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可更換式濾芯"

是用聚丙烯的紗線所纏繞而成的中空短狀柱體,讓加壓的槽液從外向內流過,而將浮游的細小粒子予以補捉,是一種深層式過濾的媒體。

8、Complexion錯離子(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

電解質溶在水中會水解成爲離子,如食鹽即可水解成簡單的Na+與Cl-。

但有些鹽類水解後卻會形成複雜的離子,如金氰化鉀(金鹽)KAuCN2即水解爲K+的簡單離子,及Au(CN)-2的複雜離子。

此一Complex即表示其"

錯綜複雜"

的含義,當年在選擇譯名時,是抄自日文漢字的"

錯離子"

此名詞多少年來一直困擾著學生們,實在難以望文生義。

早年的前輩學者若能在上述四字中只要不選"

錯"

字,其他三字都比較好懂,也不致一"

到現在已無法再改了,而且還要一直"

下去。

可見譯筆之初,確實應該要抱執著戒恐謹慎的心理,還要小心從事認真考據才不致遺害後人。

又Component則爲錯化劑,如氰化物,氨氣等能使他種元素進行錯化反應者謂之。

9、ConductiveSalt導電鹽(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

貴金屬鍍液中,因所加入貴金屬的含量不是很多(鍍金液中含金量僅5g/1左右),爲維持槽液良好的導電度,還須在槽液中另加一些鉀鈉的磷鹽酸或其他有機鹽類,做爲導電用途,稱爲導電鹽。

10、DeionizedWater去離子水(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

利用陰陽兩種交換樹脂,將水中已存在的各種離子予以吸附清除,而得到純度極高的水稱爲"

去離子水"

簡稱DI水,亦稱爲DemineralizedWater,俗稱純水,可充做各種電鍍藥水的配製用途。

11、Deposition皮膜處理(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

指在各種底材之表面上,以不同的加工方法如電鍍、真空蒸著、化學鍍、印刷、噴塗等,形成各式外層皮膜者,稱爲Deposition。

12、Dragin/Dragout帶進/帶出(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是指板子在濕式制程各槽站之間進出時,常因多孔而將前一槽溶液的化學品"

帶出"

,經過水洗後仍可能有少許殘迹,而被"

帶進"

下一站槽液中,如此將會造成下一槽的污染。

故其間必須徹底水洗,以延長各槽液的使用壽命。

13、Dummy,Dummying假鍍片,假鍍(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

各種電鍍槽液在一段時間的操作後,都要進行活性炭處理以除去有機污染,同時也要加挂假鍍片,以很低的電流密度對金屬雜質加以析鍍。

這種假鍍片通常是用大面的不銹鋼片,按每吋寬的劃分多格後,再以60度方向多次往復彎折成波浪型,刻意造成明顯的高低電流區,來"

吸鍍"

槽液中的金屬雜質。

這種假鍍片平時也可用做鍍液的維護工具。

一般裝飾性的光澤鍍鎳,必須時時進行這種維護性的假鍍工作。

14、ElectrolyticCleaning電解清洗(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

將待清洗的金屬物件,挂在清洗槽液中(含清潔劑及表面濕潤劑)的陰極或陽極上,在施加外電流中,可在陽極上産生氧氣,在陰極上産生氫氣。

在利用槽液的清潔本性、氣泡的鼓動,及掀起作用下,可使物件表面達到除汙清洗的目的,稱爲電解清洗。

在一般金屬電鍍流程中用途極廣,甚至還可採用陰陽極交替的方式(PolarityRevesserse;

P.R.),非常方便及有效。

15、ElectrolyticToughPitch電解銅(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

爲銅材的一種品級,是將"

轉爐"

中所治煉得的粗銅(即泡銅),另挂在硫酸銅槽液中當成陽極,再以電解方式從陰極上得較純的銅,即成爲這種ETP電解銅(含氧0.025~0.05%)。

若另將這種ETP銅放在還原性環境中再行冶煉,即可成爲更好的"

無氧銅"

或"

磷銅"

