通用集成运算放大器测试方法Word文档下载推荐.docx
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通常运算放大器电参数的测试分为两种方法:
一种是单管测试法,另一种是带辅助
放大器的测试方法。
尽管单管测试法外围线路较为简单,但由于不同运放各项电参数差
异很大,不利于计算机测试系统实现自动测试,故在生产测试中较少采用(有兴趣的人
员可参考北京市半导体器件研究所李铭章教授编写的《运算放大器电参数测试方法》)。
为了能采用统一的测量线路实现自动测试,发展了利用辅助放大器进行测试的新方法。
该测试方法具有以下优点:
1)被测器件的直流状态能自动稳定,且易于建立测试条件;
2)环路具有较高的增益,有利于微小量的精确测量;
3)可在闭环条件下实现开环测试;
4)易于实现不同参数测试的转换,有利于实现自动测试。
鉴于运放辅助放大器测试方
法所具有的优越性,该方法已被国际电工委员会(IEC)确定为运算放大器测试标准。
我测试中心基于LTX—77测试系统开发的通用运放测试包也是参考了该标准而设计的
(可参考由胡浩同志编写的《运放测试包规范》)。
图1为运放的辅助放大器测试方法的
基本原理图。
图中运放A为辅助放大器,DUT为被测运放。
辅助放大器应满足以下要求:
a.开环增益大于60Db;
b.输入失调电流和输入偏值电流应很小;
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c.动态范围足够大
环路元件应满足下列要求:
a.RI*IIB<
<
VIO
b.R<
RIO
c.R*IIB>
>
d.ROS<
RF<
e.R1=R2
f.R1>
RL
g.RF/RI值决定了测试精度,但必须保证辅助运放在线性区工作。
式中:
IIB-----------被测器件的输入偏置电流
VIO----------被测器件的输入失调电压
RIO----------被测器件的开环差模输入电阻
ROS---------辅助放大器的开环输出电阻
注:
我测试中心通用运放测试包中RI=50OHM,RF=10KOHM,R1=R2=100KOHM,
RL=2K,10KOHM。
采用的辅助运算放大器为LF353。
2.参数测试(主要介绍10项常规电参数的测试)
2.1输入失调电压(VOS)
2.1.1定义:
运放输出电压为零(或规定值时:
针对单电源运放测试)时,运放两输入端
间所加的直流补偿电压。
2.1.2测试原理图
2.1.3测试说明
失调电压(VOS)测试原理如图2,图中A为辅助放大器,其要求是闭环增益大于40DB,
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有一定的输出幅度,一般运放均可使用。
由图看来,只要接入被测器件(DUT),由于总体
环路很强的负反馈作用,被测器件的输出能自动调零,其总输出电压为:
VL=(VOS+IOS*RI)(1+RF/RI)当IOS*RI<
VOS,且RF/RI>
1时
则有VOS≌RI/RF*VL=VL/(RF/RI)若RF=10KRI=50OHM
那末VOS=VL/200
有式可见只要测的VL值即可计算出失调电压VOS。
2.1.4注意事项
1)当被测器件为单电源运放时,K4应连接到VREF(即LTX-77系统的VS1),并设置
VREF为-1.4V(使被测器件输出为+1.4V),被测器件的输出在正常的范围之内。
2)输入失调电压的温度系数(温度漂移)的定义:
在规定的温度范围内,单位温度变化
所引起的输入失调电压的变化率。
计算公式为:
&
VOS=(VOS2-VOS1)/(TA2-TA1)
3)输入失调电压的调零(失调电压调解范围的测试)
左图中运放的管脚1和管脚5是失调电压调零端。
右图为运放失调电压调零典型连
