六用万用表检测晶体极管Word格式.docx

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第三部分用三位数字表示登记序号，

第四部分为β参数分档标志。

2.三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装（一般为铁质外盒外表镀金属

或喷漆，并印上型号）、塑料封装（型号印在塑料外盒上）、玻璃封装

（外盒喷上黑色或灰色的漆，再印上型号）三大类，引脚的排列方式

具有一定的规律：

对于小功率金属封装晶体三极管，按底视图位置放置，使三个引

脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为ebc；

对于中小功率

塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右

依次为ebc。

对于只有两个引脚的大功率金属封装晶体三极管，按

底视图位置放置，两个引脚在左侧，外壳是集电极C,基极B在下面、

发射极E在上面。

对于三个引脚的大功率晶体三极管，按底视图位置

放置，两个引脚在右侧，则下面的引脚为发射极E，按逆时针方向，

分别为：

E、B、C

四个引脚的晶体三极管有一个突起的定位梢，分辨各引脚时，各引脚

朝上，从定位梢顺时针方向依次为E、B、C、D，其中D为接外壳的

引脚

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相

同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正

确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术

参数和资料。

6.1.2普通晶体三极管的参数

一、电流放大系数

1．共发射极电流放大系数

（1）共发射极直流电流放大系数，它表示三极管在共射极连接时，

某工作点处直流电流IC与IB的比值，当忽略ICBO时

（2）共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且

UCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，

即

管子的β值太小时，放大作用差；

β值太大时，工作性能不稳定。

因此，一般选用β为30～80的管子。

2．共基极电流放大系数

共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处

IC与IE的比值。

在忽略ICBO的情况下

（2）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，

在UCB恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即：

通常在ICBO很小时，

，因此，实际使用中经常混用而不加区别。

二、极间反向电流

1．集-基反向饱和电流ICBO

ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，

所对应的反向电流。

它是少子的漂移电流。

在一定温度下，ICBO是

一个常量。

随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的

主要因素。

在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。

2．穿透电流ICEO

ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电

极电流。

ICEO与ICBO的关系为：

该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。

ICEO和ICBO

一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。

三、频率参数

频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三

极管的频率适用范围。

1．共射极截止频率fβ

三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是

随着频率的增高，β值下降。

当β值下降到中频段βO1／根2倍时，

所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。

2．特征频率fT

当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率，称为特征频率。

在

fβ～fT的范围内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当

工作频率f＞fT，时，三极管便失去了放大能力。

四、极限参数

1．最大允许集电极耗散功率PCM

PCM是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定

的允许值时，集电极耗散的最大功率。

2．最大允许集电极电流ICM

当IC很大时，β值逐渐下降。

一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极电流为ICM当IC＞ICM时，β值已

减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。

3．反向击穿电压BVCEO与BVCEO

BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。

BVCBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。

一般情

况下同一管子的BVCEO（0.5～0.8）BVCBO。

三极管的反向工作电压

应小于击穿电压的（1／2～1／3），以保证管子安全可靠地工作。

三极管的3个极限参数PCM、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线、

截止线所包围的区域，便是三极管安全工作的线性放大区。

一般作放

大用的三极管，均须工作于此区。

6.1.3普通晶体三极管的选用

1.小功率三极管的选用

a.明确电子电路的工作频率，一般要求晶体三极管的特征频率f>

3倍

实际工作的频率。

b.VCEO,一般小功率晶体三极管的VCEO都不低于15V，所以在无电感

元件的低电压中不予考虑。

当负载为感性负载时（线圈等），应根据

VCEO大于电源的最高电源选用。

c.ICM一般在（30—50mA）之间，小信号电路不予考虑。

d.PCM当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚

至还会烧坏管子。

PCM可由下式计算：

PCM＝IC*UCE

2.大功率三极管（ICM>

1A,PCM>

1W）的选用

a.VCEO选用同上

b.ICM根据晶体三极管所带负载而计算

c.PCM应留有充分的裕量，同时大功率晶体管必须有良好的散热

6.1.4普通晶体三极管的检测

1、三极管的管型及管脚的判别

一、判别基极和管型

大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。

根据两个PN

结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极

管，测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R3100或R31k

挡位。