,可做爲電鍍銅槽液中的陽極。

16、Electro-tinning鍍錫(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

也是一種電鍍方式,但目的卻不在乎鍍層的完美與否,而僅采低電流及非溶解性陽極方式,欲將溶液中金屬離子鍍在廣大面積的多片陰極板上,以達到回收金屬及減輕排放水中金屬污染的目的。

電路板業界常在蝕銅液的循環系統中,加設這種電解回收裝置。

17、FaultPlane斷層面(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

早期的焦磷銅的鍍層中,常因有機物的累積,而造成其片狀結晶銅層中産生局部黑色微薄的裂面,其原因是由於共同沈積的碳原子集中所致。

從微切片的畫面中可清楚看到弧形的黑線,稱之爲"

斷層"

18、Filter篩檢程式、濾光鏡片(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

在濕制程槽液作業中,爲清除其中所産生的固態粒子而加裝的過濾設備,稱之爲篩檢程式。

此字有時也指光學放大鏡,特殊效果的濾光鏡片而言。

19、Gilding鍍金(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是鍍金老式的說法,現在已通用GoldPlating。

20、Hardness硬度(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是指物質所具有抵禦外物入侵的一種"

耐刺穿性"

(ResistancetoPenetration)。

例如以一堅硬的刺頭(Penetrator)用力壓在金屬表面時,會因被試面的軟硬不一,而出現大小不同的壓痕(Indentation),由此種壓痕的深淺或面積可決定其硬度的代表值。

常見的硬度可分爲"

一萬硬度"

及"

微硬度"

兩種,前者如高強鋼,經鍍硬鉻後的表面上,在壓頭(Indentator)荷重150公斤所測到的硬度,可用"

RC-60"

表示之(即Rockwell"

C"

scale的60度)。

微硬度檢測時荷重較輕,例如在25克荷重下,可在鍍金層的截面上,以努普(Knoop)壓頭所測到的微硬度,可表達爲"

KHN25150"

(即表示採用25克荷重的測頭於顯微鏡下小心壓在金層斷面上,以其長菱形的大小而得到150度的數位)。

一般鍍金層由於需具備較好耐磨損性起見,對其微硬度常有所講究,但以KHN25150~200之間的韌性爲宜,太硬了反易磨損。

一般經回火後的純金,其微硬度即回降爲KHN2580左右。

21、HydrogenEmbrittlement氫脆(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

因電鍍溶液是由水所配製,故在電鍍的同時,水也會被電解而在陰極上産生氫氣滿在陽極産生氧氣。

那是由於帶正電的H會往陰極遊動,帶負電的O=會往陽極遊動之故。

由於氫氣的體積很小,故當其在陰極外表登陸,而又未及時被趕走浮離時,則很可能有一部份,會被後來登陸的金屬所覆蓋而殘留在鍍層中,甚至還會往金屬底材的細縫中鑽進,造成鍍件的脆化稱爲"

氫脆"

此現象對高強鋼物體之爲害極大,二次大戰時,美軍即發現很多飛機的起落架常會折斷,後來才研究出那是因電鍍時的"

所造成的。

一般鹼性鍍液的"

氫脆性"

要比酸性鍍液少,而且若能在鍍完後立即送進烤箱在200℃下烘烤2小時以上,可將大部份氫氣趕出來,此二種做法皆可減少氫脆的發生。

22、LaminarStructure片狀結構(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

在電路板中是指早期所用的"

焦磷酸鍍銅"

之銅層,其微觀結構即爲標準的層狀片狀組織,與高速所鍍之銅箔(1000ASF以上)所具有的柱狀結構(ColumnarStructure)完全不同。

後來所發展的硫酸銅鍍層,則呈現無特定結晶組織狀態,但是其所表現的平均延伸性(Elongation)以及抗拉強度(TensileStrength)卻反而較前兩者更好。