接方法。
4)运放失调电压的单管测试法
对一些复合电路(如:
PWM器件)采用单管测试法测试VOS参数是非常方便的。
图4
为该方法的原理图,由图看出:
VO=(VOS+IOS*RI)*(1+RF/RI)当RF=10K,RI=100OHM
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时被测器件接成100倍的放大器。
则VOS=VO/100。
因此只要测得VO,即可得到VOS。
2.2输入失调电流(IOS)
2.2.1定义:
使被测器件输出电压为零(或规定值:
针对单电源运放测试)时,流入
两输入端的电流之差。
2.2.2测试原理图
2.2.3测试说明
失调电流IOS的测量。
原理如图5所示,测试分两步进行,第一步K1,K2同
时闭合,R被短路,辅助运放输出为
VL1=(1+RF/RI)*(VOS+IOS*RI)
第二步将K1,K2同时断开,接入电阻R,辅助输出为:
VL2=(1+RF/RI)*(VOS+IOS*RI+IOS*R)
两电压求差得:
VL2-VL1=(1+RF/RI)*IOS*R
所以:
IOS=(VL2-VL1)/(R*(1+RF/RI))当RF/RI=200时
IOS=(VL2-VL1)/(200*R)
显然选用适当的R值,只要测得&
VL即可求出失调电流IOS之值。
2.2.4注意事项
2)输入失调电流的温度系数(温度漂移)的定义:
所引起的输入失调电流的变化率。
IOS=(IOS2-IOS1)/(TA2-TA1)
3)R、RI、RF应满足下列要求:
IOS*R>
VOS同时IOS*(RI‖RF)<
VOS
R、RI、RF的精度决定了测试精度。
2.3输入偏置电流IB
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2.3.1定义:
针对单电源运放测试)时,流入两
输入端电流的平均值。
IB=(IB_+IB+)/2
2.3.2测试原理图
2.3.3测试说明
输入偏置电流IB的测试,测试原理图与测IOS的原理图完全相同。
测试仍分两步进行。
第一步,继电器K1断开,K2闭合,可测得:
VL1=(1+RF/RI)*(VOS+IB-*R+IOS*RI)。
第二步,K2断开,K1闭合,可测得:
VL2=(1+RF/RI)*(VOS-IB+*R+IOS*RI)。
两电压
求差得:
VL1-VL2=(1+RF/RI)*(IB_+IB+)*R
IB=(IB_+IB+)/2=(VL1-VL2)/(R*(1+RF/RI))。
当RF/RI=200时:
IB=&
VL/(400*R)
注意事项
关于运放的输入偏置电流和输入失调电流的测试,若按图5的原理进行测试,由计算
公式可知,它是靠偏置电流在输入端串接的电阻R上产生的压降来进行测试的,但由于
各种不同输入类型的运算放大器输入偏置电流差别太大,从几个PA到几十个UA约有
106数量级的差别,如果选用某一固定的电阻R不可能对大多数运放进行精确的测量。
因
此我测试中心基于LTX-77测试系统的通用运放测试包中对运放的这两项参数的测试采
用了电流电压转换法来进行测试。
以下做一简单介绍:
如测试原理图(图6)中的A2是一高输入阻抗的精密运放,由于它的输入偏置电流
IB<
0.1PA,因此对测量大于10PA的电流来说可以忽略它的影响。
当开关K3接2端时,
被测器件(DUT)的输入偏置电流(IB+或IB_视开关K1、K2的状态而定)经K3流入
电流电压转换电路,在A2的输出端产生一电压VA,由于放大器A2虚地作用,其反相
输入端电压也近似稳定在地电位,因此该电路的接入并不影响测试环路的状态。
偏置电
流的计算很简单,当IB_接入A2时,由流压转换器的输出测得电压VA,则IB_=VA/R9。
对于10Na以上的偏置电流的测量均可采用这种方法。
