常用半导体中英对照表Word文档格式.docx
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微电子辞典大集合
回流reflow
（按首字母顺序排序）
磷硅玻璃phosphorosilicateglass
硼磷硅玻璃boron-phosphorosilicateglass
A
钝化工艺passivationtechnology
多层介质钝化multilayerdielectricpassivation
Abruptjunction突变结
划片scribing
Acceleratedtesting加速实验
电子束切片electronbeamslicing
Acceptor受主
烧结sintering
Acceptoratom受主原子
印压indentation
Accumulation积累、堆积
热压焊thermocompressionbonding
Accumulatingcontact积累接触
热超声焊thermosonicbonding
Accumulationregion积累区
冷焊coldwelding
Accumulationlayer积累层
点焊spotwelding
Activeregion有源区
球焊ballbonding
Activecomponent有源元
楔焊wedgebonding
Activedevice有源器件
内引线焊接innerleadbonding
Activation激活
外引线焊接outerleadbonding
Activationenergy激活能
梁式引线beamlead
Activeregion有源（放大）区
装架工艺mountingtechnology
Admittance导纳
附着adhesion
Allowedband允带
封装packaging
Alloy-junctiondevice
金属封装metallicpackaging
合金结器件Aluminum（Aluminium）铝
陶瓷封装ceramicpackaging
Aluminum–oxide铝氧化物
扁平封装flatpackaging
Aluminumpassivation铝钝化
塑封plasticpackage
Ambipolar双极的
玻璃封装glasspackaging
Ambienttemperature环境温度
微封装micropackaging，又称“微组装”。
Amorphous无定形的，非晶体的
管壳package
Amplifier功放扩音器放大器
管芯die
Analogue（Analog）comparator模拟比较器
引线键合leadbonding
Angstrom埃
引线框式键合leadframebonding
Anneal退火
Anisotropic各向异性的
Anode阳极
Arsenic（AS）砷
Auger俄歇
Augerprocess俄歇过程
Avalanche雪崩
Avalanchebreakdown雪崩击穿
Avalancheexcitation雪崩激发
Icrank芯片排行榜
B
Backgroundcarrier本底载流子
Backgrounddoping本底掺杂
Backward反向
Backwardbias反向偏置
Ballastingresistor整流电阻
Ballbond球形键合
Band能带
Bandgap能带间隙
Barrier势垒
Barrierlayer势垒层
Barrierwidth势垒宽度
Base基极
Basecontact基区接触
Basestretching基区扩展效应
Basetransittime基区渡越时间
Basetransportefficiency基区输运系数
Base-widthmodulation基区宽度调制
Basisvector基矢
Bias偏置
Bilateralswitch双向开关
Binarycode二进制代码
Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体
Bipolar双极性的
BipolarJunctionTransistor（BJT）双极晶体管Bloch布洛赫
Blockingband阻挡能带
Blockingcontact阻挡接触
Body-centered体心立方
Body-centredcubicstructure体立心结构
Boltzmann波尔兹曼
Bond键、键合
Bondingelectron价电子
Bondingpad键合点
Bootstrapcircuit自举电路
Bootstrappedemitterfollower自举射极跟随器
Boron硼
Borosilicateglass硼硅玻璃
Boundarycondition边界条件
Boundelectron束缚电子
Breadboard模拟板、实验板
Breakdown击穿
Breakover转折
Brillouin布里渊
Brillouinzone布里渊区
Built-in内建的
Build-inelectricfield内建电场
Bulk体/体内Bulkabsorption体吸收
Bulkgeneration体产生
Bulkrecombination体复合
Burn-in老化
Burnout烧毁
Buriedchannel埋沟
Burieddiffusionregion隐埋扩散区
C
Can外壳
Capacitance电容
Capturecrosssection俘获截面
Capturecarrier俘获载流子
Carrier载流子、载波
Carrybit进位位
Carry-inbit进位输入
Carry-outbit进位输出
Common-gate/drain/sourceconnection
共栅
Cascade级联
/漏/源连接
Case管壳
Common-modegain共模增益
Cathode阴极
Common-modeinput共模输入
Center中心
Common-moderejectionratio（CMRR）
共模
Ceramic陶瓷（的）
抑制比
Channel沟道
Compatibility兼容性
Channelbreakdown沟道击穿
Compensation补偿
Channelcurrent沟道电流
Compensatedimpurities补偿杂质
Channeldoping沟道掺杂
Compensatedsemiconductor补偿半导体
Channelshortening沟道缩短
ComplementaryDarlingtoncircuit互补达林顿
Channelwidth沟道宽度
电路
Characteristicimpedance特征阻抗
ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor
Charge电荷、充电
Field-Effect-Transistor（CMOS）
Charge-compensationeffects电荷补偿效应
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Chargeconservation电荷守恒
Complementaryerrorfunction余误差函数
Chargeneutralitycondition电中性条件
Computer-aideddesign
Charge
（CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅
drive/exchange/sharing/transfer/storage电
助设计/测试/制
荷驱动/交换/共享/转移/存储
造
Chemmicaletching化学腐蚀法
CompoundSemiconductor化合物半导体
Chemically-Polish化学抛光
Conductance电导
Chemmically-MechanicallyPolish（CMP）化学
Conductionband（edge）导带（底）
机械抛光Chip芯片
Conductionlevel/state导带态
Chipyield芯片成品率
Conductor导体
