电子技术基础数字部分第五版答案康华光.docx

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电子技术基础数字部分第五版答案康华光

第一章数字逻辑习题

1.1数字电路与数字信号

1.1.2图形代表的二进制数

010110100

1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:

(1)周期;

(2)频率;(3)占空比例

MSBLSB

0121112(ms)

解:

因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms

频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ

占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%

1.2数制

1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于42.

(2)127(4)2.718

解:

(2)(127)D=-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H72

(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H

1.4二进制代码

1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:

(1)43(3)254.25

解:

(43)D=(01000011)BCD

1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:

P28

(1)+

(2)@(3)you(4)43

解:

首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制

数表示。

(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H

(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H

(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75

(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33

1.6逻辑函数及其表示方法

1.6.1在图题1.6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

 

解:

(a)为与非,(b)为同或非,即异或

 

第二章逻辑代数习题解答

2.1.1用真值表证明下列恒等式

(3)ABABAB⊕=+(A⊕B)=AB+AB

解:

真值表如下

A

B

AB⊕

AB

AB

AB⊕

AB+AB

0

0

0

1

0

1

1

0

1

1

0

0

0

0

1

0

1

0

0

0

0

1

1

0

0

1

1

1

 

由最右边2栏可知,与AB+AB的真值表完全相同。

2.1.3用逻辑代数定律证明下列等式

(3)()AABCACDCDEACDE++++=++

解:

()AABCACDCDE++++

(1)ABCACDCDE=+++

AACDCDE=++

ACDCDE=++

ACDE=++

2.1.4用代数法化简下列各式

(3)()ABCBC+

解:

()ABCBC+

()(ABCBC=+++

ABACBBBCCBC=+++++

(1ABCABB=++++

ABC=+

(6)()()()(ABABABAB++++

解:

()()()(ABABABAB++++

()()ABABABAB=.+.+++

BABAB=++

ABB=+

AB=+

AB=

(9)ABCDABDBCDABCBDBC++++

解:

ABCDABDBCDABCBDBC++++

()(

()

()

()

ABCDDABDBCDCBACADCDBACADBACDABBCBD=++++

=+++

=+++

=++

=++

 

2.1.7画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图,限使用非门和二输入与非门

(1)LABAC=+

 

(2)()LDAC=+

 

(3)()(LABCD=++

 

2.2.2已知函数L(A,B,C,D)的卡诺图如图所示,试写出函数L的最简与或表达式

 

解:

(,,,)LABCDBCDBCDBCDABD=+++

2.2.3用卡诺图化简下列个式

(1)ABCDABCDABADABC++++

解:

ABCDABCDABADABC++++

()()()()()ABCDABCDABCCDDADBBCCABCDD=+++++++++

ABCDABCDABCDABCDABCDABCDABCD=++++++

 

(6)(,,,)(0,2,4,6,9,13)(1,3,5,7,11,15)LABCDmd=+ΣΣ

解:

 

LAD=+

(7)(,,,)(0,13,14,15)(1,2,3,9,10,11)LABCDmd=+ΣΣ

解:

 

LADACAB=++

2.2.4已知逻辑函数LABBCCA=++,试用真值表,卡诺图和逻辑图(限用非门和与非

门)表示

解:

1>由逻辑函数写出真值表

A

B

C

L

0

0

0

0

0

0

1

1

0

1

0

1

0

1

1

1

1

0

0

1

1

0

1

1

1

1

0

1

1

1

1

0

 

2>由真值表画出卡诺图

 

3>由卡诺图,得逻辑表达式LABBCAC=++

用摩根定理将与或化为与非表达式

LABBCACABBCAC=++=..