第6页
但对于10Na以下电流的测量,由于电流在电阻R9上产生的压降太小,不能准确地测
出电压值(VA),这时可采用积分的方法。
即在被测电流IB+(或IB_)接入A2电路后,
断开K4使电容C被IB+(或IB_)充电,并在某一时刻(T1)采得该时刻的输出电压VA1,
由于A2反相端始终为地点位(虚地),因此充电电流IB+(或IB-)在充电过程中保持不
变,设在T2时刻由A2输出端采得电压为VA2,则可由下式计算出电流IB+(或IB_):
IB+(或IB_)=K*(VA2-VA1)/(T2-T1)式中K为一比例常数。
由上式的结果就可进一步
算出输入偏置电流IB和输入失调电流IOS分别为:
IB=(IB++IB-)/2
IOS=IB+-IB-
我测试中心所采用的电流电压转换器中A2为AD515,R9=1MOHM,C=100PF,
T2-T1=100ms。
(详细资料可参考通用运放测试包文档)
2.4
静态功耗PD
2.4.1定义:
输入端无信号且输出端无负载时,器件所消耗的电源功率。
2.4.2测试原理图(见图7)
2.4.3测试说明:
被测器件电源端施加规定的电压,开关K4接地(或规定的参考电压)。
在电源端V+及V-分别测得I+及I-。
由下式计算出PD:
PD=(V+*I+)+(V-*I-)
2.4.4注意事项:
1)使用LTX-77系统中通用运放包测试功耗(或静态电流)时,要注意断开输
出负载(OPENVI4),否则测得的功耗偏大。
2)测试高速运放时(如LM118,AD847等),为提高功耗测试的准确性,可以
禁止辅助运算放大器(CLOSECBITSABITS10)。
3)测试双运放、四运放时,要注意有些产品数据手册中的功耗为单个运放的。
第7页
2.5
开环电压增益(Avd)
2.5.1定义:
器件开环时,输出电压变化与差模输入电压变化之比。
2.5.2测试原理图(图8)
李雷第8页
2.5.3测试说明:
开环增益Avd的测试,测试电路图如图8所示。
测试Avd时,根据规定接入适
当的负载RL,(注:
若测试条件规定负载值为R1时,RL可不接入,负载即为
R1)。
确定负载后即可进行测试。
第一步先将开关K4置于位置1,接入信号源
+VREF,则被测器件输出电压VO1=-VREF(因为辅助运放虚地的作用)。
此时
辅助运放的输出电压:
VL1=-(1+RF/RI)*(VREF/Avd)+(1+RF/RI)*(VOS+IOS*RI)
第二步再将K4置于2位置,接入信号源-VREF,则VO2=+VREF。
辅助运放输
出电压为:
VL2=(1+RF/RI)*(VREF/Avd)+(1+RF/RI)*(VOS+IOS*RI)。
两电压求
差得:
VL2-VL1=2*(1+RF/RI)*(VREF/Avd)
Avd≈(RF/RI)*2*VREF/(VL2-VL1)若:
RF/RI=200且VREF=10V
则:
Avd=200*20V/&
VL或Avd=20*log(200*20V/&
VL)(dB)
因此只要测得&
VL,即可求得Avd值。
2.5.4注意事项:
1)开环增益的测试分为两种方法:
直流测试法和交流测试法。
这两种方法
原理基本相同。
我公司基于LTX-77测试系统的通用运放包采用直流测
试法。
2)对于高速运放,为精确测试出其开环增益,可适当延长测试时间(加长
测试等待时间)同时采用差分测试方法。
3)国外部分电路生产厂家对该项参数的定义分为正开环增益(+Avd)和负
开环增益(-Avd),测试器件时要加以注意。
4)我测试中心对开环增益参数测试能力为≤140dB。
对于更高增益的器件不
能保证测试精度。
2.6
输出电压幅度Vopp
2.6.1定义:
器件在规定的电源电压和负载下,所能输出的最大峰—峰值电压。
2.6.2测试原理图(同图8)