假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管

脚是什么电极。

测试的第一步是判断哪个管脚是基极。

将万用表至于电阻挡，红表笔

任意接触晶体管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测

出他们之间的电阻值。

若测出的电阻值均为几百欧姆的低电阻，则红

表笔接触的电机为基极B，此管为PNP型管；

若测出的电阻值均为几

十千欧姆至上百前欧姆的大电阻，则红表笔接触的电极也为基极B，

此管为NPN型管。

二、判别集电极和发射极

方法一：

将万用表置于电阻档，对于PNP型管，红表笔接基极，黑表笔分别接

触，另外两个引脚，测出两个电阻。

在阻值小的中黑表笔接的为集电

极。

在阻值大的一次测量中，黑表笔接的是发射极。

对于NPN型管，

黑表笔接基极，测出阻值小的一次红表笔所接的为集电极，阻值大的

一次红表笔所接的为发射极。

方法二：

（1）对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极

间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度

都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一

定是：

黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管

符号中的箭头方向一致（“顺箭头”），所以此时黑表笔所接的一定是

集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。

（2）对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一

黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管

符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红

表笔所接的一定是集电极c。

若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次

测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。

具体方法是：

在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管

脚的结合部，用嘴巴含住（或用舌头抵住）基电极b，仍用“顺箭头，

偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。

其中人体起到

直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。

方法三

将万用表置于电阻档，任意假定一个电极为集电极C，以PNP型为例，

将红表笔接C极，黑表笔接E极，再用手同时捏一下管子的B、C极

测出某一阻值。

然后两表笔对调进行测量，将两次测出的阻值进行比

较，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。

对于NPN型黑表笔

对应的集电极。

2.判别硅管与锗管

电阻法

将万用表置于电阻档，对于PNP管红表笔接基极，黑表笔接集电极或

发射极（NPN型，黑表笔接基极，红表笔接集电极或发射极）若万用

表在表盘右端（即电阻值较小）则此管为锗管；

若指针在表盘中间或

偏右位置上（即电阻值较大），则被测管子为硅管。

电压法

一般锗管发射结正向压降为0.1~0.3V，一般硅管发射结正向压降为

0.6~0.7V，可用万用表电压档在线测量压降。

3.测量极间电阻

将万用表置于R3100或R31k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法

进行测试。

其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接

法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是

高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

4.测量穿透电流ICEO

三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反

向电流ICBO的乘积。

ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的

增加必然造成ICEO的增大。

而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳

定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，

可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：

万用表电阻的量程一般选用R3100或R31k挡，对于PNP

管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c

极，红表笔接e极。

要求测得的电阻越大越好。

e－c间的阻值越大，

说明管子的ICEO越小；

反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越

大。

一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几

百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指

针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

如果阻值很小

或测试时用手捏住管壳1min，万用表指针享有摆动速度快，则管子

的性能差。

5.测量穿透电流ICBO

以PNP型为例，将万用表置于RX1KΩ档，红表笔接集电极黑表笔接

基极，测出集电极的反向电阻值（正常是为几百欧姆或几千欧姆）。

此值越大，说明集电极反向饱和电流就越小。

ICBO大的晶体管，其

反向漏电流大，工作不稳定。

6.测量电流放大系数β（或HFE）

（1）中小功率晶体三极管的测量

数字式：

以测量pnp型管为例，首先将数字万用表的量程开关拨到pnp档，然

后将晶体三极管插入孔中（注意C、B、E的对应）接着将电源开关拨

到“NO”处，数字万用表显示的数值为直流放大系数。

指针式

将万用表置于直流50mA档，然后将晶体三极管接入如图电路中（E

为1.5V，R为30KΩ）根据万用表的指示值I即可得出β=20I。

将三

极管的C、B或E、C极接入相应电路，此电路还可测量晶体三极管的

ICBO和ICEO值

（2）大功率晶体管的检测

将万用表置于直流100mA档，再按如图所示（电阻R的阻值为20Ω，

功率大于5W，晶体二极管VD选用硅二极管，直流稳压电源E为12V、

输出电流大于600mA）此时所测电流值为基极电流IB，且电流放大系

数hEF=（IC/IB-1）（IB单位为mA，VCE为1.5—2V，IC为500mA左右）

7、测量放大能力

以测PNP型管为例，将万用表置于RX1K档，红表笔接集电极、黑表

笔接发射极，测出电阻值。

然后利用人体电阻，即用手捏住C、B两

极，注意C、B间不能短路），此时万用表指示的电阻值变小，电阻变

得越小则表明被测得晶体三极管的β值越大,即放大能力越强.对于

R120ΩR2200ΩV112V

Q12N290614U1DC10MW1.088V+

-

20

Q12N29062U1DC10MW12.000V+

410

NPN型注意表笔反接.

