材料的介电常数和磁导率的测量Word文件下载.docx

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ε的数值等于以该材料为介质所作的电容器的电容量与以真空为介质所作的同样形状的电容器

的电容量之比值。

表达式如下：

（1）

式中C为含有电介质材料的电容器的电容量；

C0为相同情况下真空电容器的电容量；

A为电极极板面积；

d为电极间距离；

ε0为真空介电常数，等于8.85×

10-12F/m。

另外一个表征材料的介电性能的重要参数是介电损耗，一般用损耗角的正切（tanδ）表示。

它是指材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应

而引起的能量损耗。

材料的介电常数和介电损耗取决于材料结构和极化机理。

除此之外，还与工作频率、环境温度、湿度有关。

在交变电场作用下，材料的介电常数常用复介电常数表达：

（2）式中和都是与频率相关的量，二者的比值为

tanδ

（3）

则介质电导率

（4）式中为交变电压的角频率。

仅与介质有关，称为介质损耗因子，其大小可以作为绝缘材料的判据。

此外，还有一个表征介电材料耐压性能的物理量――介电强度。

当外加电场强度逐渐增大，超过电介质材料所能承受的临界值时，电介质材料从介电状态向导电状态转变，这一临界电场强度即为介电强度。

2.磁导率（MagneticPermeability）

任何介质处于磁场中，均会使其所在空间的磁场发生变化，这种现象称为磁化。

在磁场强度为H0的外加磁场中，介质被磁化后会反过来影响所在的磁场，使其发生变化，即产生一个附加磁场H′，此时介质所处磁场的总磁场强度H总

为

（5）

单位为安/米（A/m）。

无外加磁场时，材料中原子固有磁矩的矢量总和为零，宏观上不呈现磁性。

外加磁场时，物质被磁化，但是不改变其固有磁矩大小，只改变其取向。

因此物质的磁化程度可以用单位体积的磁矩大小来表示，即磁化强度M，其单位为A

/m

（6）式中表示体积为V磁介质中磁矩矢量和。

M即上述的附加磁场，它与磁场

强度的关系为

（7）

式中χ为单位体积的磁化率，量纲为1。

通过垂直磁场方向单位面积的磁力线束称为磁感应强度，用B表示，其单位为T（特斯拉），它与磁场强度H

的关系为

（8）

式中=4π×

10-7，单位为H/m（亨/米），称为真空磁导率。

将式（7）代入式（5）

代入可得：

（9）式中为相对磁导率；

μ为物质磁导率，它反映磁感应强度B随外磁场强度H变化的速率。

通常使用的是磁介质的相对磁导率，其定义为物质磁导率μ与真空磁导率

的比值，即：

（10）

类似的，在交变磁场中，相对磁导率是一个复数，即

（11）

表示在磁场作用下产生的磁化程度，反映材料对电磁波能量的存储能力；

表示外加磁场作用下材料磁偶矩重排引起的损耗，反映材料对电磁波产生损耗的能力。

磁性损耗介质对电磁波的衰减能力通常用损耗正切

值越大，衰减能力越强。

3.阻抗分析仪测量介电常数和磁导率的原理

本实验中使用的仪器是AgilentTechnologies公司的生产的E4991A型射频阻抗分析仪。

它采用射频电流-电压（RF-IV）测量技术，依据被测件终端电流和电压来直接测量1MHz～3GHz频率范围内的阻抗。

通过测定的高精度的阻抗值，自动计算试样的介电常数或磁导率，可直接在显示器上读取结果。

测量介电常数时需将E4991A与夹具__A配套使用，测量磁导率时需将E4991A与夹具__A配套使用。

来表示，其

三.实验仪器及试样制备

1.实验仪器

仪器：

Agilent4991A射频阻抗分析仪、__A夹具、__A夹具，见图1。

规格：

内置等效电路分析能对被测件的多元件模型进行计算，在扫描频率范围1MHz-3GHz内方便的获取测试数据，彩色LCD/CRT可以同时显示多组测量曲线；

先进的校正和补偿方法降低了测量误差。

测量频率范围：

1MHz～3GHz，分辨率：

1mHz；

震荡器水平：

40dBm～1dBm，分辨率：

0.1dBm；

输出阻抗：

50；

直流偏压：

0～±

40V，分辨率：

1mV；

直流偏流：

100μA～50mA,C100μA～C50mA，分辨率：

0.01mA

。

图1Agilent4991A射频阻抗分析仪

2.试样制备

①环状试样：

外环直径φ外≤20.0mm，内环直径φ内≥3.1mm，厚度h≤8.5mm；

②圆柱或块状试样：

最大外径φ大≥15mm，0.3mm≤厚度h≤3mm。

四.实验步骤

1.测试前准备：

连接主机各种组件，包括电源线，键盘，鼠标，测试端头等，然后开机，预热0.5h以上。

2.选择测试模式：

①E4991A状态初始化：

“system”→“preset”

