的色散,可见光中红光折射率小,n:

折射率,c:

真空中的光速,v:

介质中的光速,:

入射角,:

折射角}

  全反射:

1)光从介质中进入真空或空气中时发生全反射的临界角c:

sinc=1/n

  )全反射的条件:

光密介质射入光疏介质;

入射角等于或大于临界角

  平面镜反射成像规律:

成等大正立的虚像,像与物沿平面镜对称;

  三棱镜折射成像规律:

成虚像,出射光线向底边偏折,像的位置向顶角偏移;

  十七、光的本性

  两种学说:

微粒说、波动说

  .双缝干涉:

中间为亮条纹;

亮条纹位置:

=nλ;

暗条纹位置:

=λ/2;

条纹间距{:

路程差;

λ:

光的波长;

λ/2:

光的半波长;

d两条狭缝间的距离;

l:

挡板与屏间的距离}

  光的颜色由光的频率决定,光的频率由光源决定,与介质无关,光的传播速度与介质有关,光的颜色按频率从低到高的排列顺序是:

红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫

  薄膜干涉:

增透膜的厚度是绿光在薄膜中波长的1/4,即增透膜厚度d=λ/4〔见第三册P25〕

  光的衍射:

光在没有障碍物的均匀介质中是沿直线传播的,在障碍物的尺寸比光的波长大得多的情况下,光的衍射现象不明显可认为沿直线传播,反之,就不能认为光沿直线传播

  光的偏振:

光的偏振现象说明光是横波

  光的电磁说:

光的本质是一种电磁波。

电磁波谱:

无线电波、红外线、可见光、紫外线、伦琴射线、γ射线。

红外线、紫外、线伦琴射线的发现和特性、产生机理、实际应用

  光子说,一个光子的能量E=hν{h:

普朗克常量=6.63×

10-34s,ν:

光的频率}

  爱因斯坦光电效应方程:

V2/2=hν-{V2/2:

光电子初动能,hν:

光子能量,:

金属的逸出功}

  要会区分光的干涉和衍射产生原理、条件、图样及应用,如双缝干涉、薄膜干涉、单缝衍射、圆孔衍射、圆屏衍射等;

  其它相关内容:

光的本性学说发展史/泊松亮斑/发射光谱/吸收光谱/光谱分析/原子特征谱线〔见第三册P50〕/光电效应的规律光子说〔见第三册P41〕/光电管及其应用/光的波粒二象性〔见第三册P45〕/激光〔见第三册P35〕/物质波〔见第三册P51〕。

  十八、原子和原子核

  α粒子散射试验结果a)大多数的α粒子不发生偏转;

少数α粒子发生了较大角度的偏转;

极少数α粒子出现大角度的偏转

  原子核的大小:

10-15~10-14,原子的半径约10-10

  .光子的发射与吸收:

原子发生定态跃迁时,要辐射一定频率的光子:

hν=E初-E末{能级跃迁}

  原子核的组成:

质子和中子,{A=质量数=质子数+中子数,Z=电荷数=质子数=核外电子数=原子序数〔见第三册P63〕}

  天然放射现象:

α射线、β射线、γ射线、α衰变与β衰变、半衰期。

γ射线是伴随α射线和β射线产生的〔见第三册P64〕

  爱因斯坦的质能方程:

E=c2{E:

能量,:

质量,c:

光在真空中的速度}

  核能的计算ΔE=Δc2{当Δ的单位用g时,ΔE的单位为j;

当Δ用原子质量单位u时,算出的ΔE单位为uc2;

1uc2=931.5eV}〔见第三册P72〕。

  常见的核反应方程要求掌握;

  熟记常见粒子的质量数和电荷数;

  质量数和电荷数守恒,依据实验事实,是正确书写核反应方程的关键;

氢原子的能级结构〔见第三册P49〕/氢原子的电子云〔见第三册P53〕/放射性同位数及其应用、放射性污染和防护〔见第三册P69〕/重核裂变、链式反应、链式反应的条件、核反应堆〔见第三册P73〕/轻核聚变、可控热核反应〔见第三册P77〕/人类对物质结构的认识。

  左手定则:

已知电流方向和磁感线方向,判断通电导体在磁场中受力方向,如电动机。

  伸开左手,让磁感线穿入手心,四指指向电流方向,那么大拇指的方向就是导体受力方向。

  其原理是:

  当你把磁铁的磁感线和电流的磁感线都画出来的时候,两种磁感线交织在一起,按照向量加法,磁铁和电流的磁感线方向相同的地方,磁感线变得密集;

方向相反的地方,磁感线变得稀疏。

磁感线有一个特性就是,每一条磁感线互相排斥!

磁感线密集的地方“压力大”,磁感线稀疏的地方“压力小”。

于是电流两侧的压力不同,把电流压向一边。

拇指的方向就是这个压力的方向。

  右手定则:

  确定导体切割磁感线运动时在导体中产生的感应电流方向的定则。

  右手定则的内容是:

伸开右手,使大拇指跟其余四个手指垂直并且都跟手掌在一个平面内,把右手放入磁场中,让磁感线垂直穿入手心,大拇指指向导体运动方向,则其余四指指向感应电流的方向。

  

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