MSP430Flash读写操作总结Word文档格式.docx
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从Flash中擦除的过程中所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。
擦除完成后需要一个假写入CPU才能复位。
从Flash擦除时有可能把后面CPU需要执行的代码擦除。
如果发生这样的情况，在擦除后CPU的执行状况将不可预测。
Flash中擦除流程图
从RAM中擦除
从RAM中擦除时CPU不会被挂起，可以继续执行代码。
必须检测BUSY位以判断擦除是否结束，如果在擦除的过程中（即BUSY=1时）访问Flash，这是一个违规的访问，ACCVIFG会置位，而擦除的结果也将不可预测。
RAM中擦除流程图
FlashWrite
MSP430X14X有两种写入模式，分为段写入（byte/wordwrite），和块写入（BlockWrite），块写入要快得多，但是操作麻烦，在擦除的过程中不能有一个Flashword（low+highbyte），则会发生损坏。
CPU不能在BUSY=1时访问Flash，否则ACCFIG将置位写入将不可预测。
1.Byte/Wordwrite
Byte/Word写入可以从Flash或者RAM初始化，当从Flash中初始化时，所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。
写完后CPU将继续执行后面的代码。
当从RAM中初始化时，BUSY必须在CPU访问Flash前置0.否则ACCFIG将被置位，写入的结果将不可预测。
在Byte/Word写模式下写入总时间不能超过4ms,如果超过了，当再想这块任何地址写入数据时必须先擦除。
Byte/Word写入流程图
从RAM中执行Byte/Word写入
块写入
块写入时没一小块不能超过t_cpt=4ms,块写入只能从RAM中进行，在块写入的过程中WAIT位要置0，当想Flash中写入数据时，需要先检查WAIT位是否为1.当前块写完后BLKWRT要清0.
流程图
在擦除或者写入的过程中访问Flash，见下表
Flash的寄存器
FCTL1，选择擦除和写入模式的寄存器
FRKEY/FWKEY高八位为密码读的密码为96h，写的密码为A5h。
BLKWRT块写入模式选择位，可以自动被EMEX置位
WRT字写入模式选择位，可任意自动被EMEX置位
MERASE和ERASE，擦除模式选择位
FCTL2时钟选择寄存器
FWKEYx密码位
FSSELx时钟选择位
FNx分频比分频值等于FN+1
两个例子
#include<
msp430x14x.h>
#include"
BoardConfig.h"
voidWrite_A（ucharvalue）;
voidCopy_A2B（void）;
voidmain（void）
{
//Stopwatchdogtimertopreventtimeoutreset
WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;
BoardConfig（0xb8）;
FCTL2=FWKEY+FSSEL0+FN0;
//Selectsource
ucharvalue=0;
for（;
;
）
Write_A（value++）;
//WritedatatosegmentA
Copy_A2B（）;
//CopydatafromsegmentAtosegmentB
_NOP（）;
}
voidWrite_A（ucharvalue）
uchari;
uchar*Flash_ptr;
Flash_ptr=（uchar*）0x1080;
FCTL1=FWKEY+ERASE;
//SetERASEmode
FCTL3=FWKEY;
//ClearLOCK
*Flash_ptr=0;
//Dummywrite
FCTL1=FWKEY+WRT;
for（i=0;
i<
128;
i++）
*Flash_ptr++=value;
//Writevalue
FCTL1=FWKEY;
//ClearWRT
FCTL3=FWKEY+LOCK;
//SetLOCK
//CopydatafromBtoA
voidCopy_A2B（void）
uchar*Flash_ptrA;
uchar*Flash_ptrB;
uinti;
Flash_ptrA=（uchar*）0X1080;
Flash_ptrB=（uchar*）0x1000;
*Flash_ptrB=0;
*Flash_ptrB++=*Flash_ptrA++;
再来个块写入的（TI例程）
//****************************************************************************
//MSP430F14xDemo-FlashIn-SystemProgramming,BlockWrite
//
//Description:
ThisprogramfirstcopiestheFlashWriteroutinetoRAM,then
//erasesflashsegA,thenitincrementsallvaluesinsegAusingthe64
//byteblockwritemode.
//AssumeddefaultMCLK=DCO~800kHz.
//MinimumRAMrequirement=512bytes
//**SetBreakpointonNOPintheMainlooptoavoidStressingFlash**
//MSP430F149
//-----------------
///|\|XIN|-
//|||
//--|RSTXOUT|-
//||
//H.Grewal/L.Westlund
//TexasInstrumentsInc.
//Jun2006
//BuiltwithIAREmbeddedWorkbenchVersion:
3.30A
//******************************************************************************
msp430x16x.h>
//Globalvariables
charvalue=0;
//8-bitvaluetowritetosegmentA
char*Flash_ptr;
//Flashpointer
char*RAM_ptr;
//RAMpointer
char*END_ptr;
//EndofFlashWriteroutine
//Functionprototypes
voidFlashWrite（）;
voidCopyRoutine（）;
voidEnd_of_FlashWrite（）;
voidmain（void）
//Stopwatchdogtimer
_DINT（）;
//DiableInterrupts
CopyRoutine（）;
//CopyFlashWriteroutinetoRAM
_EINT（）;
//EnableInterrupts
while
（1）//Repeatforever
Flash_ptr=（char*）0x1000;
//InitializeFlashpointer
FCTL2=FWKEY+FSSEL1+FN0;
//MCLK/2forFlashTimingGenerator
//SetErasebit
//ClearLockbit
//DummywritetoeraseFlashsegment
while（!
（FCTL3&
WAIT））;
//WAITuntilFlashisready
asm（"
CALL#300h"
）;
//ExecuteFlashWritefromRAM
//InlineAssembly
value++;
//Incrementvalue
//SETBREAKPOINTHERE
voidCopyRoutine（）
Flash_ptr=（char*）FlashWrite;
//SetpointertoFlashWriteroutine
RAM_ptr=（char*）0x0300;
//SetpointertoRAM
END_ptr=（char*）End_of_FlashWrite;
//SetpointertoEnd_of_FlashWrite
while（END_ptr!
=Flash_ptr）//CheckforendofFlashWrite
*RAM_ptr=*Flash_ptr;
//CopywordtoRAM
Flash_ptr++;
//IncrementFlashpointer
RAM_ptr++;
//IncrementRAMpointer
voidFlashWrite（）
volatileinti;
//Useaswritecounter
Flash_ptr=（char*）0x1000;
while（FCTL3&
BUSY）;
//CheckFlashBUSYbit
FCTL1=FWKEY+BLKWRT+WRT;
//Enableblock-writeoperation
i<
64;
i++）
*Flash_ptr=value;
//Writevaluetoflash
//Double-incrementFlashpointer
//ClearBLKWRT&
WRTbits
//ResetLOCKbit
return;
//Exitsroutine
voidEnd_of_FlashWrite（）{}//MarksendofFlashWrite
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