共源共栅放大器Word文件下载.docx

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M1产生正比于Vin的小信号漏电流而M2电流流过RD，M1为输入器件，M2为级联器件，且M1与M2具有相同的电流。

偏置条件：

M1和M2均工作在饱和区即Vb≥Vin+VGS2-VTH1；

Vout≥Vin-VTH1+VGS2-VTH2

1.共源共栅——大信号特性分析：

　　　　　输入—输出特性曲线

1.1大信号特性：

　　Vin≤VTH1，M1，M2处于截止状态，Vout=VDD,且VX≈Vb-VTH2（忽略亚阈值导通）；

当Vin≥VTH1，M1产生电流，Vout则降低，VGS2上升而VX下降。

　　Vin>

VTH1，开始出现电流，Vout下降，VX下降，到一定值时M1或M2进入线性区，增益（Vout曲线的斜率）减小。

1.2输出摆幅：

M1工作在饱和区：

　　VA=Vb-VGS2≥Vov1=Vin-Vt1Vb≥Vin+VGS2-Vt1

M2工作在饱和区：

Vout≥Vb-Vt2≥Vin+VGS2-Vt1-Vt2=Vov1+Vov2

为了使M4工作在饱和区：

Vout<

VDD-|VGS4-VTH4|

所以输出摆幅为：

Von1+Von2<

2.共源共栅级______小信号特性

2.1增益:

当两个晶体管工作在饱和区时；

假设两个管子的λ均等于0，由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅级电路，所以AV=Vout/Vin=-gm1V1RD/Vin，而V1=Vin，所以AV=-gm1RD。

　　当忽略沟道长度调制效应时，共源共栅级放大器的电压增益与共源级放大器的电压增益相同。

2.2输出阻抗：

　可将电路看成带有负反馈电阻ro1的共源级，如下图所示：

　　上式表明串接了M2使M1的输出阻抗为原来（gm2+gmb2）ro2倍，即输出阻抗大大增大，这是共源共栅放大器的一个最大特点，对提高放大器小信号增益、提高电路源的恒流特性十分有利。

３．电流源负载的共源共栅级增益

　　由上式可知，电流源负载型共源共栅比电流源负载的共源级的增益增大了倍。

所以经常用共源共栅结构来提高增益。

４．增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较

提高增益的两种方法：

1、采用共源共栅增大增益；

2、在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益。

假设共源级的输入管的长度变为原来的四倍而宽度保持不变，

　　由上式可知：

L增大四倍的结果只是使gmro的值增大两倍。

缺点：

为了保证电流相等，在增大输入管的沟道长度时，必须增大输入管的过驱动电压。

所以其最小输出电压也提高，输出电压摆幅减小。

　　而采用共源共栅结构却使得输出阻抗大约增大gmro倍。

缺点是其输出电压的最小值为两个过驱动电压。

５．共源共栅级的屏蔽特性

　　Vout端有△Vout的电压跳变时，表现在X点的电压跳变

当共源共栅的输出节点电压改变ΔVX时，由于共源共栅结构具有高输出阻抗特性，因此只会引起ΔVX发生很小的变化，即输入器件的工作状态不受输出电压变化的影响，这就是所谓的共源共栅的屏蔽特性。

６．折叠式共源共栅

　　共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流信号加到共栅级的源端。

因此，构成共源共栅级时共源管和共栅管类型可以不同。

如左图所示，M1是输入器件，PMOS

　　　　M2是共源共栅器件，NMOS

　　　I1为直流偏置电流源

　　特点：

1.Vin和Vout的电平可以是相近的；

2.增益和输出阻抗的计算跟共源共栅放大器相同，略小一些。

７．折叠式共源共栅放大器大信号特性

假定Vin从电源电压下降：

①当Vin>

VDD-|VTH1|，那么M1截止，电流I1全部流过M2，即，

②当Vin<

VDD-|VTH1|，M1开启并处于饱和区，

随着Vin↓，ID1↑ID2↓，

③当ID1=I1时，ID2最终变为0，这时M1进入线性区。

８．共源共栅放大器频率特性分析

　　采用节点近似法分析：

共有三个节点，分别为A、X、Y

　　节点A：

密勒近似

节点X：

↖

节点Y：

　　在这三个极点中，其中一般不考虑，在设计电路时，选择在高频处。

因此：

是主极点，传输函数是单极点函数。

９．共源共栅放大器频率特性的仿真

１０．共源共栅级总结

优点

　　1.输出阻抗高

　　2.增益高，常用来提高增益

　　3.具有屏蔽特性

不足

1.输出电压摆幅因层叠的MOS管而有所损失，这在低电源电压运用中是致命的缺点

2.折叠式共源共栅级直流功耗大