8测量大功率晶体管的饱和压降

集电极与发射极之间的饱和压降VCES

将万用表置于直流10V电压档（E为12V,R1为20Ω/5W,R2为200Ω/0.25W）IC为600mA,IB为60mA。

NPN

基极与发射极之间的饱和压降VBES

9.判别高频管与低频管

以NPN型为例，将万用表置于RX1K档，黑表笔接发射极，红表笔接

基极，此时电阻值应在几百千欧姆以上。

然后将万用表量程开关拨至

RX10K档红黑表笔接法不变，重新测量一次EB间的电阻值。

若测得

的电阻值与第一次测得的电阻值相差不大，则说明被测管为低频管；

若电阻值相差很大，且超过量程的1/3则说明是高频管。

10.在路检测三极管

（1）在路不加电测量

将万用表置于RX1K档或RX10K档，测出晶体三极管各级的正、反向

电阻值。

以pnp型为例，若测得的发射结正向电阻值在30Ω左右、

反向电阻在在数百欧姆以上，则说明该管发射结正常。

再测量集电极

正、反电阻值，如果测试与发射结的结果相近，则说明该管集电结良

好，从而此管子性能良好。

（2）在路加电检测

晶体管正常工作时，发射结应有正向偏置电压（锗管0.2-0.3V，硅

管为0.6-0.8V），集电结上应有反向偏置电压（一般在2V以上）可

用万用表适当量程进行测量，如果在正常范围内，从而此管子性能良

好。

在路放大能力：

将万用表置于直流电压档，红表笔接集电极焊点，黑

表笔接发射极焊点，再用导线将基极与发射极短路，（通常指针偏转

越的大，放大能力就越大）

6.2检测光电晶体三极管

1.光电三极管的性能特点

一般光电三极管的集电结既是一个光电晶体二极管，又是晶体三极管

的一个组成部分，实现光电转换和放大。

一般光电三极管只引出两个电极，即发射极与集电极，基极不引出。

光电二极管与三极管要根据型号判别。

2.光电三极管的参数：

暗电流ID，无光照时集电极电流，它比光电流大两倍，温度每升高

25°

C，ID上升10倍。

光电流IL，有光照时的集电极电流，IL决定与光的强度。

3光电三极管的检测

（1）引脚判别

一般光电三极管引脚较长的是发射极，另一角是集电极。

对于达林顿

光电晶体三极管；

封脚缺圆的为集电极。

（2）性能判别

将黑布遮住三极管,将万用表置于RX1K档，两表笔任意接两引脚，

此时电阻值为无穷大。

然后使三极管朝向一光源，同时注意指针偏转

情况，若指针向右偏转至15-35KΩ则表明性能正常

判别光电晶体二极管与三极管：

若测得的正反电阻均为无穷大，则是三极管；

若一大一小则是二极管

6.3检测达林顿晶体三极管

1.达林顿晶体管（DT）亦称复合晶体管，它采用

复合过接方式将多只晶体管的集电极连在一起，

而将第一支晶体管的发射极直接耦合到晶体管

的基极，依次连接而成最后引出E、B、C三极。

2.普通达林顿晶体管的检测

（1）将万用表置于RX10K档进行检测。

（2）判别基极与管子类型

用红表笔接其中一个引脚，黑表笔分别接触另外两个引脚，均测得低

电阻则说明红表笔接的是基极，且被测管为PNP型。

同理，用黑表笔

接其中一个引脚，红表笔分别接触另外两个引脚，均测得低电阻则说