2.6.3测试说明:
开关K4置于“1”,在被测器件(DUT)输出端测得电压VO1。
开关K4置于“2”,在被测器件(DUT)输出端测得电压VO2。
VO2、VO1分别为器件正、负输出峰值电压。
2.6.4注意事项:
1)VREF必须大于被测器件的输出峰值电压(Vopp),一般情况下设定VREF值为
电源电压值(VS)。
2)有些功率运放(如:
LM12)该项参数采用饱和压降来表示(VS-Vopp),应特
别注意。
3)为简化测试线路,可采用单管法开环测试器件的输出峰值电压。
(对仪表运放、
PWM器件尤为简便)
2.7电源电压抑制比KSRR
2.7.1定义:
电源的单位电压变化所引起的器件输入失调电压的变化率。
2.7.2测试原理图(见图9)
2.7.3测试说明:
电源电压抑制比±
KSRR的测试,原理图如图9。
整体测试分为三步进行:
第一步,将K置于位置“1”上,此时被测器件(DUT)的电源电压为正常电压
第9页
(±
VS),得出辅助运放(A)输出电压VL1。
(VL1=VOS)
第二步,将K置于位置“2”上,此时被测器件(DUT)的电源电压为+VS+&
V、
-VS-&
V,测出辅助运放输出电压为VL2
第三步,将K置于位置“3”上,此时被测器件(DUT)的电源电压为+VS-&
-VS+&
V,测出辅助运放输出电压为VL3
由KSRR定义(&
VO/&
VS)可得:
KSRR1=(VL2-VL1)/(2*&
V)*(RI/(RF+RI))
KSRR2=(VL3-VL1)/(2*&
若正电源电压变化变化&
V,负电源电压不变,在辅助放大器(A)输出端测得
电压VL4。
KSRR+=(VL4-VL1)/&
V*(RI/(RI+RF))
若负电源电压变化变化&
V,正电源电压不变,在辅助放大器(A)输出端测得
电压VL5。
KSRR-=(VL5-VL1)/&
V*(RI/(RI+RF))。
2.7.4注意事项:
1)如果辅助放大器A的电源电压也随着被测器件电源电压一同变化,则要求
其KSRR值比被测器件的KSRR值至少高一个数量级。
2)不少器件参数手册中KSRR采用分贝值表示,此时要特别注意参数的换算。
3)测试该项参数时,不需要单独加负载。
2.8共模抑制比CMRR
2.8.1定义:
差模电压增益与共模电压增益之比。
2.8.2测试原理图(见图10、图11)
2.8.3测试说明:
共模抑制比CMRR的测试。
可用两种方法:
第一种方法:
由器件输入端加入共模信号的测试(简称共模输入法),测试原理
如图10所示。
测试过程分两步,第一步将开关K置于位置“1”,此时在辅助放
第10页
大器A的输出测得电压VL1。
则VL1=(1+RF/RI)*(VOS+IOS*RI)+(1+RF/RI)*VIC+/CMRR
第二步将K置于“2”位置,在辅助放大器输出端测得电压VL2。
VL2=(1+RF/RI)*(VOS+IOS*RI)+(1+RF/RI)*VIC-/CMRR
两式相减可得:
VL1-VL2=(1+RF/RI)*(VIC+-VIC_)/CMRR
CMRR=(1+RF/RI)*(VIC+-VIC_)/&
VL如以分贝表示,则
CMRR=20*LOG((1+RF/RI)*(VIC+-VIC_)/&
VL)
因此只要测得VL1、VL2即可求得CMRR值。
共模输入法的缺点是要求电
阻RF和RI的精确度要优于0.01%。
同时测试线路的装配也要特别注意。
为克
服这一缺点。
目前通常采用变电源法测试CMRR。
第二种方法:
变电源法测试CMRR。
测试原理图如图11,由图可看出,当开关
K置于位置“1”时,被测器件正电源变为VCC+VS,负电源VEE变为VEE+VS,
被测器件输出变为VS,这就使加在DUT电源与输出端之间的电压不变,这与
在DUT输入端加入VS电压等效。
