最新半导体英文词汇讲课讲稿Word文档下载推荐.docx

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各向异性-在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.

沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染。

Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.

椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。

Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.（Note:

Thistermisnotpreferred;

instead,use‘backsurface’.）

背面-晶圆片的底部表面。

（注：

不推荐该术语，建议使用“背部表面”）

BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.

底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.

双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.

绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.

绑定面-两个晶圆片结合的接触区。

BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.

埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。

BuriedOxideLayer（BOX）-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.

氧化埋层（BOX）-在两个晶圆片间的绝缘层。

Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.

载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

Chemical-MechanicalPolish（CMP）-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.

化学-机械抛光（CMP）-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。

此工艺在前道工艺中使用。

ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.

卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.

解理面-破裂面

Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.

裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。

Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.

微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

Conductivity（electrical）-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.

传导性（电学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.

导电类型-晶圆片中载流子的类型，N型和P型。

Contaminant,Particulate（seelightpointdefect）

污染微粒（参见光点缺陷）

ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.

沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。

ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.

沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。

CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.

晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

CrystalIndices（seeMillerindices）

晶体指数（参见米勒指数）

DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.

耗尽层-晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.

表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”.

施主-可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。

Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.

搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。

晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III和V族元素中发现。

Doping-Theprocessofthedonationofanelectronorholetotheconductionprocessbyadopant.

掺杂-把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

EdgeChipandIndent-Anedgeimperfectionthatisgreaterthan0.25mm.

芯片边缘和缩进-晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。

EdgeExclusionArea-Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.（Thisvariesaccordingtothedimensionsofthewafer.）

边缘排除区域-位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。

（根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。

）

EdgeExclusion,Nominal（EE）-Thedistancebetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.

名义上边缘排除（EE）-质量保证区和晶圆片外围之间的距离。

EdgeProfile-Theedgesoftwobondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyormechanically.

边缘轮廓-通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。

Etch-Aprocessofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmaterials.