屏蔽泵的工作原理及特点Word文档下载推荐.docx

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泵与电机系一整体，拆装不需找正中心。

对底座和基础要求低，且日常维修工作量少，维修费用低。

（4）运转平稳，噪声低，不需加润滑油。

由于无滚动轴承和电动机风扇，故不需加润滑油，且噪声低。

（5）使用范围广。

对高温、高压、低温、高熔点等各种工况均能满足要求。

2.2　屏蔽泵的缺点

（1）由于屏蔽泵采用滑动轴承，且用被输送的介质来润滑，故润滑性差的介质不宜采用屏蔽泵输送。

一般地适合于屏蔽泵介质的粘度为0.1～20mPa.s。

（2）屏蔽泵的效率通常低于单端面机械密封离心泵，而与双端面机械密封离心泵大致相当。

（3）长时间在小流量情况下运转，屏蔽泵效率较低，会导致发热、使液体蒸发，而造成泵干转，从而损坏滑动轴承。

3　屏蔽泵的型式及适用范围

根据输送液体的温度、压力、粘度和有无颗粒等情况，屏蔽泵可分为以下几种：

（1）基本型

输送介质温度不超过120℃，扬程不超过150m。

其它各种类型的屏蔽泵都可以在基本型的基础上，经过变型和改进而得到。

（2）逆循环型

在此型屏蔽泵中，对轴承润滑、冷却和对电机冷却的液体流动方向与基本型正好相反。

其主要特点是不易产生汽蚀，特别适用于易汽化液体的输送，如液化石油气、一氯甲烷等。

（3）高温型

一般输送介质温度最高350℃，流量最高300m3/h，扬程最高115m，适用于热介质油和热水等高温液体。

（4）高融点型

泵和电机带夹套，可大幅度提高电机的耐热性。

适用于高融点液体，温度最高可达250℃。

夹套中可通入蒸汽或一定温度的液体，防止高融点液体产生结晶。

（5）高压型

高压型屏蔽泵的外壳是一个高压容器，使泵能承受很高的系统压力。

为了支承处于内部高压下的屏蔽套，可以将定子线圈用来承受压力。

（6）自吸型

吸入管内未充满液体时，泵通过自动抽气作用排液，适应于从地下容器中抽提液体。

（7）多级型

装有复数叶轮，适用于高扬程流体输送，最高扬程可达400m。

（8）泥浆型

适用于输送混入大量泥浆的液体。

4　屏蔽泵选型时的注意事项

一般的屏蔽泵采用输送的部分液体来冷却电机，且环隙很小，故输送液体必须洁净。

对输送多种液体混合物，若它们产生沉淀、焦化或胶状物，则此时选用屏蔽泵（非泥浆型）可能堵塞屏蔽间隙，影响泵的冷却与润滑，导致烧坏石墨轴承和电机。

屏蔽泵一般均有循环冷却管，当环境温度低于泵送液体的冰点时，则宜采用伴管等防冻措施，以保证泵启动方便。

另外屏蔽泵在启动时应严格遵守出口阀和入口阀的开启顺序，停泵时先将出口阀关小，当泵运转停止后，先关闭入口阀再关闭出口阀。

总之，采用屏蔽泵，完全无泄漏，有效地避免了环境污染和物料损失，只要选型正确，操作条件没有异常变化，在正常运行情况下，几乎没有什么维修工作量。

屏蔽泵是输送易燃、易爆、腐蚀、贵重液体的理想用泵。

我现在有一个多晶硅项目需要采购一批阀门，已定为耐莱斯球阀，工艺介质是硅粉和氯硅烷，业主要求阀芯材质为304，但阀门供应商说2Cr13是成型的标准配置，做304有困难。

请问多晶硅的朋友：

1、2Cr13和304有何区别？

其耐磨和耐腐蚀性哪个更好？

2、在此工况下该选2Cr13还是304？

（介质是硅粉和氯硅烷，温度250度左右，1~2公斤的压力）

304就是1Cr18Ni9，化学成分（%）

SUS304C≤0.15％Cr:

17～19%Si≤1.5%Mn≤2.0%S/P≤0.05%

硬度350-430HV

多晶硅生产过程中对管道阀门等的材质有一定要求，那就是B、P的含量要低。

输送硅粉时要耐磨。

这样的压力和温度，本体用碳钢的就行了，而阀芯无论是哪一个硬度都不够，都要做碳化钨喷涂

在多晶硅生产工艺中，为什么硅钼棒加热负载需变压器降压？

可以改用直接三相可控硅调压吗？

目前可控硅在离子膜烧碱行业使用的很好。

在上世纪90年代,大家对可控硅技术的态度和目前多晶硅行业差不多，认为可控硅不可靠。

但经过10多年的发展，可控硅在烧碱行业已经得到普遍认同。

可控硅是配合有载调压整流变压器使用的。

这样通过变压器档位的合理选择，可以使可控硅装置运行在最佳的控制范围，同时尽可能提高整流变压器的功率因素（一般可达到0.9以上）。

关于控制精度是小于0.1%，举例10000A的电流，波动差不多就是十几二十安培。

所以说，从装置本身而言，其控制范围和精度是很好的。

关于全压输出的问题是这样的：

晶闸管的几个运行参数其中之一就是控制角和导通角。

控制角是指由于控制系统没有发出控制脉冲而没有输出电压的相位角。

导通角是控制系统发出触发脉冲且负载情况符合导通条件时有输出电流的相位角。

所以全压输出是指导通角最大的状态，而不是导通角为0的时候。

再者，大家知道一个周波为360度，而为了达到交流变直流的目的，如是单相整流的话，其有效的相位角是180度。

正如楼上担心的，如果导通角过大可能会导致系统的不稳定甚至失稳。

因此现在的装置都通过控制系统将导通角控制在120度范围内，以保证系统的稳定性。

当然为了追求尽可能大的功率因素，导通角需要尽可能大，这可以在调试过程中测试而得。

当然，使用可控硅的控制方法会比交流调压复杂。

但其平滑优异的调节性能相信大家如果使用过一定会有自己的体会的。

其控制系统可直接由DCS信号控制，实现自动控制。

当然，由于多晶硅还原炉的控制主要是参考其控制温度，而目前对其温度的直接检测还缺乏很好的直接手段，对其控制也带来一定的难度。

以上供大家参考，谢谢！

多晶硅的原材料和能耗表？

电子级硅单耗Kg/Kg 

1.1-1.5氯单耗Kg/Kg 

1.1-1.5氢气 

Kg/Kg 

1.5-2电单耗KWh/Kg 

80-150

三氯氢硅的恒压热容

恒压热容可由公式Cp=a+bT+cT*T计算所得，a，b，c可查资料或实验所得

装硅芯有什么要求么？

横梁与大头怎么样接触呢？

大头打磨时最好打磨成U型，那样与横梁的接触面积大，如果与横梁接触面积太小的话，容易因电阻高使得接触点处温度高而将硅芯熔化。

我们公司刚开始试车的时候有多次到棒就是横梁熔化掉落下来。

在拉硅芯的过程中就要在一个端口处留个大头的，并开个V型的槽，横梁放在槽里，安放时一定要垂直

硅芯拉制过程中，大头槽是一关键，要保证与横梁的接触面积最大，否则，高压启动是，硅芯很难全红

这个就需要在装炉时控制好垂直度和接合紧密度了，同时规范好冲泄压操作；

当然你对操作人员不放心，可以采用钨丝**，但是这样不合算，增加成品硅棒的处理难度和损耗了

改良西门子工艺生产多晶硅各工序危险设别

1、氢气制备本环节存在的危险物质主要为氢气，其具有燃爆特性。

（1）电解过程意外产生火花，发生燃爆现象。

主要会对工艺设备、厂房构筑物等造成损害，对外环境空气基本无影响；

（2）氢气输送管线、冷却和分离装置由于构件、操作或检修等问题，引起泄露，会在一定程度上使得周围环境空气有一定燃爆可能。

2、三氯氢硅合成

（1）氯化氢管线因为自身重量问题或检修失误、误操作等问题引起阀门、管线发生爆裂或泄漏，导致氯化氢气体外溢。

此事故会对外环境空气和地表水体产生影响；

（2）三氯氢硅固定床反应器内压力是2.76MPa，500℃。

反映器内温度相对较高，其有一定正压，在反应器及其连接的三氯氢硅输出管线、连接处、控制阀等发生泄漏事故后，将会外溢一定量的三氯氢硅，遇水会快速与水反应，易对外环境空气和地表水体产生影响；