同理当K置于“2”位置时,VCC变为VCC-VS,
VEE变为VEE-VS,DUT输出变为-VS,这与在DUT输入端加入-VS电压等效。
由图11可看出,由于被测器件两输入端对地电位为零,因此电阻RF、RI不精
确就不会引入共模误差电压,误差只反映在(1+RF/RI)项中,故只要求RF和
RI的精度小于10%即可。
这就从理论上解决了测量高共模抑制比器件的问题,
目前我测试中心通用运放测试包通常采用该方法。
第11页
2.8.4注意事项:
2.9
1)采用共模输入法测试CMRR时要满足︱VIC︱<
VICM。
式中VICM为被测
器件的最大共模输入电压。
2)采用变电源法测试CMRR时要满足︱VS︱<
Vopp。
式中Vopp为被测器件的
输出峰峰值电压。
3)利用我公司通用运放测试包测试高共模抑制比器件时(≥80dB),一般建议
采用变电源法进行测试,以提高测试精度。
大信号压摆率(转换速率Sr)
2.9.1定义:
输入端在施加规定的大信号阶跃脉冲电压时,输出电压随时间的最大变
化率。
2.9.2测试原理图:
(见图12)
第12页
2.9.3测试说明:
通常情况下Sr参数的测试线路有两种:
倒向器法和跟随器法。
如图12所示,器件输入端施加规定的脉冲信号电压,在器件的输出端从规定过
冲量的输出脉冲电压上升沿(或下降沿)的恒定变化率区内,测的输出的电压
幅度△Vo和对应的时间tt。
由下式计算出压摆率Sr:
Sr=△Vo/tt。
2.9.4注意事项:
1)测试器件时负载电阻、负载电容应符合器件详细规范的规定。
2)输入脉冲信号的电压幅度、上升时间、下降时间应符合器件详细规范的规定。
3)采用SAI710测试包测试该项参数时,时间测试单元(TFE)应设置为50OHM
阻抗。
4)部分高速运算放大器(如LF157)的稳定条件为Avd>
5,测试该项参数时应
特别注意环路条件,不可采用跟随器方法。
5)运放的压摆率(Sr)是高速运放的主要参数。
为防止分布电容的影响,线路
中的R值应取得小些较好。
由实际测试可知,采用跟随器方法和采用倒向器
方法测得的结果不完全一致,应取测试结果中值小的。
2.10单位增益带宽UnityGainBandwidth
2.10.1定义:
使运放开环增益为1(0dB)时所对应的输入频率(fGWB)。
2.10.2测试原理图:
如图13
2.10.3测试说明:
单位增益带宽fGWB的测试,原理电路如图13。
测试时将200KHZ的正弦信号fin
加在被测器件(DUT)的同相输入端,幅度有效值为Via。
由DUT的输出端测
的交流信号电压Voa(有效值)。
根据fGWB=Avd1*fin,(Avd1为200KHZ频率下
所测得的开环增益)可得:
Fgwb=fin*(Voa/Via)*(1+RI/RF)。
若Via=1v,RI/RF=200,
fin=200KHZ
Fgwb=200KHZ*Voa*200
2.10.4注意事项:
1)输入信号频率应满足:
fpp<
fin<
fgwb。
其中fpp为全功率带宽。
(注:
一般
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情况下fpp=Sr/(2*3.14*Vomax))
2)对于高增益运放、当输入信号失真度偏大时,会引起被测器件输出端出现直
流饱和。
我测试中心为保证测试精度,同时抑制感应和噪声的影响,在DUT
上引入了适当的负反馈,使直流增益适当降低。
以上即为通用运算放大器常规8项直流参数和2项交流参数的测试原理和实现方法。
关
于其它参数和交流参数的测试可参考我国电子部制定并发布的国家标准(GB3442-85)<
半导体集成电路运算放大器(电压)测试方法的基本原理〉〉。
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