红外光电探测器发展动态.docx

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红外光电探测器发展动态

1红外光电探测器的的历史

红外探测成像具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、可全天候、全天时工作等优点在军用和民用领域都得到了极为广泛的应用按照探测过程的物理机理，红外探测器可分为两类即热探测器和光电探测器。

光电探测器的工作原理是目标红外辐射的光子流与探测器材料相互作用，并在灵敏区域产生内光电效应。

因具有灵敏度高、响应速度快的优点，光电探测器在预警、精确制导、火控和侦察等红外探测系统中得到广泛应用。

红外焦平面阵列可探测目标的红外辐射，通过光电转换、电信号处理等手段，可将目标物体的温度分布图像转换成视频图像，是集光、机、电等尖端技术于一体的红外光电探测器H。

目前许多国家，尤其是美国等西方军事发达国家，都花费大量的人力、物力和财力进行此方面的研究与开发，并获得了成功。

红外光电探测器研究从第一代开始至今已有40余年历史，按照其特点可分为三代。

第一代（1970s～1980s）主要是以单元、多元器件进行光机串／并扫描成像，以及以4×288为代表的时间延迟积分（TDI，timedelayintegration）类扫描型（scanning）红外焦平面列阵。

单元、多元探测器扫描成像需要复杂笨重的二维、一维扫描系统结构，且灵敏度低。

第二代红外光电探测器是小、中规格的凝视型（staring）红外焦平面列阵。

M×N凝视型红外焦平面探测元数从1元、N元变成M×N元，灵敏度也分别从l与N1/2增长M×N1/2倍和M1/2。

而且，大规模凝视焦平面阵列，不再需要光机扫描，大大简化整机系统。

目前，正在发展第三代红外光电探测器。

探测器具有大面阵、小型化、低成本、双色（two-color）与多色（multi-color）、智能型系统级灵巧芯片等特点，并集成有高性能数字信号处理功能，可实现单片多波段融合高分辨率探测与识别。

因此，本文将重点综述三代红外光电探测器的材料体系及其研究现状，并分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。

2三代探测器的材料体系与发展现状

红外光电探测器的材料很多，但真正适于发展三代红外光电探测器，即响应波段灵活可调的双色与多色红外焦平面列阵器件的材料则很少。

目前，主要有传统的HgCdTe和QWIPs，以及新型的二类SLs和QDIPs，共四个材料体系。

作为长波红外（LWIR），特别是双色与多色红外的光电探测材料，它们的主要特性如表1所示。

下面对三代红外光电探测器的四个材料体系及其各自的发展现状进行简单地介绍。

表1HgCdTe、二类超晶格和量子阱作为长波红外探测材料的主要特性

2．1HgCdTe材料及其三代红外探测器

HgCdTe红外光电探测器现已广泛应用于预警卫星、侦察、制导、遥感和天文等领域。

由于，HgCdTe外延薄膜生长技术已趋于成熟，用分子束外延（MBE）或金属有机化合物气相沉积（MOVPE）等技术可以制备多层或更加复杂的器件结构，能获得适于三代双色、多色红外光电探测器发展需要的HgCdTe多层异质结材料。

国际上知名研究机构有美国DRS、Raytheon、法国Sofradir、英国SELEx和德国AIM等，已研制、生产的高水平商用碲镉汞红外焦平面探测器有：

长波640×480、中波2048×2048、短波4096×4096、双色／双波段1280×720。

表2是美国Raytlleon、法国Sofradir和英国SELEx公司报道的相同像素规格、响应波段与像元尺寸的单色和双色红外光电探测器性能情况。

表2双色HgCdTe红外焦平面探测器性能表

最近，英国SELEx公司报道了硅基HgCdTe双色探测器和砷化镓基HgCdTe三色红外光电探测器的研究进展。

硅基HgCdTe双色探测器规模为320×256，中波与长波截止波长为5μm/9.5μm，噪声等效温差（NETD）分别为16．6mK／32．8mK，有效像元率分别为99．4％/98．2％。

