模拟电子技术教程第3章习题答案Word格式.docx

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（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻RC或RD的作用是把电流IC或ID的变化转换为电压的变化。

（12）放大电路的非线性失真包括饱和失真和截止失真，引起非线性失真的主要原因是放大器工作点偏离放大区。

（13）三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的高频特性最好，估计这与晶体管的结电容有关。

（14）从静态管耗及提高输入阻抗的角度上考虑，设计放大器应选用场效应类晶体管，尤其是MOS类晶体管。

（15）单管共射放大器，在负载开路的情况下，直流负载线和交流负载线重合；

任何放大器在静态工作点处，直流负载线与交流负载线必相交。

（16）晶体管输入特性描述的是在输出管压降不变的情况下，输入电流与输入电压的关系，场效应管不描述输入特性，这是因为其输入电流从理论上讲恒为0。

（17）场效应管是用垮导来描述其放大倍数的，从这个意义来讲，它可方便地组成电压输入电流输出型放大器。

（18）可以用来求静态工作点，gm可以吗（不可以）

2.试分析图3-28所示各电路是否能够放大正弦交流信号，如果不能，指出其错误，并改正。

（a）（b）（c）

（d）（e）（f）

（g）（h）（i）

图3-28习题2电路图

解：

（a）不能，发射结没有加偏置。

改：

Rb接地一端改接到VCC

（b）不能，VBB使ui短路。

串接Rb到上VBB支路；

（c）不能，集电结正偏置。

加基极电阻Rb

（d）不能，PNP管，电源加反。

：

改:

VCC改成-VCC

（e）可以；

（f）不能，结型，UGS=VCC.改：

RG接电源端改接地端；

（g）不能，C使ui短路。

去掉C;

（h）可以；

（i）不能，UGS=IDQRS>

0,而P沟道增强型管要求小于0。

偏置电路换成分压式的。

3.画出图3-29所示各电路的直流通路和交流通路。

设所有电容对交流信号均可视为短路。

（a）（b）

（c）（d）

图3-29习题3电路图

图3-29所示各图的直流、交流通路如下图所示

习题3（a）答案

习题3（b）答案

习题3（c）答案

习题3（d）答案

图3-30习题4电路图

4.电路如图3-30所示，已知晶体管＝100，rbb′=300Ω，VCC＝10V，UBE＝，晶体管饱和管压降UCES＝。

（1）求电路的静态工作点；

（2）当出现下列各种故障时用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少

（a）C1短路；

（b）C2短路；

（c）Rb1短路

（3）画出微变等效电路，求Au、Ri及Ro。

负载开路时其动态性能如何变化

（1）

（2）C1短路时:

晶体管截止，UCQ=VCC=10V

C2短路时:

Rb1短路时：

晶体管饱和，UCQ=UCES=

（3）

习题4（3）的微变等效电路

负载开路时，Au增大一倍，Ri、Ro不变

5．电路如图3-31（a）所示为PNP管组成的放大电路，输入端加正弦交流信号。

已知β=100，rbb′=200Ω。

（1）估算静态工作点；

（2）画出微变等效电路；

求Au、Aus、Ri及Ro。

（3）改变输入信号的幅度并调节Rb的值，用示波器观察输出波形，当出现题图3-31（b）所示的三种失真现象时，分别说明是什么性质的失真如何消除

（a）（b）

图3-31习题5电路图

设IBQ、ICQ电流参考方向为流入，IEQ为流出：

习题5（a）微变等效电路

（2）

（a）截止失真，减小Rb

（b）饱和失真,增大Rb

（c）截止和饱和失真,减小输入信号幅度

6.放大电路如图3-32（a）所示，输入信号为正弦波。

（1）试分析图中标有符号的各电量（电流或电压）哪些属于直流量哪些纯粹是交流量哪些是在直流量上叠加交流量设电路中各电容对交流短路。

图3-32习题6电路图

（2）在图3-32（b）晶体管的输出特性曲线上做直流负载线和交流负载线，分析动态范围。

（1）uc1、uc2、uc、iR是直流量，uCE、iC、iRC、iRb直流叠加交流，uo是交流量

（2）

习题6

（2）交、直流负载线

最大不失真输出电压：

7.在图3-33所示电路中，VCC=24V，RL=RC=2kΩ,β=50，Rb1=10kΩ，Rb2=30kΩ，Re1=2kΩ,Re2=150Ω,Rs=1kΩ，rbb′=200Ω。

