IGBT的结构原理与特性图解Word文件下载.docx

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在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。

而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。

附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

　　图1N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构　　IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。

IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

　　IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件，是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。

N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）；

P+区称为漏区，器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。

在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成）称为亚沟道区（Subchannelregion）。

而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态压降。

　　图2IGBT的结构　　IGBT是由一个N沟道的MOSFET和一个PNP型GTR组成，它实际是以GTR为主导元件，以MOSFET为驱动元件的复合管。

IGBT除了内含PNP晶体管结构，还有NPN晶体管结构，该NPN晶体管通过将其基极与发射极短接至MOSFET的源极金属端使之关断。

IGBT的4层PNPN结构，内含的PNP与NPN晶体管形成了一个可控硅的结构，有可能会造成IGBT的擎柱效应。

IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际使用中（感性负载）需要搭配适当的快恢复二极管。

　　IGBT的理想等效电路及实际等效电路如下图所示：

　　图3IGBT的理想等效电路及实际等效电路　　由等效电路可将IGBT作为对PNP双极晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。

　　因此，在门极-发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，PNP晶体管的基极-集电极就连接上了低电阻，从而使PNP晶体管处于导通状态，由于通过在漏极上追加p+层，在导通状态下，从p+层向n基极注入空穴，从而引发传导性能的转变。

因此，它与功率MOSFET相比，可以得到极低的通态电阻。

　　此后，使门极-发射极之间的电压为0V时，首先功率MOSFET处于断路状态，PNP晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。

　　如上所述，IGBT和功率MOSFET一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。

　　IGBT的工作特性：

　　1.静态特性　　IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

　　IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。

输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。

它与GTR的输出特性相似，也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。

在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。

如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此，限制了IGBT的某些应用范围。

　　IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。

它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th）时，IGBT处于关断状态。

在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。

最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

　　IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。

IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。

尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。

此时，通态电压Uds（on）可用下式表示：

　　Uds（on）=Uj1+Udr+IdRoh　　式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～1V;

Udr——扩展电阻Rdr上的压降;

Roh——沟道电阻。

　　通态电流Ids可用下式表示：

　　Ids=（1+Bpnp）Imos　　式中Imos——流过MOSFET的电流。

　　由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。

IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

　　1动态特性　　IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。

td（on）为开通延迟时间，tri为电流上升时间。

实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td（on）tri之和。

漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。

　　IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。

当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：

器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。

因为IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。

　　IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。

IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。

IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。

IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。

　　IGBT的工作原理：

　　IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。

较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

　　N沟型的IGBT工作是通过栅极-发射极间加阀值电压VTH以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。

该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极-发射极间饱和电压。

工作时的等效电路如图1（b）所示，IGBT的符号如图1（c）所示。

在发射极电极侧形成n+pn-寄生晶体管。

若n+pn-寄生晶体管工作，又变成p+n-pn+晶闸管。

电流继续流动，直到输出侧停止供给电流。

通过输出信号已不能进行控制。

一般将这种状态称为闭锁状态。

　　为了抑制n+pn-寄生晶体管的工作IGBT采用尽量缩小p+n-p晶体管的电流放大系数α作为解决闭锁的措施。

具体地来说，p+n-p的电流放大系数α设计为0.5以下。

IGBT的闭锁电流IL为额定电流（直流）的3倍以上。

IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，通断由栅射极电压uGE决定。

　　导通　　IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。

基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。

当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。

如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。

最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：

一个电子流（MOSFET电流）;

空穴电流（双极）。

uGE大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。

　　导通压降　　电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。

　　关断　　当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。

在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。

这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。

少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：

功耗升高;

交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。

　　鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。

因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的，尾流特性与VCE、IC和TC有关。

　　栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。

　　反向阻断　　当集电极被施加一个反向电压时，J1就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。

因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。

另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。

　　正向阻断　　当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/NJ3结受反向电压控制。

此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。

　　闩锁　　IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管。

在特殊条件下，这种寄生器件会导通。

这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。

晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。

通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：

　　式中Imos——流过MOSFET的电流。

　　只在关断时才会出现动态闩锁。

这一特殊现象严重地限制了安全操作区。

　　为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：

一是防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别；

二是降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。

　　此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切;

在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。

因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：

5。