三色红外光电探测器是由采用MOVPE在砷化镓（GaAs）衬底上生长的N-P-P—p—n型多层异质结HgcdTe薄膜材料，通过微台面列阵隔离、表面钝化与金属化层制作以及铟柱列阵制备来获得的。

三色红外光电探测器是在两个背靠背光电二极管的双色红外光电探测器的中间势垒区增加一个响应居中波段（IM，intermediatewavelength）的有源区。

短波、长波工作是其相应光电二极管在小反偏下来实现的。

当电子势垒在短波光电二极管大反偏下被降低时，IM有源区光生少数载流子能从IM有源区注入到短波光电二极管，从而实现居中波段工作，进而实现红外光电探测器的三色探测。

HgCdTe三色红外光电探测器的性能，与两个背靠背光电二极管中间势垒区的掺杂浓度水平，以及势垒和短波光电二极管结区之间相对位置有密切的关系。

目前，MOVPE、分子束外延（MBE）可精确控制纵向的组分变化、原位掺杂浓度以及各种过渡区相对位置，能实现三色、四色探测的HgCdTe多层异质结材料生长。

2．2QWIPs材料及其三代红外探测器

QWIPS利用量子阱中能级电子跃迁原理实现目标的红外辐射探测，其探测波长可覆盖6—20um。

由于材料和器件工艺成熟、产量高、成本低，经过近15年的快速发展，已成为长波致冷型红外焦平面器件的两大主要分支之一。

基于“能带工程”和“波函数工程”获得的量子阱材料，能级结构可“柔性裁减”的QⅥPS非常适合于发展双色、多色的红外焦平面列阵器件。

目前，美国和英、法、德、瑞典等欧洲发达国家已研制出全电视制式的640×512（包含640×480）长波红外焦平面器件和中等规模的320×240（包含256×256，384×288格式）双色器件产品。

美国NAsA／ARL联合研制的大面阵1024×1024长波红外焦平面和NASA／JPL研制的1024×1024双色、640×512四色红外焦平面，代表了当前GaAs／A1．GaAs量子阱红外探测器的最高研究水平。

2009年，美国国家航空航天局（NASA）下属的喷气推进实验室（JPL，JetPmpulsionLaboratory），报道了1024X1024规格、30um像元的中波/长波双色红外焦平面列阵的性能，技术参数是在68K制冷、f/2视场角和300K背景下获得的。

MWIR和LWIR的响应波段分别为3．5—5．5um和6．5—9．Oum，噪声等效温差（NETD）分别为27mK和40mK，有效像元率分别为99％和97．5％。

2002年，喷气推进实验室（JPL）研制出640×512四色焦平面，探测波段分别位于4—6um、8．5—10um、10～12um和13—15um。

每个像元内的四色探测在空间上是横向错位排列的。

四个波段背景限温度分别为40K，50K，60K，120K（f/5朋视场角、300K背景），NETD分别为21．4mK，45．2mK，13．5mK，44．6mK（40K）。

2．3二类sLs材料及其三代红外探测器

InAs／GaSb二类SLS红外光电探测器具有一些独特的优点，是HgCdTe和GaAs／AlGaAs量子阱材料之外的新一代红外探测器材料，也是近年来颇受关注的面向第三代焦平面器件技术的发展方向之一。

首先，通过调节二类SLS中InAs势阱的宽度或采用GaInSb势垒能控制二类SLS结构的有效带隙，红外探测器响应波长能覆盖3—20um整个范围。

其次，InAs／GaSb二类SLS对红外辐射的吸收是基于重空穴子带至电子子带的跃迁，即带间子带跃迁，探测器无需光栅耦合就能工作，在大大降低了器件制备的难度同时又提高了探测器的量子效率。

并且带间子带跃迁也决定了InAs／GaSb二类SLS红外光电探测器是光伏型探测器，无需外加大的偏压。

最后，通过降低InAs／GaSb二类SLS红外光电探测器的暗电流，可提高探测器的工作温度和灵敏度，同时可以利用Ⅲ一V族半导体材料较为成熟的材料技术和器件工艺，能降低红外光电探测器的成本。