23、Leveling整平(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

電鍍槽液中所添加的有機助劑,大體可分爲光澤劑及載運劑(Carrier)兩類,整平劑(Leveler或LevellingAgent)即屬後者之一。

電路板之鍍銅尤不可缺少整平劑,否則深孔中央將很難有銅層鍍上。

其所以幫助鍍層整平的原理,是因高電流密度區將會吸附較多的有機物(如整平劑),導致該處電阻增大而令銅離子不易接近,或將電流消耗在産生氫氣上,令低電流密度高電阻區也可進行鍍積(Deposit),因此可使鍍層漸趨均勻。

裸銅板各種露出待焊的銅面上,需再做噴錫層,其原文亦稱爲HotAirLeveling,大陸術語的爲"

熱風整平"

24、MigrationRate遷移率(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

當在絕緣基材體中或表面上發生"

金屬遷移"

時,在一定時間內所呈現的遷移距離,謂之MigrationRate。

25、Migration遷移(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

此字在電路板工業中有兩種用途,其一即爲上述"

質量傳輸"

中所言,指電鍍溶液中的金屬離子,受到電性的吸引而往陰極移動的現象,稱爲"

遷移"

除此之外,若在金手指的銅表面上直接鍍金時,則彼此二者原子之間,也會産生遷移的現象,因而其間還必須另行鍍鎳予以隔離,以保持金層不致因純度劣化而造成接觸電阻的上升。

各種金屬中最容易發生"

者,則非銀莫屬,當鍍銀的零件在進行焊接時,其銀份很容易會往焊錫中"

,特稱爲SilverMigration或SilverDepletion,原因可能是受到水氣及電位的刺激而影響所致。

當零件腳表面的銀份都溜進了焊錫中後,其焊點的強度將不免大受影響,常有裂開的危機。

因而只好在不計成本之下,在焊錫中刻意另加入2%的銀量,以防止鍍銀零件腳這種焊後的惡性遷移.另在厚膜電路(ThickFilm,指瓷質的混成電路Hybrid表面所印的"

銀/鈀"

導線而言),其中的銀份也會往外溜走,甚至可達好幾㎜之遠(見R.J.KleinWassink名著SolderinginElectronics,1984第一版之P.142;

及1989第二版之p.217)。

其他如錫、鉛、銅、銦等雖也會遷移,但卻都比銀輕微得很多。

26、Nodule瘤(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

在電路板工業中多指鍍銅槽液不潔,有固體粒子存在,造成在板面上線路邊緣、孔口、或孔壁上形成瘤狀粒子的分佈,這種不良現象稱爲鍍瘤。

又"

電鍍銅箔"

的毛面,亦曾經過後處理鍍過黃銅;

而使其原已粗糙的毛面上,再形成許多小瘤,如同馬鈴薯的根瘤一般,可增加銅箔與基材之間的附著力。

此種後處理即稱爲"

NodulizationTreatment"

27、Occlusion吸藏(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

此字在PCB領域中是指板材或鍍層,在其正常組成之內,由制程所引入外來的異物,且此等雜質一旦混入組織中即不易排除,謂之"

吸藏"

最典型的例子如早期添加蛋白槽液的氟硼酸錫鉛鍍層中,即發生因共鍍而吸藏多量的有機物。

當此種鍍層進行高溫重熔時(Reflow),其所吸藏的有機揮發物即形成氣泡,而被逼出錫鉛合金實體之外,形成一些火山口(Craters)的情形,並在表面呈現砂礫狀高低不平沾錫不良之外貌。

28、OFHC無氧高導電銅(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是OxygenfreeHighConductivity的縮寫,爲銅材品級的一種,簡稱"

其含純銅量應在99.95%以上,導電度平均應爲101%IACS(IACS是指InternationalAnnealedCopperStandard),而"

比電阻"

值約爲1.673microhm/cm/cm2。

早期電路板之焦磷酸鍍銅制程,即採用此種品級的銅材做爲陽極。

注意OFHC之縮寫,早期是一家"

AmmericanMetalClimax,INC"

公司的商標,現已通用爲一般性的名詞了。

29、Outgrowth懸出,橫出,側出(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

當鍍層在不斷增厚下,將超過阻劑(如幹膜)的高度而向兩側發展,猶如"

