基于UC372425的功率MOSFET驱动电路的设计和研究Word文档下载推荐.docx
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个零电流检测比较器等构成。
工 作时,由外接电容c及电阻R和 ,
单稳态触发器设置工作频率。
低
功率及功率传动方面得到广泛应
低压锁存功能
用。
而一个驱动电路的好坏直接影 响功率变换器的工作可靠性和电气
能通过变压器传递直流信号 载波频率可达60H 0kz
压锁存电路在输入低于9时禁止 伏
输出,这确保在启动和断电时工 ..性能。
本文介绍的u32/c75212工作原理 c74u32 U32为8C74脚双列直插式封装 作正常。
当两个图腾柱输出驱动 是美国BIRD公司新近生产的一 NTOE形式,其内部原理框图如图1所 器一路输出为高电平,另一路输 种功率MSEOFT专用驱动芯片。
该 出为低电平时,电源电压加在脉 示。
芯片组通过脉冲变压器和少量的外 它主要由带低压锁存的偏压发 冲变压器原边,能量传递至副 围元件,可实现简单高效的带有电 气隔离的MSEOFT驱动电路。
该集 成驱动电路和分立元件构成的驱动vcc
电路相比具有以下特点:
①开关延 时短,开关速度快,驱动电流大②
l Iffr l
电路集成度高,电路外围器件少③ t_ j t_I 量 i ;
《l 龟 ;
l●l l无需#J离的驱动电源,高性 l-m隔
Ll 重 f
,零t 、 f哇 ,!
I
能、高压绝缘、工作可靠。
④具
有低压锁存,驱动电压箝位和过流 保护功能。
⑤可工作在任意占空比 …
下。
因此,它是目前较理想的一种 隔离驱动电路。
c
2U32/C75介 C74U32简
21C74主要特点和工作原理 . U32211主要特点 ..
24集成电路应用20年1月020
PIH
图1UC74内部原理框图 G 32加 GdPfnw
边,原边电流为负羹咱溯
l
磁化电流之和。
当单稳脉冲结束,
两脚的高频调制波整流,作为 即转入变压器的复位时间。
一反极 U32芯片电源VcMSE C75c和OFT性的二分之一电源电压加在变压器 驱动所需的功率。
若该电源电 的原边,此时无负载电流,原边仅 有磁化电流。
因此,变压器磁化电 流的下降速度为上升速度的一半, 压低于1V低压锁存电路封锁 2,输出,从而保证MSE驱动有 OFT
足够的电平,并且输出1V位 5钳
需要2的单稳脉宽时间来使铁芯 倍复位。
当输入信号电平转换时,原
电平。
U32C75的输入信号由差
圈4
芯片组U7432C32/75构成的驱动电路
分滞环比较器解调,即从载波信号 1先的振荡周期终止,开始新的振荡 中分离 出控制信息,作为功率 3.驱动信号的调制和解调 U32C74为隔离驱动传递器, 周期。
只有当零电流检测比较器睑 MSEf极提供浮动的驱动信号参 OFT ̄用来产生高频载波信号,根据 测到磁化电流降为零,才会触发单 考。
由于整流桥的压降为2 u,脉 C74的7脚输入的TL电平高低 T稳触发器,开始另一个振荡周剃。
冲变压器的副边电压为Vc2 U32 c+U。
不同,该芯片的4脚和6脚可生成 因此,变压器铁芯不可能饱和。
比较器的滞环设为2e。
当副边电 Vt不同的载波信号。
载波周期由一个
22U32的主要特点和工 . C75
作原理
221主要特点 ..通过隔离层接收能量和信号
压低于一cVc时,MSE关断;
高 OFT于Vc时,MSEcOFT导通,如图3
所示。
单稳脉冲宽度和变压器铁芯的复位 时间决定。
单稳脉冲宽度Tw占载 p
波周期的13/,可由定时电阻艮和 电容C决定即TwO5 C+5n p=.1 10s
——
3C74U32的典型应用 U32/C75
+Vc c
~1V的高电平驱动 95
低压锁存 可预置过流关断和自启动
()1,载波周期为:
T3p=Tw一 ()2。
最小的开关周期为单稳脉
OV
宽的4倍以保证铁芯复位,从而限
.
输出使能功能
Vc c
制了最大载波频率为60l,最高 01zd
222工作原理 ..U32为8C75脚双列直插式封装
形式,其内部原理框图如图2所 示。
它内部主要由肖特基整流桥、
。
u
-—]
图3U32输入输出波形 C75
开关频率为40t。
提高载波频率 51zd
可以减小变压器的体积和重量。
尽
管载波频率的高低限制了最大开关 频率,但对输出的时滞影响不大。
图4为芯片组U32/C75 U32为隔离驱动器,用于对驱动 C74U32,C75
内部参考、低压锁存、差分滞环比
信号的解调和功率放大作用。
它通
过对隔离变压器传来的调制信号进
行整流,C滤波,不仅为U32 经2C75
自身提供能量,而且能提供驱动 MSE所需尖峰电流,输出驱动能 OFT提供大约2A的峰值电流。
R为阻尼 电阻,用来减小变压器振荡,防止
U32内部滞环比较器误触发。
另 C75
外驱动电源并联的旁路电容C,不 n
仅能滤除输出端高频脉冲干扰,也
能给负载提供瞬时电流,加快
|SENSE 1hni= lg
MSEOFT的开关速度。
图2U32 C75内部原理框图
32过流保护 .
