模拟电子复习题全解Word下载.docx

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A、正向导通B、反向击穿C、反向截止

3、交流电通过整流电路后，所得到的输出电压是（A）。

A、脉动的直流电压B、稳定的直流电压C、交流电压

4、工作在放大区的某三极管，如果当IB从22μＡ增大到3２μＡ时，ＩC从2mA变为3mA，那么它的β值约为（C）。

A、83B、91C、100

5、共射放大电路的输出电压与输入电压的相位（B），共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位（A）。

A、相同B、相反C、相差450D、相差900

6、差动放大电路是为了（C）而设置的。

A、稳定放大倍数B、提高输入电阻C、克服温漂D、扩展频带

7、差动放大电路用恒流源代替Re是为了（C）。

A、提高差模电压放大倍数B、提高共模电压放大倍数C、提高共模抑制比

D、提高差模输入电阻

8、在功率放大电路中，（A）电路的导通角最大，（B）电路的效率最高。

A、甲类B、乙类C、甲乙类

9、测得放大电路中某晶体管的各极电压如图所示，据此可知该管是（D）

A、NPN型硅管B、NPN型锗管

C、PNP型硅管D、PNP型锗管

10、图示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压UZ=5V，流过稳压管的电流IZ为（B）

A、5mAB、10mAC、20mAD、40mA

11、欲提高放大器的输入电阻，应引入（A）

A、串联负反馈B、并联负反馈

C、电压负反馈D、电流负反馈

12、已知共射放大电路中，若输入电压为正弦信号时，当Q点偏高时将产生非线性失真，此时输出电压的波形将产生（B）

A、正半波削波B、负半波削波

C、双向削波D、削波

三、判断题（共10题，每题2分，共20分）

1、因为N型半导体的多数载流子是自由电子，所以它带负电。

（F）

2、流过桥式整流电路中的每只二极管的电流和负载电流相等。

3、直流通路就是仅有直流信号通过的电流通路。

（T）

4、既然是放大电路，所以电压放大倍数和电流放大倍数都大于1。

（F）

5、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。

6、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（T）

7、在不失真的前提下，静态工作点低的电路静态功耗小。

8、引入负反馈使放大电路放大倍数增大。

（F）

9、共集电极放大电路，由于AU≤1，故没有反馈。

10、为了稳定静态工作点和改善动态性能指标应引入直流负反馈。

四、综合题（共2题，，共30分）

（

1判断下列二极管和三极管的工作状态。

（10分）

截止、饱和、放大，二极管处于导通状态

2.（20分）放大电路如图所示。

已知：

Rb1=62K，Rb2=15K，Rs=10K，Rc=3K，Re=1K，RL=3K，C1=C2=10μ，Ce=220μ，VCC=+15V，β=80，VBE=0.7V。

1）.说明电路属于何种组态，

画出该电路的直流通路；

1）.共发射极放大电路（5分），直流通路见右图。

（5分

2）.计算该电路的静态工作点Q

2、（20分）

解：

（5分）

2）.Q点：

（4分）

（2分）

（1分）

一、填空题（共10题，每空2分，共40分）

1、整流二极管的整流作用是利用PN结的____________特性，稳压二极管的稳压作用是利用PN结的_____________特性。

2、单管共射放大电路产生饱和失真的原因是___________，产生截止失真的原因是___________。

3、差分放大电路中，两个输入端的信号大小相等、极性或相位相同的称为_________信号，而大小相等、极性相反的称为____________信号。

4、下图所示三极管的各极名称：

a是_____________，b是___________，c是___________。

1、

5、引用负反馈的放大电路，开环增益A，闭环增益Af与反馈系数F三者的关系是____________，其中_________称为反馈深度，深度负反馈的条件是_____________。

6、如图所示复合管是________型________管。

7、放大电路中引人电压串联负反馈后，放大电路的闭环输入电阻将变_____________，输出电阻将变_______________。

8、串联型稳压电路由__________，__________，____________，___________四部分组成。

二、选择题（共7题，每空2分，共20分）

1、为了增大输出电阻，应在放大电路入；

为了展宽频带，应在放大电路入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈

2、在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800（B）φA=+1800，φF=+1800（C）φA=00，φF=00

3、集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法

4、两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β

5、在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；

既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路

6、当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。

（A）>

（B）<

（C）=（D）≤

7、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等

一、判断下列说法是否正确，用“×

”或“√”表示判断结果。

1、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（）

2、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

3、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

4、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

5、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

6、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

7、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

8、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

9、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

10、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（）

四、综合题（共题，，共20分）

1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

（12分）

2、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。

试问：

Rb＝50kΩ时，uO＝？

（8分）

一、填空题（每空1分）

1、单向导电，反向击穿。

2、静态工作点过高，静态工作点过低（或静态ICQ过大，静态ICQ过小）。

3、共模，差模。

4、集电极，发射极，基极。

5、Af=A/（1+AF），1+AF，1+AF》1。

6、PNP，同型复合。

7、大，小。

8、取样电路，调整管，比较放大电路，基准电压。

（1）A、D

（2）C（3）B（4）B（5）B、C

（6）B、B（7）A

（1）×

（2）√（3）×

（4）√（5）√

（6）√（7）√（8）×

（9）×

（10）×

四、综合题（共2题，共20分）

1解：

UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，

UO6≈－2V。

（每个答案2分）

2解：

（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为

μA（4分）

4分

所以输出电压UO＝UCE＝2V。

一、填空题（共7题，每空2分，共40分）

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

2、N型半导体的多子是，少子是。

。

4、晶体三极管放大电路的组态有、、和。

5、集成运放的两个输入端分别为和，当集成运放处于线性状态时，可运用和概念。

6、整流的主要目的是，主要是利用管的特性来实现。

滤波主要是利用储能元件或组成的电路来实现。

7、串联型稳压电路由、、和

.

1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止

2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。

A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）

3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。

A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小

4、差分放大电路是为了（）而设置的。

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移

5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。

A、压串负B、流串负C、压并负

6、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。

A、1B、2C、3

（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（）

（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

1、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。

试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

2、电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。

一填空题（每空2分共40分）

1、掺杂浓度，温度。

2、电子，空穴。

3发射结正偏，集电结反偏。

4、共射放大电路、共集放大电路、共基放大电路。

5、同相输入端、反相输入端、虚短、虚断。

6、将交流变换为直流，二极管单向导电。

电容、电感。

7、取样网络、基准电压、比较放大器、调整管。

选择题1、BCF2、CD3、BE4、C5、A6B

（4）√（5）√（6）√（7）×

（8）√（9）×

（10）√

三、综合题（共2题，共20分）

1、解：

（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。

（2）当VBB＝1V时，因为（3分）

μA

（3分）

所以T处于放大状态。

（3）当VBB＝3V时，因为

μA

所以T处于饱和状态。

2、解：

（1）当开关Ｋ置A，在输入回路ＩB×

Ｒb+ＶBE=Vcc，可得ＩB=Vcc/Ｒb=0.3mA

假设工作在放大区，则ＩC=β×

ＩB=24mA，ＶCE=Vcc-ＩC×

Ｒe<

0.7V，故假设不成立，三级管工作在饱和区。

此时，ＶCE=ＶCES=0.3V，ＩC=Vcc/Ｒe=3mA

（2）当开关Ｋ置B，同样的方法可判断三级管工作在放大区，ＩC=β×

ＩB=1.92mA（3分）

（3）当开关Ｋ置C，三级管工作在截止状态，ＩC=0（3分）