紅杏出牆"

一般,此等橫生部份自其截面上觀之,即被稱爲"

Outgrowth"

幹膜阻劑由於圍牆側壁較直也較高,故較不易出現二次銅或錫鉛層的"

懸出"

但網印油墨之阻劑,則因其邊緣呈現緩緩向上的斜坡,故一開始鍍二次銅時就會出現橫生的"

注意Outgrowth、Undercut及Overhang等三術語,業者經常順口隨便說說,對其定義實際並未徹底弄清楚。

甚至許多中外的文章書藉中也經常弄錯。

不少爲文者甚至對術語之內容並未充份瞭解之下,亦信手任意亂翻,每每導致新手們無所適從。

爲了回歸正統起見,特將1992年4月發行的電路板品質標準規範IPC-RB-276中的圖5引證於此,對此三詞加以仔細厘清,以正本清源減少誤導。

30、Overhang總浮空(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

由前述"

Outgrowth"

所附IPC-RB-276之圖5可知,所謂Overhang是指:

線路兩側之不踏實部分;

亦即線路兩側越過阻劑向外橫伸的"

,加上因"

側蝕"

內縮的剩部份,二者之總和稱爲Overhang。

31、PanelPlating全板鍍銅(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

當板子完成鍍通孔(PTH)制程後,即可實施約20分鐘的全板鍍銅,讓各孔銅壁能增厚到0.2~0.3mil,以保證板子能安全通過後續的"

影像轉移"

制程,而不致出現差錯。

此種PanelPlating,在臺灣業界多俗稱爲"

一次銅"

,以別於影像轉移後電鍍線路的"

二次銅"

此等電路板前後兩次電鍍銅的做法,堪稱是各種制程中最穩當最可靠的主流,長期看來仍比"

厚化學銅"

法有利。

32、PatternPlating線路電鍍(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是指外層板在完成負片阻劑之後,所進行的線路鍍銅(二次銅)及鍍錫鉛而言。

33、Rack挂架(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是板子在進行電鍍或其他濕式處理時(如黑化、通孔等),在溶液中用以臨時固定板子的夾具。

而電鍍時的挂架除需能達成導電外還要夾緊板面,以方便進行各種擺動,與耐得住槽液的激蕩。

通常電鍍用的挂架,還需加塗抗鍍的特殊塗料,以減少鍍層的浪費與剝鍍的麻煩。

34、Robber輔助陰極(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

爲避免板邊地區之線路或通孔等導體,在電鍍時因電流分佈,而形成過度之增厚起見,可故意在板邊之外側另行加設條狀之"

輔助陰極"

,或在板子周圍刻意多留一些原來基板之銅箔面積,做爲吸引電流的犧牲品,以分攤掉高電流區過多的金屬分佈,形成局外者搶奪當事者的電流分佈或金屬分佈,此種局外者俗稱"

Robber"

Thief"

,以後者較流行。

35、SelectivePlating選擇性電鍍(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

是指金屬物體表面,在其局部區域加蓋阻劑(Stopoff)後,其餘露出部份則仍可進行電鍍層的生長。

此種浸於鍍液中實施局部正統電鍍,或另以刷鍍方式對付局部體積較大的物體,均爲選擇性電鍍。

36、Sludge沈澱物,淤泥(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

槽液發生沈澱時,其鬆軟的泥體稱爲Sludge。

有時電鍍用的陽極不純,在陽極袋底亦常累積一些不溶解的陽極泥AnodeSludge。

37、StepPlating梯階式鍍層(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

這是一種早期焦磷酸鍍銅時期常出現的毛病。

當板面直立時其高電流區孔環下緣處,常發生鍍銅層厚度較薄的情形,從正面看來外形有如嵌入的淚滴一般,故又稱爲TearDrop,亦稱爲SkipPlating。

造成的原因可能是孔口附近的兩股水流沖激過於猛烈,形成渦流(Turbulance)或擾流之半真空狀態(Cavitation),且還因該處之光澤劑吸附太多,以致出現局部陰極膜(Cathodicfilm)太厚,使得銅層的增長比附近要相對減緩,因而最後形成該處的銅層比附近區域,甚至比孔壁還薄,特稱爲StepPlating。

