全国各大高校线性电子线路习题集标准答案文档格式.docx
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19.在多级放大电路中,放大倍数等于______________,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻则也可视为后级的。
20.工作在线性区的理想运放器,两个输入端的输入电流均为零称为虚___。
两个输入端的电位相等称为虚_____。
21.差分放大电路的差模信号是两个输入信号的,共模信号是两个输入信号的。
22.在输入量不变的情况下,若引入反馈后净输入量,则说明引入的反馈是负反馈。
23.如图所示电路中,设二极管导通时正向电压为0.7V,则二极管处于__________状态,电流ID=__________。
24.1PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。
25.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由________产生的。
26.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
27.已知某晶体三极管的fT和β,则fβ=________。
28.放大电路静态工作点设置过高,则输出电压波形容易出现失真。
29.已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时,输出电压为1V;
30.在输入量不变的情况下,若引入反馈后净输入量,则说明引入的反馈是负反馈。
31.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
32.若引入反馈使放大器的增益________,这样的反馈称为负反馈。
33.放大电路中,为稳定静态工作点,应引入________反馈。
34.在半导体中是依靠_________________和_________________两种载流子导电的。
35.PN结正偏(P接正,N接负),内电场_________________,空间电荷区变窄,_________________运动加强,PN结导通,呈现的电阻小。
36.为保证三极管工作在放大状态,应使其发射结_____________,集电结______________。
37.当某三极管VBE=-0.7V,VCE=-0.3V,则该管工作在__________区,是_________型三极管。
38.差分放大器的基本特点是放大、抑制。
39.集成运放主要包括输入级、、和偏置电路。
40.共集电极放大电路具有输入电阻_________________输出电阻_________________的特点。
41.差分放大电路的差模信号是两个输入信号的,共模信号是两个输入信号的。
42.反馈量来自放大电路的输出电流,而又以电压信号的形式迭加到放大电路的输入端,称此种类型的负反馈是_________________负反馈。
这种反馈可以使放大电路的输出电阻_________________。
43.要使放大电路减小输出阻抗,应引入_________________负反馈,若要增加输入阻抗应引入_________________负反馈。
44.在输入量不变的情况下,若引入反馈后净输入量,则说明引入的反馈是负反馈。
45.如图所示两级放大电路,其中级间采用耦合方式,T1接成组态,T2接成组态,R1和R2的作用是。
46.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
47.若引入反馈使放大器的增益________,这样的反馈称为负反馈。
48.放大电路中,为稳定静态工作点,应引入________反馈。
49.理想运放工作在线性区域的两个重要特性是、_____________。
50.已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时,输出电压为1V;
51.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
52.在半导体中是依靠_________________和_________________两种载流子导电的。
53.PN结正偏(P接正,N接负),内电场_________________,空间电荷区变窄,_________________运动加强,PN结导通,呈现的电阻小。
54.为保证三极管工作在放大状态,应使其发射结_____________,集电结______________。
55.当某三极管VBE=-0.7V,VCE=-0.3V,则该管工作在__________区,是_________型三极管。
56.场效应管属于型器件,而双极型半导体三极管则是_________________型器件。
57.在UGS=0时,ID=0,为_________________型场效应管,在UGS=0时,ID≠0,为_________________型场效应管。
58.共集电极放大电路具有输入电阻_________________输出电阻_________________的特点。
59.N沟道JFET组成放大电路时,必须保证PN结_________________偏置,而且漏源电压VDS必须是_________________条件,才能使JFET工作在饱和区。
60.反馈量来自放大电路的输出电流,而又以电压信号的形式迭加到放大电路的输入端,称此种类型的负反馈是_________________负反馈。
61.要使放大电路减小输出阻抗,应引入_________________负反馈,若要增加输入阻抗应引入_________________负反馈。
62.温度升高时,晶体二极管的Is将______,VD(on)将______。
63.NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中______极电位最高,______极电位最低。
64.晶体三极管工作在饱和区的条件是发射结______,集电结______。
65.三种晶体管基本组态放大电路中,______组态输入电阻最高,______组态输入电阻最低。
66.电流源电路的主要参数是______和______。
67.在输入端,将输入端短接后,如果反馈信号加不到放大器输入端,则为______反馈,否则为______反馈。
68.负反馈放大电路自激的幅度条件是______,相位条件是______。
69.集成运算放大器用于______时,要求运放必须工作在线性区,而用作______时,运放实际上已工作在非线性区。
70.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由________产生的。
71.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