（3）三氯氢硅储罐在管理、设备、操作过程中可能发生罐体泄漏事故，其事故发生时会产生与上述情况一致的影响，并且在事故救援时产生一定量的固体废物（干粉、砂土等含有三氯氢硅、氧化硅、氯化氢等物质的灭火、吸附剂料）；

（4）伴随反应生成的氢气也会发生泄漏、燃爆的可能。

3、合成气干法分离工序,工艺过程可能发生的风险类型和环节主要有以下几个部分：

（1）旋风除尘器效率故障：

此事故不会引起上述三种气体的外溢，从而导致外环境空气影响，仅仅会影响下一环节的效率。

此事故仅需要将合成气再次返回旋风除尘器多次除尘即可，或者将此除尘器停止运行，选用备用除尘器或将此装置的合成气转至另外一台正常运行的除尘器即可；

（2）三氯氢硅洗涤塔：

由于此过程是合成气处理的第一阶段，合成器中含有一定量的三氯氢硅、氢气和氯化氢，洗涤塔或进气管线、控制阀门等发生泄漏后，易造成三氯氢硅、氢气和氯化氢气体的泄露，对外环境空气产生一定影响；

第二阶段的氯化氢洗涤塔中仅含有一定量个的氢气、氯化氢和少量的三氯氢硅，此过程发生泄漏后的主要危险物质为氯化氢和氢气；

上述两次洗涤后的气体含有微量的氯化氢和三氯氢硅，发生泄漏事故后仅可能导致火灾爆炸事故，对外环境空气质量影响较小。

4、氯硅烷分离提纯工序

工艺过程中所涉及的危险物质主要有三氯氢硅、四氯化硅和聚氯硅烷等，主要通过11级精馏塔对原料三氯氢硅进行精馏处理，除去其中的低沸点、高沸点杂质。

可能发生风险的类型主要为以下方面：

从储罐送来的三氯氢硅原料含有少量的四氯化硅和聚氯硅烷，均以液态形式存在，11级精馏塔具有基本相同的工艺特点，其依靠自身的位差来促进精馏后的液体逐级流动。

其中主要馏出的物质包括四氯化硅和三氯氢硅，四氯化硅送往氯化氢化工艺用于合成三氯氢硅，精馏后的三氯氢硅送往CVD还原工序。

由于本工艺的采用的精馏塔较多，其潜在的危险系数就较大，在精馏塔与管线、管线与精馏塔之间的连接、控制阀门发生渗漏、开裂、断裂乃至爆裂的事故后，均会引起三氯氢硅精馏液的溢出，并且会引起其中少量的四氯化硅溢出，此两种物质的急速挥发会对外环境空气产生一定影响，同时也会产生救援所采用的吸附剂和灭火剂，处理不当也会对外环境产生影响。

5、三氯氢硅氢还原工序

此工艺主要是将精馏后的三氯氢硅和氢气送入还原炉，在给定的方形硅芯棒上沉积多晶硅的过程。

此工艺主要包括三氯氢硅的汽化和三氯氢硅还原生成多晶硅的两个过程，其可能发生的风险事故如下：

（1）还原气体氢气的泄露：

此工艺过程的还原气体主要来自电解过程的产品气和合成气分离的氢气（统一的氢气储罐），此过程中发生泄漏事故后会导致气体泄漏，可能会发生燃爆事故，对装置和周围的构筑物产生一定损伤，对外环境空气的影响相对较小；

