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完整版温度控制系统设计

温度控制系统设计

第一章系统方案论证3

1.1总体方案设计3

1.2温度传感系统3

1.3温度控制系统及系统电源4

1.4单片机处理系统(包括数字部分)及温控箱设计4

1.5PID算法原理5

第二章重要电路设计7

2.1温度采集7

2.2温度控制7

第三章软件流程8

3.1基本控制8

3.2PID控制9

3.3时间最优的PID控制流程图10

第四章系统功能及使用方法11

4.1温度控制系统的功能11

4.2温度控制系统的使用方法11

第五章系统测试及结果分析11

5.1硬件测试11

5.2软件调试12

第六章进一步讨论12

参考文献13

致谢错误!

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摘要:

本文介绍了以单片机为核心的温度控制器的设计,文章结合课题《温度控制系统》,从硬件和软件设计两方面做了较为详尽的阐述。

关键词:

温度控制系统PID控制单片机

Abstract:

Thispaperintroducesatemperaturecontrolsystemthatisbasedonthesingle-chipmicrocomputer.Thehardwarecompositionandsoftwaredesignaredescriedindetailcombinedwiththeproject

ComtrolSystemofTemperature.

Keywords:

ControlsystemoftemperaturePIDcontrol

Single-chipMicrocomputer

引言:

温度控制是工业生产过程中经常遇到的过程控制,有些工艺过程对其温度的控制效果直接影响着产品的质量,因而设计一种较为理想的温度控制系统是非常有价值的。

本文设计了以单片机为检测控制中心的温度控制系统。

温度控制采用改进的PID数字控制算法,显示采用LED静态显示。

该系统设计结构简单,按要求有以下功能:

(1)温度控制范围为20~40°C;

⑵有加热和制冷两种功能

(3)指标要求:

超调量小丁2C;过渡时间小丁5min;静差小丁0.5C;温控精度0.2C

(4)实时显示当前温度值,设定温度值,二者差值和控制量的值。

第一章系统方案论证

1.1总体方案设计

薄膜钳电阻将温度转换成电压,经温度采集电路放大、滤波后,送A/D转

换器采样、量化,量化后的数据送单片机做进一步处理;

当前温度数据和设定温度数据经PID算法得到温度控制数据;

控制数据经D/A转换器得到控制电压,经功率放大后供半导体致冷器加热或制冷,从而实现温度的闭环控制。

系统大致可以分为:

传感、单片机处理、控制及温控箱。

1.2温度传感系统

换能部分采用了电压电路,这主要考虑了电压信号不容易受干扰、容易与后续电路接口的优势;经过钳电阻特性分析,在要求的温度范围内钳电阻的线性较好,所以不必要增加非线性校正电路;采样电压再经过高精度电压放大电路和隔离电路之后输出;另外,由丁高精度的需要,电路对电源要求较高,所以采用稳压电源电路的输出电压,并且需要高精度运放。

因为温度变化并不是很快,所以电路对滤波器的要求并不高,这里采用了一

阶滤波即可满足要求。

1.3温度控制系统及系统电源

1.3.1温度控制系统

温度控制系统需要完成的功能为:

D/A转换器输出的电压控制信号,经过电压放大,再通过功率单元提高输出功率后,控制半导体制冷器件加热或制冷。

故此子系统可分为电压放大、功率输出两部分。

D/A转换器输出的电压控制信号经过电压放大、功率放大后,给两片半导体

制冷器件供电。

另外单片机还输出一个用来控制是加热还是制冷的控制信号。

功率放大电路采用LM33稳压芯片,可承受高输出电流,且Vout端输出电压与Vadj端的电压差保持不变的特点,可将控制信号利用运放方向放大后,输入至稳压芯片的Vadj端,输出信号的电压范围和功率放大至合适的大小。

