中国集成电路布图设计权保护评述Word下载.docx

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事实上，中国政府早在1991年就开始起草《集成电路布图设计保护条例》。

这一动议肇始于《集成电路知识产权条约》的制订。

早在1986年，就召开了多次外交会议和专家会议，研究、起草《集成电路条约》，中国政府积极参与了该条约起草的全过程。

1990年5月，在华盛顿召开外交会议，通过了集成电路条约，包括中国在内的多数国家投票赞成。

此后，中国政府立即组织专门小组开始研究和起草《集成电路布图设计保护条例》。

在起草工作初期，的《集成电路条约》是中国立法的主要参考文件。

1993年，在GATT乌拉圭回合谈判中，Trips协议草案的邓克尔文本提出后，考虑到中国当时正试图恢复其GATT缔约国的地位，Trips协议成为中国起草《集成电路布图设计保护条例》所参考的最为重要的文献由于WIPO的《集成电路条约》一直未能生效；

加之中国加入WTO的进程又是一波三折，中国的《集成电路布图设计保护条例》一直没有一个适当的出台时机。

直到2001年，中国在加入WTO方面出现了转机，为配合国内外各方面的工作，中国政府颁布了《集成电路布图设计保护条例》。

就在这一年，中国加入了WTO.本文拟就中国《集成电路布图设计保护条例》的规定，同Trips协议和WIPO的《集成电路条约》以及有关国家的法律，分别从权利的保护对象、范围、内容和效力等方面，从知识产权法律理论的角度进行分析、评论和比较。

一、保护对象

中国的《集成电路布图设计保护条例》开宗明义在标题上直接采用布图设计作为中心词，这就将其保护范围限定于半导体集成电路，因为只有半导体集成电路在制造过程中对布图设计有着必然的依赖。

该条例第二条在界定集成电路概念时专门指明，条例中所称集成电路为半导体集成电路。

将保护范围限定在半导体集成电路范围是国际上的通例。

美国是世界上第一个颁布集成电路保护法律的国家，从美国1978年首次提出集成电路保护的问题，到1984年颁布专门立法的过程可以看出，布图设计一直被作为这类法律保护的直接对象