（2）三氯氢硅汽化：

来自原料罐的三氯氢硅液体被送入三氯氢硅汽化器，加热汽化后送入还原炉，此过程由于三氯氢硅处于气态状态，其处于相对高的温度，在发生泄漏事故后，三氯氢硅迅速进入外环境空气，对外环境产生一定影响；

（3）三氯氢硅还原：

还原炉内存在的物质主要包括三氯氢硅气体、氢气和多晶硅，还有还原反应生成的二氯二硅烷、四氯化硅、氯化氢和氢气，还原炉发生泄漏事故后，其泄漏物料包括上述各种原料和副产品，由于其炉内的量较小，对外环境空气的影响也相对较小。

6、还原尾气干法分离工序

还原炉中未反应完全的三氯氢硅、氢气和还原产生的二氯二硅烷、四氯化硅、氯化氢和氢气一并送入干法分离器中，选用类似于合成气分离工序的技术，对尾气进行分离处理。

通过变压吸附后得到高纯度的氢气，一部分送入原料储罐，大部分送入三氯氢硅还原，其余部分送入四氯化硅氢化；

再经过氯化氢解析塔除去尾气中的氯化氢，送往用于三氯氢硅合成的缓冲罐中；

余下的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽。

此工艺过程中处理的尾气有毒有害物质含量相对较低，，风险值远远小于上述工艺过程，发生事故对外环境要素产生的影响也相对较小。

7、四氯化硅氢化工序

本工艺所涉及危险物质主要包括：

四氯化硅、氢气、三氯氢硅、氯化氢等。

反应后的气体将送入氢化气干法分离工序。

本工艺过程可能发生风险事故的类型主要有以下方面：

（1）四氯化硅汽化：

此过程主要通过热水加热汽化后送入氢化炉，发生泄漏事故后将会引起四氯化硅气体外溢进入外环境空气，其直接影响的环境要素为环境空气；

（2）氢化炉：

氢化反应发生后，氢化炉内的危险物质主要包括三氯氢硅、氯化氢和未反应的四氯化硅和氢气。

反应炉发生泄漏后，会引起导致上述几种物质进入外环境空气，产生一定影响。

8、氢化气干法分离工序

从四氯化硅氢化工序来的氢化气经此工序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。

氢化气干法分离的原理和流程与三氯氢硅合成气干法分离工序十分类似。

此过程主要对工艺废气进行分离回收处理，所涉及的有毒有害物质主要包括四氯化硅、氢气、三氯氢硅

9、其他工序

在通过上述原料精馏、产品精馏、尾气处理的过程后，再通过硅芯制备工序、产品整理工序、废气和残液处理工序。

（1）硅芯制备工序：

此工艺过程会使用氢氟酸、硝酸等进行酸蚀处理，会有少量的氟化氢和氮氧化物气体产生，但不会发生风险事故，对外环境产生突发危害；

（2）产品整理工序：

主要对产品多晶硅棒进行切割、破碎，然后用氢氟酸和硝酸进行酸蚀，并利用集气罩将散逸气体。

多晶硅还原炉的水冷电极是采用无氧铜好还是普通紫铜好；

密封采用聚乙烯好还是活性聚乙烯好？

电极用无氧铜，外面度银电极和石墨件接触的地方才镀银，密封用聚四氟电极用紫铜的好遇到过好多次电极冷却铜管破裂的情况，会造成电极冷却水管震动，不及时发现会导致电极绝缘套融化换成紫铜的没发现过类似情况

SiHCl3（g）的标准摩尔生成焓,标准摩尔熵和Cp-T关系式

SiCl4:

标准摩尔生成焓:

-662.74KJ/mol

标准摩尔熵330.83J/mol.K

Cp-T关系式:

101.46+6.86*10^-3*T-11.51*10^-5*T^2

还原炉尾气出管的内壁上有一层黄色的附着物，放置在空气中有刺激性的白烟冒出！

请问黄色附着物是什么？

为何是黄色的？

这些黄色的东西是不是氯硅烷的不完全水解物？

氯硅烷如果完全水解的话，当然是白色粉末，如果不是完全水解，比如说，氯硅烷水解形成固体块状的东西，将里面的氯硅烷包缚起来，使里面的氯硅烷不能完全水解，即形成黄色的东西。

