单晶硅片的技术标准Word下载.docx
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延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕;
四角同心度:
单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕:
每1cm上可视线痕的条数超过5条
4分类
单晶硅片的等级有A级品和B级品,规格为:
125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。
5技术要求
外观
见附录表格中检验要求。
外形尺寸
方片TV为200±
20um,测试点为中心点;
方片TTV小于30um,测试点为边缘6mm处4点、中心1点;
硅片TTV以五点测量法为准,同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%;
相邻C段的垂直度:
90o±
;
其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求
规格
(mm)
尺寸(mm)
A(边长)
B(直径)
C(直线段长)
D(弧长投影)
Max.
Min.
125′125Ⅰ
125′125Ⅱ
156′156
注1:
A、B、C、D分别参见图1。
图1硅单晶片尺寸示意图
材料性质
导电类型:
序号
硅片类型
掺杂剂
1
N型
磷(Phosphorous)
2
P型
硼(Boron)
硅片电阻率:
见下表;
硅片少子寿命:
见下表(此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命);
晶向:
表面晶向<
100>
+/°
位错密度≤3000pcs/cm2;
氧碳含量:
氧含量≤20ppma,碳含量≤。
6检测环境、检测设备和检测方法
检测环境:
室温,有良好照明(光照度≥1000Lux)。
检测设备:
游标卡尺()、厚度测试仪/千分表()、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。
检测项目:
导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。
检测方案:
外观和尺寸进行全检,材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考,并提供每个批次硅片的检测报告。
检验结果的判定
检验项目的合格质量水平详见附录表A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
7包装、储存和运输要求
每包400枚,每箱6包共2400枚。
需提供明细装箱单,包装上要有晶体编号,清单和实物一一对应,每个小包装要有晶体编号,不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。
产品应储存在清洁、干燥的环境中:
温度:
10℃~40℃;
湿度:
≤60%;
避免酸碱腐蚀性气氛;
避免油污、灰尘颗粒气氛。
产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷,且采取防震、防潮措施。
检验项目
检验要求
检测工具
抽样计划验收标准
硅片等级
A级品
B级品
外
观
崩边/硅落
崩边硅落长宽≦*不穿透。
崩边长宽≦1mm*1mm不穿透。
硅落长宽厚≦**100um。
目测
粗糙度测试仪
日光灯
(≥1000Lux)
全
检
数量≤2
数量≤4
切割线痕
线痕深度≦15um,但无密集线痕。
线痕深度≦30um。
缺角/缺口
缺口长宽≦*。
无V型缺口、缺角
长宽≦1mm*,无可见有棱角的缺角,数量≤2。
毛边/亮点
长度≦10mm,深度不能延伸到硅片表面。
长不限,深度不能延伸到硅片表面。
表面清洁度
无油污,无残胶,无明显水迹。
轻微可清洗的污迹可放行。
如硅片之间的摩擦产生的印迹以及≦2个针尖状的无凹凸的印迹。
无成片的油污,残胶,水迹。
划伤
无肉眼可见有深度感的划伤。
日光灯下无明显深度感的划伤。
其他
无孪晶、slip、应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤。
无孪晶、slip、应力、裂纹、气孔及明显凹坑、划伤。
尺
寸
规格(㎜)
寸尺
电子卡尺
万能角规
切片前全检晶锭尺寸
边长(㎜)
直径(㎜)
其它尺寸(㎜)
垂直度(O)
Max
Min
具体见
上表1和图1
90±
TV
200±
20μm(中心点)
30μm
测厚仪/千分表
抽
TTV
≤30μm(中心1点和边缘6mm位置4点)
≤50μm
翘曲度
≤70μm
≤100μm
性
能
位错密度
≤3000/cm2
显微镜
截取晶锭头尾部2mm样片进行测试.。
退火后测电阻率。
钝化后测试少子寿命。
导电型号
N型/P型
型号仪
电阻率
Ω.cm—Ω.cm/Ω.cm—Ω.cm
电阻率测试仪
氧含量
≤20ppma
FTIR氧碳含量测试仪
碳含量
≤
少子寿命
≥100μs/≥15μs
寿命测试仪
多晶硅片技术标准
本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等
本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
ASTMF42-02半导体材料导电率类型的测试方法
边缘上下左右4点和中心点);
多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
多晶硅片的等级有A级品和B级品,规格为:
156mm′156mm。
相邻C段的垂直度:
。
其他尺寸要求见表1。
表1多晶硅片尺寸要求
B(对角线)
图1硅多晶片尺寸示意图
P型,掺杂剂:
B,硼(Boron);
掺硼多晶片:
电阻率为1Ω·
cm~3Ω·
cm;
多晶硅少子寿命≥2us;
氧含量≤12ppma,碳含量≤12ppma。
导电类型、氧碳含量、电阻率、少子寿命、外形尺寸。
外观和尺寸进行全检,材料的性能和性质以多晶铸锭头尾部参数为参考,并提供每个批次硅片的检测报告。
8.附录A《多晶硅片检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
注:
本《多晶硅片技术标准》中未明示事项或对产品检验标准存在异议,均以附件《太阳能级多晶硅片国家标准》为准。
外观可以见FTS限度样本。
硅片等级
硅落长宽厚≦**100um
长宽≦1mm*,无可见有棱角的缺角,数量≤2
如硅片之间的摩擦产生的印迹以及≦2个针尖状的无凹凸的印迹
无应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤,微晶数目≦10pcs/cm
无应力、裂纹、气孔及明显凹坑、划伤,微晶数目≦10pcs/cm
尺寸
全检晶锭尺寸
边长(mm)
直径(mm)
倒角差㎜
测厚仪/千分表
≤30μm(中心1点和边缘6mm4点)
≤100μm
型号测试仪
测试
晶锭头尾样片
≤12ppma
1Ω.cm—3Ω.cm
无接触电阻率测试仪
全检晶锭性能
≥2μs
扫描寿命测试仪