为使功率管可靠工作,驱动电
较器、大电流图腾柱驱动器,电流 检测比较器和输入使能等构成。
工
作时,肖特基整流桥同时将7 、8
脉冲变压器和一些无源器件构成的 单电源集成驱动电路。
其工作原理
如下:
集成电路应甩2璺争 ,口2z,oq 25
I I
蠡
i 蠢 n
MSE。
关断时间tf由R、C OFT0fⅢ。
决定,tf.8 fCf() 。
f2Rf×
fS。
i00
形铁氧体磁芯,S=0.1 , CI 2ll
将表1关参数代入()()相3和4式计
A= 0n/ L10HN。
根据实际值计 6算,N1.,N1=24取=3匝。
△B0=. 04 T,说明选择满足要求。
7
算可得Q=A×
04usO4C 一1. =.n,
PTV=0.4nC×
12V×
iOOkHz0.
它可以保证在连续的故障负载状态
4w8。
忽略变压器和线路损耗。
则 P>P+’所以U32传递的功 inP C74
率满足MSEOFT所需的驱动功率要
5实验结果
为了检验该驱动电路的性 能,本文按照上述设计的电路
盯和参数对驱动电路进行了测试,
求。
由此可知本文设计的驱动电 路及相关参数的选择正确、可
行。
从波形图和表i也可以看出,
表1
并应用于MSEOFT构成的半桥驱 动电路中。
驱动指标:
2 mW 0 0下,MSEOFT结温在允许范围内。
R 和C 组成的滤波器用于滤除电 路在开启时由寄生电容充电引起的 平均驱动功率;
i0HZ开关频 k 0率;
i 的电气隔离;
电源电压 VK为iV;
驱动正电压为i 5 V。
本 2
t tl。
I IO t il ti
04s.s.s07 . 06 7 .uluulul4h0
电流尖峰,以避免误保护。
4驱动电路的主要参数选择 和计算
选择时应保证:
载波频率足
输入为具有TL电平的脉冲波形,T 实验中取栅极电阻Rg为i 0Q,被 输出为能满足MSEOFT工作的具有 驱动的功率管采用N沟道增强型功 正电压1V满足驱动功率要求的 2且率MSEOFT模块IF4N0XN85。
定义 驱动波形。
t开通延迟时间,对应u开始上 升到1%的u0 t开通上升时间,
;
tⅢ
gs
6结束语
本文利用集成芯片组U37/C24 3275设计的功率MSEOFT驱动电
够大,以减小脉冲变压器的体 积;
单稳脉宽设计为i3载波频 /率;
开关频率为iOH;
电源电 Okz
压为1 V。
5()1选取60H0kz载波频率,
对应1%的u0 到9%的U0
关断延迟时间,对应u开始下降
到9%的u0
t 关断下降时间,
路,克服了隔离脉冲变压器去磁时 间的影响,可工作在任意占空比 下,且不受固有隔离电压的限制, 实用性强。
电路采用无源驱动形 式,所用元件少,电路结构简单, 成本低,易实现。
该驱动电路也可 应用于其他功率MSE器件构成的 OFT变流系统或IBGT功率变换器中。
对应9%的u0 到1%的Usi为 0g :
驱动峰值电流。
驱动电路的实验
波形和波形的相关参数如图6和表
则单稳脉宽Tw13×
5056sp=/0=5n
(2)选取 R=K,由()可 输Vi 21式入5d/ 计算C=(5—5) T5610/
’ 原】电胤5m/V丑0Ad1
0.51×
2=0P 39F
()3选取3m0A磁 V—2/v B0d A Vi
参考文献:
[]onA0Cnr“nqe1Jh .’on,Uiu
Chi Prpai Siplfissatdmie Iole HighSideSwitchDri ve” .
化峰值电流,由d/输0d 出2/vivi
dtVAB/L( =(—V)A/
S),则变压器原边 电感为Lr=(5一v×
56s pi1v2)5n/
3m=4 。
其中20A21uHV为U32 C74
i如不。
UTRDEORORNIO CPATIN,19 O99.
输出级的饱和压降。
(4)选取电感因数
AL20n/ =00HN。
N =20n=1匝 00H12 41uH/
U32传递的功率P=1v2) C74(5一v×
50m0A=6w.5
[]2丁道宏.电力电子技术.航空工业 出版社,19 92
U32C75消耗的最大功率为p=2 o1V
×
1IA09w6n=.12
[]3梁
晖.单实用的功率MSE 简OFT
驱动电路.电力电子技术,i9,95
()94:
0~9 2
()取B00T5选=.5,铁心有效
截面积SiV×
56s(i×
0=35n/1.
0T:
.3c 5)0iim。
驱动功率管VT所需的电荷Q一 ×
t
()3
驱动功率管所需功率
…一
f -
()6选用RK 12B2×
6×
4 叼:
26集成电路应用20年1月020
()其中f为开关频率。
4,
1本文由sdtaxyd贡献
22U32