②设置测量模式：

“Utility”→“Utility”→“MaterialOptionMenu”→“MaterialType”→“选择测试参数：

Permittivity（介电常数）/Permeability（磁导率）”

3.设置测试条件：

①设置显示方式：

“Display”→“Display”→“NumofTraces：

3Scalar”②设置测试参数：

“Meas/Format”→“Meas/Format”→“MeasParameter”→“Format:

LinY-Axis”

③设置扫描参数：

“Stimulus”→“SweepSetup/Parameter”→设置扫描点数（201）及方式（Log）

④设置振荡水平：

“Stimulus”→“Source”→“OscUnit”选择电流（磁导率）或电压（介电常数）

⑤设置扫描幅度：

“Stimulus”→“Start/Stop”→“Start”或“Stop”设置相应的频率范围

4.校正测试端头（7mm端）：

①校正准备：

“Stimulus”→“Cal/Comp”→“CalMeun[Uncal]”→“CalType：

FixedFreqPwr”

②开路校正：

“连接0S到7mm端”→“MeasOpen”→“√MeasOpen”→“逆时针卸载0S”

③短路校正：

“连接0Ω到7mm端”→“MeasShort”→“√MeasShort”→“逆时针卸载0Ω”

④负载校正：

“连接50Ω到7mm端”→“MeasLoad”→“√MeasLoadt”→“逆时针卸载50Ω”

⑤低损耗电容校正：

“连接‘低损耗电容’到7mm端”→“MeasLowLossC”示为CalFix，校正完毕。

5.补偿测试夹具：

__A的补偿：

①将__A连接到7mm端，输入标准负载厚度0.78mm：

“Stimulus”→“Cal/Comp”→“CalKitMeun”→“Thickness”

②选择夹具模式：

“Stimulus”→“Cal/Comp”→“FixtureType”→“__A”③选择校正的测试点类型：

“CalMeun[Uncal]”→“CalType:

FixedFreqPwr”④短路校正：

调节释放/提升按钮，使夹具上下电极接触，MeasShort”→“√MeasShort”

⑤开路校正：

调节释放/提升按钮，使夹具上下电极分开，MeasOpen”→“√MeasOpent”

⑥负载校正：

将标准负载置于上下电极之间，“MeasLoad”→“√MeasLoad”→“Done”确认→屏幕底端状态栏中Uncal变为CalFix，校正完毕。

①将__A/__A连接到7mm端

“Stimulus”→“Cal/Comp”→“FixtureType”→选择“__S或__L”

③补偿：

“Stimulus”→“Cal/Comp”→“CompMeun”→将样品托置于测量夹具上→MeasOpen”→“√MeasOpent”；

“MeasShort”→“√MeasShort”；

“MeasLoad”→“√MeasLoad”→“Done”→确认屏幕底端状态中Uncal变为CalFix，补偿完毕。

6.测试与保存：

①测试准备：

“Utility”→“Utility”→“MaterialOptionMenu”→“输

入样品实际尺寸”

②测试：

安装试验试样，然后“Scale”→“Autoscaleall”，开始自动测试。

③保存数据：

“Save/Recall”→“SaveData”→“AscⅡ”→“Filename”→“OK”→“√MeasL-L”→“逆时针卸载低损耗电容”→“Done”→屏幕底端状态Uncal显

④关机：

“开始菜单”→“Shutdown”→关机并卸载测试夹具及测试端头等。

六.实验内容和要求

1.教师现场介绍射频阻抗分析仪的原理及构造、演示操作过程及数据分析。

2.学生分组练习设备的操作，并记录分析实验试样的介电常数和磁导率。

3.将实验结果和分析及以下思考题的答案写在实验报告上。

七.思考题

1.影响介电常数和磁导率的因素有哪些？

2.测试过程中需注意哪些事项？