38、StrayCurrent迷走電流,散雜電流(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

電鍍槽系統中,其直流電是由整流器所供應的,應在陽極板與被鍍件之間的彙電杆與槽液中流通。

但有時少部份電流也可能會從槽體本身或加熱器上迷走、漏失,特稱爲StrayCurrent。

39、Strike預鍍,打底(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

某些鍍層與底金屬之間的密著力很難做到滿意,故須在底金屬面上,以快速方式先鍍上一層薄鍍層,再迎接較厚的同一金屬主鍍層,而使附著力增強之謂。

如業界所常用到的銅、鎳或銀等預鍍或打底等即是。

此字若譯爲"

衝擊電鍍"

則不免有些過份僵硬不合實情。

除電鍍層外,某些有機皮膜的塗裝,也常有打底或底漆的做法。

40、Thief輔助陰極,竊流陰極(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

處於陰極之待鍍電路板面四周圍,或其板中的獨立點處,由於電流密度甚高,不但造成鍍層太厚,且亦導致鍍層結晶粗糙品質劣化。

此時可在板面高電流區的附近,故意加設一些無功用又不規則的鍍面或框條,以分攤消化掉太過集中的電流。

此等刻意加設非功能性的陰極面,稱爲Thief或Robber。

41、TinWhishers錫須(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

鍍純錫層在經過一段時間後,會向外産生須狀的突出物而且還會愈來愈長,往往造成的電路導體之間的短路,其原因大概是在鍍錫過程中,鍍層內已累積了不少應力,錫須的生長可能是"

應力消除"

的一種現象。

鍍層中只要加入2~4%少許的鉛量即可防止此一困擾,因而電子産品不宜選擇純錫鍍層。

42、Treeing枝狀鍍物,鍍須(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

在進行板面線路鍍銅時,各導體線路的邊緣常因電流密度過大而有樹枝(Dendritic)狀的金屬針狀物出現,稱爲Treeing。

但在其他一般性電鍍中,鍍件邊緣高電流密度區域也會偶有枝狀出現,尤其以硫酸錫槽液之鍍純錫,即很容易發生多量的須狀鍍枝,也稱爲Whiskering。

43、Underplate底鍍層(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

某些功能性的複合鍍層,在表面鍍層以下的各種鍍層皆可稱爲Underplate。

如金手指中的底鍍鎳層,或線路兩層鍍銅中的"

一次全板鍍銅"

等。

Underplate與StrikePlate不同,後者是指厚度極薄,其目的只是在增強後續鍍層的附著力,其譯名應爲"

打底鍍層"

,如"

銀打底"

即爲常見者。

44、WattsBath瓦茲鍍鎳液(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

以硫酸鎳(330g/1)、氯化鎳(45g/1),及硼酸(37G/1)所配製的電鍍鎳溶液,很適合光澤鎳與半光澤鎳的制程,已成爲業界的標準配方。

這是O.P.Watts在1916年所首先宣佈的,由於性能良好故一直延用至今,特稱爲WettsBath。

45、WettingAgant潤濕劑(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

又稱爲Wetter或Surfactant,是降低水溶液表面張力的化學品。

取其少量加入溶液中,可令溶液容易進入待處理物品的小孔或死角中,以達到處理之目的。

也可讓被鍍件表面的氫氣泡便於脫離逸走,而減少凹點的形成。

46、Whisker晶鬚(鍍銅、鎳、金、錫、錫鉛)

板面導體之間,由於鍍層內應力或環境的因素(如溫度及電壓),使得純銀或純錫鍍層中,在老化過程中會有單晶針狀異常的"

晶鬚"

出現,常造成搭橋短路的麻煩。

但若在純錫中加入部份鉛量後,則可防止其生須的問題。

銅金屬在硫化物環境中也偶會有晶鬚出現。

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