Clamped箝位
Conductivity电导率
Clampingdiode箝位二极管
Configuration组态
Cleavageplane解理面
Conlomb库仑
Clockrate时钟频率
ConpledConfigurationDevices结构组态
Clockgenerator时钟发生器
Constants物理常数
Clockflip-flop时钟触发器
Constantenergysurface等能面
Close-packedstructure密堆积结构
Constant-sourcediffusion恒定源扩散
Close-loopgain闭环增益
Contact接触
Collector集电极
Contamination治污
Collision碰撞
Continuityequation连续性方程
CompensatedOP-AMP补偿运放
Contacthole接触孔
Common-base/collector/emitterconnection
Contactpotential接触电势
共基极/集电极/发射极连接
Continuitycondition连续性条件
Contradoping反掺杂
Deepdonorlevel深施主能级
Controlled受控的
Deepimpuritylevel深度杂质能级
Converter转换器
Deeptrap深陷阱
Conveyer传输器
Defeat缺陷
Copperinterconnectionsystem铜互连系统
Degeneratesemiconductor简并半导体
Couping耦合
Degeneracy简并度
Covalent共阶的
Degradation退化
Crossover跨交
DegreeCelsius（centigrade）/Kelvin摄氏/开氏
Critical临界的
温度
Crossunder穿交
Delay延迟Density密度
Crucible坩埚
Densityofstates态密度
Crystaldefect/face/orientation/lattice晶体缺
Depletion耗尽
陷/晶面/晶向/晶
Depletionapproximation耗尽近似
格
Depletioncontact耗尽接触
Currentdensity电流密度
Depletiondepth耗尽深度
Curvature曲率
Depletioneffect耗尽效应
Cutoff截止
Depletionlayer耗尽层
Currentdrift/dirve/sharing电流漂移/驱动/共
DepletionMOS耗尽MOS
享
Depletionregion耗尽区
CurrentSense电流取样
Depositedfilm淀积薄膜
Curvature弯曲
Depositionprocess淀积工艺
Customintegratedcircuit定制集成电路
Designrules设计规则
Cylindrical柱面的
Die芯片（复数dice）
Czochralshicrystal直立单晶
Diode二极管
Czochralskitechnique切克劳斯基技术（Cz法
Dielectric介电的
直拉晶体J）
Dielectricisolation介质隔离
Difference-modeinput差模输入
D
Differentialamplifier差分放大器
Differentialcapacitance微分电容
Danglingbonds悬挂键
Diffusedjunction扩散结
Darkcurrent暗电流
Diffusion扩散
Deadtime空载时间
Diffusioncoefficient扩散系数
Debyelength德拜长度
Diffusionconstant扩散常数
De.broglie德布洛意
Diffusivity扩散率
Decderate减速
Diffusioncapacitance/barrier/current/furnace
Decibel（dB）分贝
扩散电容/势垒/电流/炉
Decode译码
Digitalcircuit数字电路
Deepacceptorlevel深受主能级
Dipoledomain偶极畴
Dipolelayer偶极层
Electronaffinity电子亲和势
Direct-coupling直接耦合
Electronic-grade电子能
Direct-gapsemiconductor直接带隙半导体
Electron-beamphoto-resistexposure
光致抗
Directtransition直接跃迁
蚀剂的电子束曝光
Discharge放电
Electrongas电子气
Discretecomponent分立元件
Electron-gradewater电子级纯水
Dissipation耗散
Electrontrappingcenter电子俘获中心
Distribution分布
ElectronVolt（eV）电子伏
Distributedcapacitance分布电容
Electrostatic静电的
Distributedmodel分布模型
Element元素/元件/配件
Displacement位移Dislocation位错
Elementalsemiconductor元素半导体
Domain畴Donor施主
Ellipse椭圆
Donorexhaustion施主耗尽
Ellipsoid椭球
Dopant掺杂剂
Emitter发射极
Dopedsemiconductor掺杂半导体
Emitter-coupledlogic发射极耦合逻辑
Dopingconcentration掺杂浓度
Emitter-coupledpair发射极耦合对
Double-diffusiveMOS（DMOS）双扩散MOS.
Emitterfollower射随器
Drift漂移Driftfield漂移电场
Emptyband空带
Driftmobility迁移率
Emittercrowdingeffect发射极集边（拥挤）效
Dryetching干法腐蚀
应
Dry/wetoxidation干/湿法氧化
Endurancetest=lifetest寿命测试
Dose剂量
Energystate能态
Dutycycle工作周期
Energymomentumdiagram能量-动量（E-K）
Dual-in-linepackage（DIP）双列直插式封装
图
Dynamics动态
Enhancementmode增强型模式
Dynamiccharacteristics动态属性
EnhancementMOS增强性
Dynamicimpedance动态阻抗
MOSEntefic（低）共溶的
Environmentaltest环境测试
E
Epitaxial外延的
Epitaxiallayer外延层
Earlyeffect厄利效应
Epitaxialslice外延片
Earlyfailure早期失效
Expitaxy外延
Effectivemass有效质量
Equivalentcurcuit等效电路
Einsteinrelation（ship）爱因斯坦关系
Equilibriummajority/minoritycarriers
平衡多
ElectricEraseProgrammableReadOnly
数/少数载流子
Memory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器
ErasableProgrammableROM（EPROM）
可搽取
Electrode电极
（编程）存储器
Electrominggratim电迁移
Errorfunctioncomplement余误差函数
Etch刻蚀
Frequencydeviationnoise频率漂移噪声
Etchant刻蚀剂
Frequencyresponse频率响应
Etchingmask抗蚀剂掩模
Function函数
Excesscarrier过剩载流子
Excitat
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