二类SLs探测材料具有响应波长可调节的优点，也非常适合于发展双色、多色的红外焦平面列阵器件。

光伏型二类SLS红外光电探测器具有很高的量子效率，可以减少积分时间。

例如，德国Fraunhofer应用物理研究所研制的256×256中波二类SLs红外光电探测器，5ms积分时间时NETD为11．1mK，而积分时间为1ms时NETD也能达到25mK。

320×256规格、30um像元的长波二类SLS红外光电探测器，0．23ms积分时间时NETD为33mK（f/2视场角、300K背景）。

这些技术参数性能基本达到HgCdTe的水平。

最近，雷声公司和JPL实验室获得了640×512规格的二类SLs中波红外焦平面探测器。

2009年，报道了384×288规格、40um像元的InAs／Gasb二类SLS双色红外焦平面探测器。

两个波段NETD分别为29．5mK（3．4um一4．1um）和16．5mK（4．1um～5．1um）（73K制冷、2．8ms积分时间、f/2视场角和300K背景）。

2．4QDIPs材料及其三代红外探测器

量子点又称“人造原子”，目前量子点作为提高电子与光电子器件性能的一种手段，已经被广泛应用。

量子点的尺寸很小，通常只有10nm，因此其具有独特的三维光学限制特性。

与量子阱红外光电探测器相比，量子点红外光电探测器具有无需制作表面光栅就能响应垂直入射的红外光照射，以及工作温度更高等优势。

目前，量子点红外光电探测器的研究主要集中于在量子阱中嵌入量子点（DWELL，dot—in—a-well）的异质结构。

因此，DWELL异质结构的红外探测器兼备了传统QWIPs和QDIPs的特点。

一方面，与量子点红外光电探测器一样，在正入射时不需要光栅或光耦合，并具有较高的工作温度。

另一方面，可以通过共同控制QDs（QuantumDots）尺寸、形状、应变和材料组分，以及QWs（QuantumWells）尺寸来灵活调节DWELL异质结构红外光电探测器的响应波长。

而且，QDIPs器件的光谱响应波段具有偏压选择特性，可在MWIR、LWIR以及甚长红外波段（VL-WIR，>14um）的光谱范围内实现双色、多色探测，非常适合于发展三代以及未来新一代红外光电探测器。

最近，报道的640×512规格、8．1um截止波长的DWELL结构光电探测器，其NETD为40mK（60K工作温度，VB=-350mV。

f/2视场角，30Hz帧频和300K背景）。

在三代红外光电探测器方面，Varley等人实现了320×256规格DWELL结构的MWIR／LRIR双色红外光电探测器，其MW和LW的NETD分别为55mK和70mK。

3红外光电探测器的发展趋势

3．1未来光电探测材料的选择

虽然，HgCdTe材料存在制备困难、均匀性差、器件工艺特殊和稳定性差等缺点，致使HgCd乳红外光电探测器的成品率低。

为此，人们始终没有放弃寻找更低成本、更高稳定性的新型红外光电探测材料的努力。

但是，在量子效率、工作温度、响应速度和多光谱探测等综合性能上，迄今还没有一种新材料能同时具有等同或超过HgCdTe材料的优点。

所以，为满足未来军事、天文和航天应用更高的性能要求，HgcdTe材料在未来相当长的一个时间段内仍然是三代、四代IRFPAs探测器的首选。

与此同时，HgCdTe红外探测器自身也在进行降低成本、拓展波长等追求，以提高竞争力。

QWIPs光电探测器是GaAs基材料，在本身材料与器件工艺方面具有稳定性高、成本低的优势。

相对HgCdTe探测器而言，在均匀性、成本方面具有明显的优势。

但是，QWIPs红外光电探测器的量子效率比碲镉汞低约1个数量级，同时工作温度要求要低约10—30K。

从IRFPAs探测器的功能特征上看，QWIPs技术将重点在VLWIR和超大规模方面拓展自身的优势。

InAs／GaSb二类SLS红外光电探测器是新一代红外探测器材料。

由于InAs和GaSb的最优生长温度并不相同，以及InAs／GaSb界面有两种类型，即类InSb和类GaAs界面，致