教你看懂内存编码Word格式文档下载.docx

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1日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA或0B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。

市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，HITACHI的SDRAI芯片上的标识为以下格式：

HM52XXXX5XXTT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM如为51则为EDODRAM第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到F了。

第6个X如果是字母L就是低功耗。

空白则为普通。

TT为TSOII封装。

最后XX代表速度：

75：

133MHz80：

8ns125MHzA60:

10nsPC-100CL2或3B60：

10nsPC-100CL3例如：

HM5264805F-B60是64Mbit,8位输出，100MHZ寸CL是3。

NEC的SDRAMS片上的标识通常为以下格式：

卩PD4）XXXXXG5-AXXX-XXX卩PD4代表是NEC的产品。

5代表是SDRAM第1、2个X代表容量。

第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。

当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。

由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。

第4或5个X代表Bank。

3或4代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank；

2代表2个Bank。

第5个X,如为1代表LVTTL如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL3代表4个Bank和LVTTL。

G5为TSOPII封装。

-A后的XX是代表速度：

80：

8ns125MHz10：

10nsPC100CL310B:

10ns较10慢，Tac为7,不完全符合PC100规范。

12：

12ns70:

PC13375:

PC133速度后的X如果是字母L就是低功耗，空白则为普通。

-XXX第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7,规律不详。

其后的XX的JF、JH、NF等。

估计与封装外型有关：

NF对应：

44-pinTSOP-ll；

JF对应54-pinTSOPII；

JH对应86-pinTSOP-II。

例如：

卩PD4564841GA80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZF，在100MHZ寸CL可设为2。

东芝。

TOSHIBA勺芯片上的标识为以下格式：

TC59SXXXXXFTX-XXTC代表是东芝的产品。

59代表是SDRAI系列。

其后的S为普通SDRAMR为RambuSSDRAMW为DDRSDRAM第1、2个X代表容量。

64为64Mbit，M7为128Mbit。

第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第5个X估计是用来表示内核的版本。

目前常见的为B。

FT为TSOPII封装。

FT后如果有字母L就是低功耗，空白则为普通。

最后的XX是代表速度：

133MHz80：

10ns100MHzCL=3例如：

TC59S64O8BFTL-8064Mbit,8位，可正常工作在125MHz且为低功耗型号。

2.韩国产系列：

韩国现在的SECE星和HY（现代，它还将LGS合兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。

SamsungElectronics三星。

三星的SDRAMS片的标识为以下格式：

KM4XXSXXOXXXT-G/FXKM代表是三星的产品。

三星的SDRA产品KM后均为4,后面的S代表普通的SDRAM如为H,则为DDRSDRAMS前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。

方法是用S后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

0后的第一个X代表由几个Bank构成。

2为2个Bank,3为难个Bank。

0后的第2个X,代表interface，1为SSTL0为LVTTL0后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

T为TSOP寸装。

速度前的G和F的区别在自刷新时的电流，F需要的电流较G小,相当于一般的低功耗版。

G/F后的X代表速度：

7：

7ns143MHz8：

8ns125MHzH:

10nsPC100CL2或3L：

10nsPC100CL310：

10ns100MHz例如：

KM416S4031BT-GH是64Mbit16*4,16,4个Bank,在100MHZ时CL=2。

三星公布的标准PC133芯片：

Unbuffered型：

KMM3xxsxxxxBT/BTS/ATS-GARegistered型：

KMM390sxxxxBTI/ATI-GA现代现在国内常见的有HY57V65XXXXATC和HY57V651XXXXXATC现）代的HYPC100SDRAM勺编号应是ATC10或BTC没有A的或B的，就不是PC100内存。

经测试，发现HY编号为ATC10的SDRA上133MHZ寸相当困难。

而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz编号BTC的SDRA上133MHz很艮稳定。

66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。

现代的SDRAI芯片上的标识为以下格式：

HY5XXXXXXXXXXXXX-XXHY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM5D为DDRSDRAM第2个X代表工作电压，空白为5V,V为,U为。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