72.已知某晶体三极管的fT和β,则fβ=________。
73.根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。
74.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。
75.对放大器偏置电路的要求有两个:
76.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
77.若引入反馈使放大器的增益________,这样的反馈称为负反馈。
78.放大电路中,为稳定静态工作点,应引入________反馈。
79.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将_____。
80..在比例运算电路中,_____比例运算电路的闭环增益大于等于1。
81.理想集成运放的输出电阻为_____,因此具有很强的带负载能力。
82.晶体三极管的三种基本组态放大电路中,_____具有倒相作用。
83.负反馈放大电路的开环放大倍数为100,而闭环放大倍数为10,则该电路的反馈深度为______。
84.在差分放大电路中,常用_____来表示抑制共模信号的能力,希望它越大越好。
85.晶体三极管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结_____。
86.根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为_____和耗尽型。
87.反馈放大器是一个由基本放大器和_____构成的闭合环路。
88.在差分放大器中,已知Vi1=20mv,Vi2=10mv,则共模电压Vic=_____。
89.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在______状态。
90.晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V,VB=-2.2V,VC=-6V,则该管的管型是______。
91.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是______。
92.晶体管的高频参数fT是指β(ω)下降到______dB时所对应的频率。
93.6成运算放大器最大输出电压为±
Vom,若该运放工作在开环或正反馈状态,其输出电压是______。
94.在放大电路中,要稳定输出电压,应引入______负反馈。
95.在差分放大器中,已知Vi1=15mv,Vi2=10mv,则输入差模电压Vid=______。
96.理想集成运放的共模抑制比为______,因此具有很强的抑制共模信号的能力。
97.场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈______关系。
98.在P型半导体中,导电时以______为主。
99.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于______。
100.晶体三极管工作在放大区时,IC=______IB。
101..晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和______结反向偏置。
102.场效应管工作在非饱和区时,其ID和VDS之间呈______关系。
103.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为______电压。
104.三种晶体三极管基本组态放大电路中,______组态输入电阻最小。
105.已知某晶体三极管的高频参数fT、β,则共基截止频率fα约为______。
106.需要一个阻抗变换电路,其输入电阻小,应引入______负反馈电路。
107.为充分提高负反馈的效果,串联负反馈要求信号源内阻______。
108.温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将______。
109.半导体有两种导电方式:
在外加电场作用下将形成______电流。
110.晶体三极管ICEO的中文含义是______。
111.晶体三极管工作在放大区时具有______作用。
112.三种基本组态晶体管放大电路中,______组态输入电阻最低。
113.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察v0和vi的波形,当放大电路为共射电路时,则v0和vi的相位______。
114.某一放大电路,要使输出电压稳定,应引入______负反馈电路。
115.已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度F为______。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
1.温度升高时,晶体二极管的Is将()
A.增大B.减小C.不变D.近似不变
2.PN结反向工作时,流过的电流主要是()
A.扩散电流B.漂移电流
C.传导电流D.扩散与漂移电流并存
3.已知某晶体管的α=0.99,则该管的β值是()
A.100B.101
C.98D.99
4.如改变三极管基极电压的极性,使发射结由正偏导通变为反偏,则集电极电流()
A.反向B.中断
C.增大D.不变
5.共射基本放大电路中,若测得晶体管的VCQ≈VCC,则可以判别晶体管工作在()
A.放大状态B.饱和状态
C.截止状态D.击穿状态
6.差分放大器中用电流源代替Ree是为了()
A.提高差模放大倍数B.提高共模放大倍数
C.提高共模抑制比D.提高差模输入电阻
7.所谓放大器工作在闭环状态是指()
A.考虑信号源内阻B.有反馈通路
C.接入负载D.信号源短路
8.20.负反馈放大电路的环路增益是指()
A.
B.
C.1+
D.
9.如果PN结的反向电流急剧增加,称为()
A.反向导通B.反向截止
C.反向击穿D.反向饱和
10.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为()
A.VC<
VB<
VEB.VC>
VB>
VE
C.VC<
VE<
VBD.VC>
VE>
VB
11.场效应管工作在非饱和区时,其电压电流之间呈现________关系。
()
A.指数B.平方
C.对数D.线性
12.某放大电路负载开路时,输出电压为4V,负载短路时,输出电流为10mA,则该电路的输出电阻为()
A.200ΩB.300Ω
C.400ΩD.500Ω
13.某放大电路的增益A=100dB,若希望引入负反馈使其增益下降为Af=100倍,问反馈系数kf应选多少?
A.0.1B.0.01
C.0.001D.0.00999
14.若半导体二极管的反向击穿电压大于1000V,主要发生何种击穿现象?