就像楼主所说还原炉拆下来后发现管道内有这些东西，这可能是管道内残余的氯硅烷暴露在空气中，而空气中的水份使其水解但又不能不能完全水解，就形成黄色的不完全水解物。

至于这些不完全水解物是不是高氯化物，硅卤化合物，成分比较复杂，易燃，不能敲击，要用碱液清洗

我现在有一个系统设计：

我选用了球阀，包括气动和手动，金属密封，阀径DN25~DN80；

工况：

温度300~350度，PN16，介质为氢气和硅粉、氯硅烷。

现在业主提出球阀在这个工况下（主要是温度）存在泄漏、阀动作不敏等隐患，建议换用闸阀。

请问：

球阀在这个工况条件下适用吗？

使用寿命大概是多少年？

（我选的是一个进口品牌，球阀的质量一般意义上能保证）

您这个工况我们再熟悉不过了，我们这几年很多的工况都类似于您的这个，按照我们的掌握材料，进口的顶级球阀如Neles、VTI等，在这样的条件下的工作寿命基本在6-8个月，出现的问题主要是卡堵（打不开或者关不到位）以及硬密封面的冲蚀和磨损，我们的方案是盘阀，在这样的工况下的使用寿命已经有24个月了，如果您感兴趣，请写邮件给我xian101@，我们愿意为您的系统设计和方案配置尽绵薄之力，分享我们的理解和经验。

DN25~DN80，温度300~350度，还含硅粉

用蝶阀不大合适吧。

请教一下，你们用盘阀用的是everlasting还是富泰斯啊？

目前使用效果如何啊？

孔板流量计精度问题

大家认为孔板流量计的精度如何，有个厂大部分采用的都是孔板流量计，包括氢气、还原尾气、循环水、导热油、三氯氢硅料等，但是在实际生产过程中发现，好些流量反映不是很准确，感觉有的误差超过50%以上，不知有那位同行采用的是孔板流量计，实际运行中精度如何，误差范围有多少

孔板相对于其他流量计（电磁，涡街等）精度是差些，且一定的测量范围，但有它的优势价格便宜，不受外界干扰，能测量大流量。

基本上测液体流量的超过1000Kg/h和测气体超过200Nm3/h的用的都是孔板流量计

在管路上装有一块孔板，孔板两侧接测压管，分别与U型压差计相连接。

孔板流量计是利用流体通过锐孔的节流作用，使流速增大，压强减小，造成孔板前后压强差，作为测量的依据。

若管路直径为d1，孔板锐孔直径为d0，流体流经孔板后所形成缩脉的直径为d2，流体密度为ρ。

在界面I，Ⅱ处即孔板前测压导管处和缩脉处的速度，压强分别为u1，u2与p1，p2，根据柏努利方程式，不考虑能量损失可得：

（u22－u12）/2=（p1－p2）/ρ=gh

或（u22－u12）1/2=（2gh）1/2

由于缩脉的位置随流速的变化而变化，截面积S2又难以知道，而孔口的面积却是知道的，测压口的位置在设备制成后也不改变，因此，用孔板孔径处的u0来代替u2，又考虑到流体因局部阻力而造成的能量损失，并用校正系数C来校正。

则有：

（u02－u12）1/2=C（2gh）1/2

对于不可压缩流体，根据连续性方程式又有：

u1=u0S0/S1

则经过整理后可得：

u0=C*（2gh）1/2/[1－（S0/S1）2]1/2

令C0=C/[1－（S0/S1）2]1/2则又可以简化为：

u0=C0（2gh）1/2

根据u0和S2即可算出流体的体积流量：

Vs=u0*S0=C0*S0*（2gh）1/2[m3/s]

或Vs=C0*S0*[2gR（ρr－ρ）/ρ]1/2[m3/s]