具体设计为D/A输出的控制信号,经上述处理,在Vout端利用继电器,由单片机输出的加热制冷控制信号控制继电器的闭合方向,改变半导体器件的电流方向,从

而控制加热或制冷。

1.3.2系统电源

本设计需要供电的部分有温度采集部分须有基准电压+5V供电,单片机处理系统的数字电路部分需要+5V的电源,而实验室的5V电源会有纹波,故采用稳压芯片LM317自行设计,电路如图,调节可变电阻,即可得到所需的电压。

其中可变电阻R1是起到分压得作用,避免在LM317上的压降过大,否则LM317发热,会使电压不稳。

1.4单片机处理系统及温控箱设计

1.4.1单片机系统

单片机系统结构如下:

1模数部分将传感信号量化为8位二进制数,并将其送入最小系统板;

2控制层调用PID算法,计算出控制量,同时提供人机交互;

3数模部分将控制量转换为模拟电压,送入温度控制部分。

最小系统板与外部数字电路部分(包括A/D、D/A、外部中断源信号等)的

通信参照了微机原理与接口实验中的实验箱电路的连接方法。

调用PID算法的

中断采用的是内部定时器,可以简化外围电路。

1.4.2温控箱设计

我们用实验室提供的材料自己设计制作了温度控制箱体。

控温箱为正方体铝箱,在其中相对的两个内侧表面用导热硅胶粘贴了半导体致冷材料而成。

为提高

箱体绝热性能,在除了粘有半导体材料之外的其他内表面,都贴有保温塑料层,为加强密闭性,尽量减少控制箱腔内体积,乂要露出全部的半导体制冷片,我们采用的是“工字形”方案,即:

将填入铝箱的保温塑料层做成一个无接缝的整体,相对的半导体制冷片的两侧挖空,露出其全部面积,中间留有一个很小的腔体作为温度控制的空间(插入热敏电阻与标准表探头)。

我们采用将箱体放入冷水中的方法解决温控箱的散热问题。

1.5PID算法原理

1、基本PID算法

P(n)Kp[e(n)e(n1)]Kje(n)Kd[e(n)2e(n1)e(n2)]

其中e(t)VoV(t)

Vo和V(t)都是八位二进制数,用一个字节存储。

在上述公式中,存在差项,需要用补码来表示负数。

所以必须用最高位作为符号位,Vo和V(t)用8位

表示显然是不够的。

处理方法是在Vo和V(t)前面补一个值为零的字节,以两字节来表示,运算的最终结果结果取8位有效位。

基本的PID算法,需要整定的系数是Kp(比例系数),Ki(积分系数),Kd(微分系数)三个。

这三个参数对系统性能的影响如下:

(1)比例系数Kp

1对动态性能的影响比例系数Kp加大,使系统的动作灵敏,速度加快,Kp偏大,振荡次数加多,调节时间加长。

当Kp太大时,系统会趋丁不稳定,若Kp太小,乂会使系统的动作缓慢;

2对稳态性能的影响加大比例系数Kp,在系统稳定的情况下,可以减小静差,提高控制精度,但是加大Kp只是减少静差,不能完全消除。

(2)积分系数Ki

1对动态性能的影响积分系数Ki通常使系统的稳定性下降。

Ki太大,系统将不稳定;Ki偏大,振荡次数较多;Ki太小,对系统性能的影响减少;而当Ki合适时,过渡特性比较理想;