A.雪崩击穿B.齐纳击穿
C.热击穿D.碰撞击穿
15.对于放大电路,所谓闭环是指()
A.考虑信号源内阻B.存在反馈通路
C.接入电源D.接入负载
16.晶体三极管是_________________器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压
C.电压控制电压D.电压控制电流
17.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是8V、8.7V、15V,则可判断该管的材料和类型是()
A.硅、NPNB.硅、PNP
C.锗、NPND.锗、PNP
18.场效应管是一种()
A.双极型器件B.电流控制器件
C.单极型器件D.少子工作的器件
19.增强型PMOS场效应管工作在放大状态时,其栅源电压()
A.只能为正B.只能为负
C.可正可负D.可正可负,也可为零
20.共基极电路信号从()
A.基极输入,集电极输出B.发射极输入,集电极输出
C.基极输入,发射极输出D.发射极输入,基极输出
21.两个相同的共发射极放大电路,空载时电压放大倍数均为30,如将它们连接后组成一个两级放大电路,则总的放大倍数()
A.等于60B.等于900
C.小于900D.大于900
22.欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应选_________________负反馈形式。
A.电压串联B.电压并联
C.电流串联D.电流并联
23.差动放大电路是为了_________________而设置的。
A.稳定增益B.提高输入电阻
C.克服温漂D.扩展通频带
24.杂质半导体中多数载流子浓度()
A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度,几乎与温度无关
C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关
25.工作在放大状态的某PNP晶体三极管,各电极电位关系为()
A.VC<
C.VC<
26.三极管工作在截止模式时要求()
A.发射结正偏、集电结正偏B.发射结正偏、集电结反偏
C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结反偏、集电结反偏
27.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输入端信号的()
A.和值B.差值
C.平均值D.乘积值
28.负反馈放大电路中,为保证电路不产生自激,需引入补偿技术,为保证经补偿后放大电路的带宽不降低,需引入()
A.简单电容补偿B.密勒电容补偿
C.超前相位补偿D.滞后相位补偿
29.希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流,应引入()负反馈。
A.电压串联B.电压并联
C.电流串联D.电流并联
30.集成运放组成运算电路时,工作在()
A.限幅区B.过渡区
C.截止区D.线性区
31.若要将周期性方波电压转变为三角波电压,则应选用()
A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路
C.微分运算电路D.积分运算电路
32.温度升高时,晶体二极管的Is将()
A.增大B.减小
C.不变D.近似不变
33.PN结反向工作时,流过的电流主要是()
34.已知某晶体管的α=0.99,则该管的β值是()
35.如改变三极管基极电压的极性,使发射结由正偏导通变为反偏,则集电极电流()
36.1共射基本放大电路中,若测得晶体管的VCQ≈VCC,则可以判别晶体管工作在()
37.差分放大器中用电流源代替Ree是为了()
38.所谓放大器工作在闭环状态是指()
39.负反馈放大电路的环路增益是指()
A.
B.
D.
40.如果PN结的反向电流急剧增加,称为()
41.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为()
42.场效应管工作在非饱和区时,其电压电流之间呈现________关系。
43.某放大电路负载开路时,输出电压为4V,负载短路时,输出电流为10mA,则该电路的输出电阻为()
44.某放大电路的增益A=100dB,若希望引入负反馈使其增益下降为Af=100倍,问反馈系数kf应选多少?
45.半导体二极管是温度的敏感器件,当温度升高时,参数IS和VD(on)的变化是()
A.IS上升,VD(on)下降B.IS上升,VD(on)上升
C.IS下降,VD(on)下降D.IS下降,VD(on)上升
46.晶体管共集电极放大电路的信号是从()
A.基极输入,集电极输出B.基极输入,发射极输出
C.发射极输入,集电极输出D.集电极输入,发射极输出
47.二极管的小信号模型是()
A.B.
C.D.
48.放大器电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()
A.10KΩB.2KΩ
C.3KΩD.4KΩ
49.对放大电路,要求增大输入电阻,稳定输出电流,应选择()
A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈
50.与工作在运算电路中的运放不同,电压比较器中的运放通常工作在()
A.深度负反馈状态B.开环或正反馈状态
C.放大状态D.线性工作状态
51.典型差动放大电路的公共射极电阻REE,对_____抑制作用。
A.差模信号有B.共模信号有
C.差模与共模信号均有D.差模与共模信号均没有
52.同相输入的过零电压比较器的电压比较特性曲线是()
A.B.
53.同相比例电路中引入的负反馈是()
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
54.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则环路增益的表达式是()
B.-Akf
C.AkfD.1+Akf
55.场效应管用作放大交流小信号时,应工作在()
A.饱和区B.非饱和区
C.截止区D.击穿区
56.对放大电路,闭环是指电路()
A.考虑交流信号源内阻B.接入直流电源
C.存在反馈通路D.接入负载
57.当信号频率等于截止频率时,放大倍数的值约为中频放大倍数的_____倍。
A.0.1B.0.5
C.0.707D.0.9
58.判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为()
A.方框图法B.瞬时极性法
C.短路法D.开路法
59.集成运算放大器实质上是一种()
A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器
C.高增益的高频放大器D.高电压增益的直接耦合放大器
60.二极管的伏安方程是()
A.iD=Is(
-1)B.iD=Is
C.iD=-IsD.iD=Is
61.晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是()
A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电