式中：

R—U型压差计的读数，[m]；

ρr—压差计中指示液的密度，[kg/m3]；

C0—孔流系数，它由孔板锐孔的形状，测压口的位置，孔径与管径比和雷诺准数共同决定，具体数值由实验确定。

当d1/d2一定，Re准数超过某个数值后，C0就接近于定值。

一般在工业上定型孔板流量计都规定在C0为常数的流动条件下使用。

来自XX

从成本上讲,对数多好,这样可以增加产量,降低电耗

个人认为要结合炉子的几何参数，结合操作条件，做流体动力学和热力学分析，找到较适合硅棒生长的炉子设计参数。

据我所知，国内大多还是12对棒的，小吨位的多晶硅生产厂也有9对棒的。

12对棒成熟，但肯定是越多，产量越大越好。

目前有24对棒、48对棒、60对棒

做流体动力学和热力学分析，计算炉子设计参数。

三氯氢硅流化床的流态化数n？

0.10~2.0m/S

我取的是0.126m/s的流速 

流化数是9 

颗粒粒径不一样 

取的也会不一样的。

分布器用的是侧缝锥帽式，开孔率是0.0065.分布板压降是124kg/m2.

硅棒生长过程中根部颜色变成了蓝色

多晶可能呈现异常的色泽,当然也可能形成了化合物膜（C/N/O）.杂质占了主导颜色的地位，C

沉积过程中杂质分布不均匀，或者沉积速度有些慢都会出现变色，其中变色多为蓝色或暗黄色。

杂质多为氮化物。

现在很多罐区的立式储罐为防止沉降在罐底出料口都设置金属软管，但是储存氯硅烷的罐子能这么用吗？

？

氯硅烷的膨胀性金属软管能否承受住，大家都是用的什么方法处理这部分的问题的？

一般有几种方法。

1、走罐底，用屏蔽泵或者计量泵或者磁力泵（个人认为屏蔽泵最好用）。

优点：

简单便捷，方便设计和操作。

缺点：

隐患重大，若底部阀门出现泄露或者损坏，检修时相当困难，且若从底部泄露危险太大。

2、走罐顶，用N2压。

安全。

容器必须设计成压力容器，若罐过大成本增加过大。

出料随N2压力波动而波动。

中间路线，料走罐顶，用屏蔽泵，同时在罐内用氮压，但是要设定好氮的压力，

在多晶硅的生产工艺过程中，一般会设置哪些工艺联锁或设备联锁？

还原炉供电启停，水系统泵、阀，制氢系统装置开停，进料阀、泵，尾气阀，可燃有毒系统与排风机的联系，其它子系统内部联锁，回路控制联锁。

三氯氢硅液态流量Kg/h如何转换成气态流量Nm3/h啊?

分子量：

135.43

　　熔点（101.325kPa）：

-134℃；

沸点（101.325kPa）：

31.8℃；

液体密度（0℃）：

1350kg/m3；

相对密度（气体，空气=1）：

4.7；

蒸气压（-16.4℃）：

13.3kPa；

（14.5℃）

KG/135.25*22.4=Nm3

还原炉内壁为何会有淡黄色物质？

如何形成的？

如何清洗？

硅卤化合物，易燃易爆，不能敲击，最好用百分之三十的碱液清洗

几种物质混合在一起的，也说不清楚其主要成分，但是易燃易爆，还原炉内各部位的温度不同，所以发生的反应也不一样，用纯水清洗，再吹干。

少量时不需要清洗，可以阻止钟罩杂质向炉内扩散，提高硅棒质量；

大量存在时，才需要清洗

还原反应炉窥视孔会模糊，产生类似白色物质，但不是硅油，请问高手们，该如何防止这一现象那？

是水温低还是窥视孔氢气量小的缘故

1，严格控制炉内温度，不能过高过低2，保正炉筒水温度高3，在正常散热的基础上，提高视孔水温度

4，视孔氢预热，量可以加大一些，一句话，严格控制温度

视镜模糊主要和冷却方式有关。

视孔的温度太低了，把视孔冷却水温度适