4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图

 

第三章习题

3.1MOS逻辑门电路

3.1.1根据表题3.1.1所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一种最合适工作在高噪声

环境下的门电路。

表题3.1.1逻辑门电路的技术参数表

 

(min)/OHVV

VOL(max)/V

(min)/IHVV

(max)/ILVV

逻辑门A

2.4

0.4

2

0.8

逻辑门B

3.5

0.2

2.5

0.6

逻辑门C

4.2

0.2

3.2

0.8

 

解:

根据表题3.1.1所示逻辑门的参数,以及式(3.1.1)和式(3.1.2),计算出逻辑门A的

高电平和低电平噪声容限分别为:

NHAV=—=2.4V—2V=0.4V(min)OHV(min)IHV

(max)NLAV=—=0.8V—0.4V=0.4V(max)ILV(max)OLV

同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:

NHBV=1V

NLBV=0.4V

NHCV=1V

NLCV=0.6V

电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C

3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种

逻辑门性能最好

表题3.1.3逻辑门电路的技术参数表

 

/pLHtn

/pHLtn

/DPmW

逻辑门A

1

1.2

16

逻辑门B

5

6

8

逻辑门C

10

10

1

 

解:

延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即

DP=tpdPD

根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为

ADP=

2PLHPHLtt+

DP=

(11.2)

2ns+

*16mw=17.6*1210.J=17.6PJ

同理得出:

BDP=44PJCDP=10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的

性能最好.

3.1.5为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属

于逻辑0:

(1)输入端接地;

(2)输入端接低于1.5V的电源;(3)输入端接同类与非门的输

出低电压0.1V;(4)输入端接10kΩ的电阻到地.

解:

对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:

OLV=0.1V,ILV=1.5V,因此有:

(1)=0

(2)<1.5V=ViILV,属于逻辑门0

(3)<0.1

(4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即

Vi<0.01V

3.1.7求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式.

 

解:

图解3.1.7所示电路中L1=AB,L2=BC,L3=D,L4实现与功能,即L4=L1L2L3,而

L=

..

4LE..,所以输出逻辑表达式为L=ABBCDE......

3.1.9图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n个三态门的输出接到数据传输总

线,D1,D2,……Dn为数据输入端,CS1,CS2……CSn为片选信号输入端.试问:

(1)CS信号如何进行控制,以便数据D1,D2,……Dn通过该总线进行正常传输;

(2)CS信号能

否有两个或两个以上同时有效?

如果出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况?

(3)如果

所有CS信号均无效,总线处在什么状态?

 

解:

(1)根据图解3.1.9可知,片选信号CS1,CS2……CSn为高电平有效,当CSi=1时第i个三

态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上,根据数据传输的速度,分时地给CS1,

CS2……CSn端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上.

(2)CS信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突,即总

线不能同时既为0又为1.

(3)如果所有CS信号均无效,总线处于高阻状态.

3.1.12试分析3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能

 

(A)(B)

 

(C)(D)

解:

对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时,和均导通,和

构成的反相器正常工作,L=

2PT2NT1PT1NTA,当EN=1时,和均截止,无论A为高电平还是

低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态

非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。

2PT2NT

图题3.1.12(b)所示CMOS电路,EN=0时,导通,或非门打开,和构成反

相器正常工作,L=A;当

2PT1PT1NTEN=1时,截止,或非门输出低电平,使截止,输出端

处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其表示符号如图题解3.1.12(b)所示。

2PT1NT

同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高

电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门,其表示符号分别如图题3.1.12(c)和图题

3.1.12(d)所示。

 

A

L

0

0

1

0

1

0

1

0

高阻

1

1

 

3.1.12(a)

 

A

L

0

0

0

0

1

1

 

1

0

高阻

1

1

高阻

 

3.1.12(b)

EN

A

L

0

0

高阻

0

1

高阻

1

0

0

1

1

1

 

3.1.12(c

A

L

0

0

1

0

1

0

1

0

高阻

1

1

高阻

 

3.1.12(d)

3.2.2为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:

(1)输入端悬空;

(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端

接10kΩ的电阻到地。

解:

(1)参见教材图3.2.4电路,当输入端悬空时,T1管的集电结处于正偏,Vcc作用于T1

的集电结和T2,T3管的发射结,使T2,T3饱和,使T2管的集电极电位

Vc2=VcEs2+VBE3=0.2+0.7=0.9V,而T4管若要导通VB2=Vc2≥VBE4+VD=0.7+0.7=1.4V,故T4

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