明黑表笔接的是基极，且被测管为NPN型.

判别集电极与发射极

用万用表的指针分别测量除基极以外的两个电极的正反向电阻，在测

量时用手接触基极。

在指针大幅度偏转的一次（反接为无穷大）黑表

笔对应的为发射极；

红表笔对应的为集电极。

（2）改进型达林顿晶体管的测量

改进型达林顿管（PNP）

改进型管内部设置了VD、R1、R2等保护和泻放漏电流元件：

用万用表RX10K档测量BC间PN结电阻值应能明显测出单向导电性

（正反电阻差异大）

BE间有两个PN结，且并连着电阻R1、R2。

用万用表RX10K档进行检

测，当正向测量时测到的是BE间正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；

反向测量时，测出的是R1、R2电阻之和（约为几千欧，且阻值不稳

定）

EC间有保护二极管VD，当EC间加反向电压的时候，晶体二极管应导

通。

6.4检测其他晶体三极管

6.4.1带阻晶体三极管的检测

（1）带阻晶体管即将三极管与工作时需要的电阻封装在一起的晶体

三极管。

（专管专用）

（2）性能特点

带阻晶体三极管为中速开关管，在电路使用中相当于电子开关，当状

态转换为晶体三极管饱和导通时，IC很大，CE间输出电压很低；

当

状态转换为晶体三极管截止时，IC很小，CE间输出电压很高，相当

于供电电压VCC。

内部结构图

检测

对于NPN型管，黑表笔接C极，红表笔接E极；

（pnp黑表笔节E极，

红表笔接C极）测出CE间电阻应为无穷大。

然后短接BC极若所测电

阻值小于50欧姆，则表明管子正常。

测量BC极与BE极间电阻时，红黑表笔分别接BC极和BE极测出一组

数字，然后对调表笔测出第二组数字，其数值较大时，则表明该管正

常。

6.4.2带阻尼行的电阻的检测

带阻尼行输出晶体管是电视机行输出电路中的重要原件，这种管

子要求耐高反压，所以在结构上与普通大功率晶体三极管不同。

内部结构与实物图：

质量好坏检测（RX1k档）

红表笔接E，黑表笔接B，测得的阻值很小。

对调后测量到得阻值约

为R的值

红表笔接C极，黑表笔接B极，测得BC间正向电阻值较小，对调后

测量阻值为无穷大

黑表笔接E，红表笔接C，测得几欧姆到几十欧姆的小电阻。

对调后

测得阻值应在300K以上。

测试放大能力（β）

将电路图中的接出的三管脚接到万用表上对应的测量β值的EBC上

测出β值。

6.4.3差分对管的检测

差分对管是将两只性能参数相同的晶体三极管封装在一起的半导体

器件。

差分对管的引脚排列是有一定规律的，通常靠近管键的两引脚为E1

和E2，VT1按顺时针排列为E1、B1、C1，VT2按逆时针方向排列为

E2、B2、C2。

6.4.4电力晶体管的检测：

电力晶体管又称巨型晶体管（GRT）是一种双极型大功率、高反压晶

体管，具有自关断能力大，饱和电压降低、开关时间短和安全工作区

宽的特点，广泛用于载波器、稳压电源及交流电动机调速领域。

电力晶体管实际上是一个静止式的无触点开关，它的通断受基极驱动

电流控制。

分为：

电力晶体单管、电力晶体管达林顿管、电力晶体管模块等