2对稳态性能的影响积分系数能消除系统的静差,提高控制系统的控制精度。

但是若Ki太小时,积分作用太弱,以致不能减小静差。

(3)微分系数Kd

微分控制可以改善动态特性,如超调量减少,调节时间缩短,允许加大比例控制,使静差减小,提高控制精度。

但当Kd偏大或偏小时,超调量较大,调节时间较长,只有合适的时候,才可以得到比较满意的过渡过程。

对系数实行“先比例,后积分,再微分”的整定步骤。

(1)首先只整定比例部分。

即将比例系数由小到大,并观察相应的系统响应,直到得到反应快,超调小的响应。

(2)加入积分环节。

整定时首先置积分系数Ki一个较小的值,并将第

(1)步中整定的比例系数略为缩小(例如缩小为原值的0.8倍),然后增大Ki,使在保持系统良好动态性能的情况下,静差得到消除。

在此过程中,可根据响应的好坏反复改变比例系数与积分系数。

(3)若使用比例积分调节器消除了静差,但动态过程经反复调整仍不能满意,则可加入微分环节。

在整定时,可先置微分系数为0,在第一步的基础上,增大Kd,同时相应地改变比例系数和积分时间。

2、时间最优的控制算法

采用上述PID控制算法存在一个问题:

当设定值比当前值高很多时,在相当一段时间内,控制增量都为正,而且在不断的积累增大;只有当温度上升到设定值以上时,控制增量才有可能变为负值;要用负的控制增量抵消以前积累的正控制量,需要的时间较长;这正是产生超调量的根本原因。

当设定值低丁当前值时情况类似。

为解决这个问题,采用了时间最优的控制算法。

时间最优的PID控制即开关控制(Bang-Bang控制)与PID控制相结合的控制方式。

其思想是:

开关控制即指在当前值与设定值偏差较大的情况下,控制系

统进入“开”或者“关”两种状态。

具体到本系统,就是指当前温度和设定温度差别很大时,要么全功率(最大电压输出)的加热,要么就全功率的制冷。

Bang-Bang^

|r(k)c(k)||e(k)|pi。

控制

当前值与设定值相差在阈值a以内时,采用PID算法计算输出控制量;当在a以外时,则直接输出最大值255作为控制量,不再调用PID算法,不做控制量的累加。

这样处理可以在很大程度上改善控制性能。

第二章重要电路设计

2.1温度采集

图2—1温度采集电路

PARAMETERS:

用电桥采集温敏电阻值的变化,考虑到是小信号的放大,所以选择仪表放大电路,并且选择

高精度,低温漂的OP07运算放大器。

电阻R29为薄膜钳电阻,与R28在电桥的两个臂上,将钳电阻的电阻转换为电压信号U3的放大倍数定为33倍,U4的作用是调节放大倍数,使输出电压为Q~5V调节过程:

1、把伯电阻定在18度的阻值1Q6.6欧姆,调节R23,使输出为0。

2、把伯电阻定在40度的阻值114.8欧姆,调节R30,使输出为5V

3、采用一阶滤波,目的是滤出高频得噪声干扰,所以f0定在几十HZ。

2.2温度控制

1.电压变换:

电路图见图2-2

图2—2电压变换电路

说明:

这部分电路先将D/A输出的电压控制信号control(-5〜0V)用一个运

control

+12V

放构成的反向放大器转移到电平0〜8V,然后通过小功率稳压芯片LM385降压2.5V。

这是因为经稳压芯片LM385,电压至少会提高2.5V(Vout—Vadj=1.25V再经过扩展)。

在调试过程中,调节R3的阻值,便可调整反向放大器的增益,从而调整输出电压的范围。

2.控制电路:

具体电路包括由两片LM338构成的功率放大,以及由继电器构成的输出电流方向控制两部分,如图2—3所示。

电路说明:

(1)单片机的申口P1.2的输出经过继电器的驱动芯片ULN2003A,控制四刀继电器(Relay)都与上端或下端接通,从而改变输入半导体制冷器件的电流方向。

(2)控制电压信号经放大分压后输入LM338的Vadj端,R7和R8可用来调整零点。

(3)由丁LM338的Vin和Vout端至少需要3V的压降,而半导体制冷器

件最多承受8V的电压,故两路输入电源输入采用+12V的大功率电源。

图2—3功率输出电路

U1

1

2

—3

—4

二—5

—6

~7□

9

ULN2003A

U2

LM338

VINVOUT

D

A

16

第三章软件流程

3.1基本控制

一、中断:

1、

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