16：

16Mbits，4KRef。

64：

64Mbits，8KRef。

65：

64Mbits，4KRef。

128：

128Mbits，8KRef。

129：

128Mbits，4KRef。

256：

256Mbits，16KRef。

257：

256Mbits，8KRef。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。

是2的幕次关系。

第9个X一般为0,代表LVTTLLowVoltageTTL接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为L则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：

JC：

400milSOJTC：

400milTSOP-IITD：

13mmTSOP-IITG：

16mmTSOP-II最后几位为速度：

8ns125MHz10p：

10nsPC-100CL2或310s：

10nsPC-100CL310：

10ns100MHz12：

12ns83MHz15：

15ns66MHz例如：

常见的HY57V658010CTC-1QSHY是现代的芯片，57说明是SDRAM65是64Mhbit和4Krefreshcycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank,C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP召封装，10S代表CL=3的PC-100。

需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。

-8的性能要好于-7K和-7J。

LGSemiconLGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。

LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、&

其中10K是非PC100规格的，速度极慢。

7J和7K才是PC100的SDRAM7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs7J编号在1073222,LGs7K编号是1072222,两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。

而8才是真正的8nsPC100内存，但国内没有出现。

现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。

而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。

LGS的SDRAMS片上的标识为以下格式：

GM72VXXXXX1XXTXXGM代表为LGS的产品。

72代表SDRAM第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。

第3、4个X表示数据位宽，一般为4、816等，不补0。

第5个X代表Bank,2对应2个Bank,4对应4个Bank,和现代的不一样，属于直接对应。

第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到E了。

第7个X如果是字母L，就是低功耗，空白则为普通。

T为常见的TSORI封装，现在还有一种BLP封装出现，为T。

最后的XX自然是代表速度：

133MHz8：

8ns125MHz7K:

10nsPC-100CL2或37J：

10ns100MHz10K：

GM72V661641CT7这是64Mbit,16位输出，4个Bank,刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM3.欧美生产系列及其它：

在欧美内存厂商中Micron,IBM,SIEMEN西门子等都较有名气。

另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。

Micron的SDRA芯片上标识为以下格式:

MT48XXXXMXXAXTG-XXXMT代表是Micron的产品。

48代表是SDRAI系列。

其后的XX如为LC则为普通SDRAM16V为DDFSDRAMMricron的容量需要自己计算一下。

方法是将XXMXX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。

M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

AX代表WriteRecoveryTw门，如A2表示Twr=2clk。

TG为TSOPII封装。

LG为TGFP封装。

7ns143MHz75：

133MHz8X：

8ns125MHz其中X为AE字母越后性能越好。

按CL-TRCD-TRP勺表示方法AE分别为:

3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-210：

10ns100MHzCL3速度后如有L则为低耗。

PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。

IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260IBM的SDRAMS片上的标识为以下格式：

IBM03XXXXXXT3X-XXXIBM代表为IBM的产品。

IBM的SDRA产品均为03。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。

一般的封装形式为TSOP对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B,则为TSOJ封装。

第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。

第6个X为P为低功耗，C为普通。

第7个X表示内核的版本。

最后的XXX代表速度：

68：

147MHz75A:

133MHz260或222：

10nsPC100CL2或3360或322:

10nsPC100CL3在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：

135MHZ。

10：

10NS100MHz例如：

IBM0316809CT3D-1016Mbit，8位，不符合PC-100规范。

西门子芯片标识：

HYB39Sxxxx0xTx-xx前两个xx为容量,最后两位xx是速度：

6166MHz7143MHz133MHz8125MHz8B100MHzCL310100MHzPC66规格教你看懂内存编码！

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到F了。

8ns125MHzA60：

10nsPC-100CL2或3B60：

HM5264805F-B60是64Mbit，8位输出，100MHZ寸CL是3。

卩PD45XXXXXG5-AXXX-XXX卩PD4代表是NEC的产品。

第5个X,如为1代表LVTTL如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL。

10nsPC100CL310：

是2的幕次关系。

16mmTSOP-II最后几位为速度：

15ns66MHz例如：