图3-33习题7电路图

（1）求静态工作点的值。

如果断开Rb1，电路能否正常放大

（2）画出微变等效电路；

计算Au、Ri及Ro。

（3）设输入正弦信号us的有效值10mV，计算输出电压uo的有效值。

断开Rb1，基极电流太大，晶体管进入饱和区，不能正常放大。

习题7

（2）微变等效电路

8.在图3-34所示电路中，VCC=12V，Re=RL=2kΩ，UBE=，β=100。

图3-34习题8电路图

（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb的阻值；

（2）画出微变等效电路，计算Au、Ri及Ro。

（3）求该电路的跟随范围（即最大不失真输出电压的峰-峰值）

习题8微变等效电路

图3-35习题9电路图

9.如图3-35所示射级跟随器电路。

设图中所有电容对交流短路，β=100，rbe=2kΩ。

当电路满足Rb3>

>

rbe的条件时，写出电容C断开和接上两种情况下放大电路输入阻抗Ri的数学表达式，对两种结果进行比较分析，说明电容C的作用。

C断开时：

C接入：

此电路为自举式射级输出器。

电容C的接入增大了输入电阻。

一般当满足Rb3>

rbe，Rb1

图3-37所示的放大电路中，已知VDD=15V，管子参数IDSS=4mA，UGS（off）=－6V。

设所有电容在交流通路中可视为短路。

（1）希望静态偏置IDQ=1mA，试求：

UGSQ、Rs及gm

（2）画出微变等效电路，计算当Rd=9kΩ时的电压增益Au

UGSQ=-3V

UGSQ=-IDQRS

RS=3K

习题11微变等效电路

图3-38习题12电路图

12.在图3-38所示的放大电路中，已知VDD=-30V，管子参数IDSS=-7mA，UGS（off）=8V。

设C1、C2在交流通路中可视为短路。

（1）求静态工作点IDQ、UGSQ、UDSQ的值。

（2）为了保证管子工作在恒流区，求Rs2可能取的最大值。

解:

图3-39习题13电路图

13.电路如图3-39所示，已知场效应管转移特性曲线上的工作点参数为（0V，）。

（1）求满足电路要求所对应的电阻Rs的值；

（2）计算gm=V时放大电路Au、Ri和Ro的值

（3）此电路将管子换成JFET管可以工作吗要换成增强型管需改哪些参数

（1）为P沟道耗尽型MOS管，已知：

UGSQ=0，IDQ=

（3）换成P沟道结型场效应管可以工作；

换成P沟道增强型管需要改变RS值或RG1及RG2的分压比例，使UGSQ>

0。

14.电路如图3-40所示，已知场效应管的中低频跨导为gm，写出当开关S打开和闭合时放大电路的Au、Ri和Ro的表达式。

图3-40习题14电路图

图3-41习题15电路图

15．源极输出器电路如图3-41所示，已知场效应管工作点的中低频跨导gm=,其他参数如图3-41所示。

求电压增益Au、输入阻抗Ri和输出阻抗Ro。

图3-42习题16电路图

16．如图3-42所示场效应管放大电路。

（1）指出其放大组态；

（2）考虑rDS的影响，写出输出阻抗Ro的表达式

（1）共栅极放大电路

图3-43习题17电路图

17.根据场效应管的离散性，已知某种管子转移特性的变化范围如图3-43所示。

设计一共源放大器，使其漏极电流保持在图示的A、B之间。

指出偏置电路的类型并估算偏置电路的参数

【修正：

教材中该题图3-43两黑点应落在A、B曲线上】

设计如图所示混合偏置放大器，UGS=UG-IDRS为偏置线方程，按照题目要求，负载线是过AB两点的直线，设AB连线交于横轴UG点，取RG1、RG2值使

等于图中对应之值，然后再确定Rs之值，显然：

（a）负载线（b）电路

习题17答案图