.应当说，这一法律的最基本的目的就是为了防止未经许可随意复制他人的布图设计。

此后，日本、瑞典等国的保护集成电路的国内法均采用了这种“美国模式”。

1986年在美、日等国的提议下，WIPO开始制订保护集成电路的条约。

尽管该条约在总体设计上采用了前述美国模式，但在其起草过程中，也曾经就是否明确将保护对象限定在半导体集成电路之内发生过争论。

在1988年11月的草案中，对于是否在集成电路之前加上“半导体”这一文字限定，依旧是两种方案。

事实上，通过保护布图设计的手段来达到保护集成电路目的的美国模式本身，已经将保护对象限定在半导体集成电路的范围之内了。

因为在目前的技术发展水平上，布图设计本身就是针对半导体集成电路的，每一种半导体集成电路都必然与一套特定的布图设计相对应。

而半导体集成电路之外的混合集成电路，如薄膜或者厚膜集成电路均不直接涉及布图设计的问题。

美国人甚至在其国内法的标题上或正文中就直接采用了半导体芯片或者半导体产品的提法。

中国的集成电路保护条例从起草到颁布的整个过程，都一直使用半导体集成电路的提法。

这种做法不仅同国际社会保持一致，而且也符合知识产权制度本身的功能分配。

对于半导体集成电路之外的其他集成电路，如前述混合集成电路中并不存在像布图设计这样复杂的设计，充其量也就存在一些如同印刷电路、相对简单的金属化互联引线。

严格说来，混合电路只是一种由若干分立器件或半导体集成电路组合而成的功能性组件，完全不同于半导体集成电路将全部器件集成于单片的硅或化合物半导体材料之中。

因此，对于半导体集成电路之外的其他相关产品完全可以适用专利法加以保护。

不致出现如半导体集成电路所面临的与专利法之间的不和谐

.尽管世界各国在其立法模式上普遍采用了保护布图设计的美国模式，但对布图设计的称谓却各不相同。

世界上最早立法保护集成电路的三个国家中就分别采用了三种不同的叫法：

美国人称其为掩模作品；

日本人则使用了线路布局的提法；

瑞典人使用的是布图设计。

但这并不算结束，随后跟进的欧共体指令

却又使用了形貌结构。

在这多个术语中，中国与WIPO的《集成电路条约》保持一致，采用了布图设计的称谓。

美国法所使用的“掩模作品”，虽然在产业界十分流行，但在技术层面上显然已经落后。

如今，相对先进的制造商已经完全可以不再使用传统的掩模板来制造集成电路。

所有掩模图形均可以存储于计算机中，通过控制电子束扫描进行表面曝光，或者通过低能加速器进行离子注入等技术均可将掩模图形集成于半导体材料之中。

而日本人所使用的线路布局一词则很容易同印刷电路混淆，在产业界也少有人这样称呼布图设计。

相比之下，布图设计和形貌结构则是较为通行的用法，其中形貌结构原本为地理学中术语，指起伏不平的地貌，后微电子产业借用了这一术语，用以指代布图设计。

但在汉语环境中，布图设计的用法更为普遍，故中国的相关规定采用了布图设计一词

.从上面分析可知，中国的国内法在保护对象方面采取了与国际上相关国际条约或者有关国家的国内法完全相同的模式，即通过直接赋予布图设计以专有权的方式，来实现保护采用该布图设计的集成电路的目的。

二、权利内容的设定各国在集成电路保护问题上都采用了设权方式，即在传统的知识产权体系中新设立一种既不同于专利权，也不同于着作权等传统知识产权形式的新型权利—布图设计权

.就中国而言，考虑到中国立法的直接目的，自然不可能另外闭门自造一套与众不同的制度。

根据中国《集成电路布图设计保护条例》，布图设计权人享有对受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分进行复制的专有权，和将受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品投入商业利用的专有权。

[10]这一规定同wTO的Trips协议相比，仅仅在文字表述方式上存在差异，其权利内容是完全相同的。

[11]从前述规定中可以发现，所谓布图设计权在内容上包含两个方面，即复制权和商业实施权。

而这两项内容在原有的知识产权种类中，分别属于着作权和专利权中的权能。

布图设计权则兼采二者内容于一身，这反映出集成电路保护法在原有的知识产权体系中介于专利权和着作权之间的特殊地位，这一特性同样在布图设计受保护的条件上得到突出反映。

受着作权法保护的作品必须具备独创性，被授予专利权的发明则必须具备创造性，即只有相对比现有技术水平有较大提高的发明才能获得专利权，这是各国专利法的通行做法。

而从目前国际社会对于独创性的解释可知，作品只需具备最低限度的创造性即被认为具备了独创性。

由此可以推知，专利法中的创造性在创造高度方面的要求显然高于着作权法中的独创性。

而各国的集成电路保护法及相关国际条约在保护条件方面的规定，一方面借用了着作权法中关于独创性的概念，另一方面又要求受保护的布图设计不能是平庸或者司空见惯的。

[12]可见在法律上对受保护布图设计在创造性方面所提出的要求正好介于着作权法和专利法之间。

布图设计权之所以在内容上兼采着作权和专利权中的内容，根本原因还是布图设计本身同时具有着作权法和专利法保护对象的双重属性。

布图设计在外在形式上，表现为一系列的图形。

如欧共体集成电路保护指令中就直接将布图设计定义为一系列的图形，

[13]当这些平面图形按照一定的规则被固化在硅片表面下不同深度中后，便可形成三维的立体结构，实现特定的电子功能，也就是说这种外在表现为图形的布图设计有其内在的实用功能，其最终的价值是通过特定的电子功能得以实现的，正是因为布图设计的这种属性导致了布图设计权在内容上的设计也具备了类似着作权和专利权的属性。

三、权利效力和限制在各类知识产权中，受法律保护的条件存在高下之分。

这必然导致权利效力也存在强弱不同。

着作权的效力仅限于作品的表达，而专利权所能延及的层面则比着作权法中的表达更为抽象。

专利权的效力不仅延及于某一技术方案的某种具体实现方式，而且可以延及该技术方案本身。

从前述布图设计权的内容的介绍中可以看出，中国法规中所规定的布图设计权，在效力上同专利权的设计并无差异。

然而，回顾WIPO起草《集成电路条约》的过程可知，参与起草的各国曾就布图设计权的效力发生过极大的争议，发展中国家希望将布图设计权的效力限定在复制布图设计和利用布图设计制造集成电路这两个层面上；

而以美、日为代表的集成电路技术强国则并不满足这两个层面，还打算将布图设计权的效力延伸至安装有受保护的布图设计集成电路的物品上。

美、日两国的主张即是将布图设计权的效力延伸到第三个层次上，这在效力上就完全等同于专利权。

由于发展中国家的强烈反对，致使WIPO的条约在布图设计权的效力上采取了模棱两可的做法，即在该条约的第3条和第6条中分别采用了不同的表述方式。

然而，在1994年WTO的Trips协议通过之后，由于Trips协议就布图设计权的效力作了专门规定，

　　[14]致使WIPO条约中遗留的问题在Trips协议中不复存在，Trips协议完全采取了美、日等国的立场，将权利效力延伸到了第三层次。

中国为了能加入WTO，自然只能采用跟进的态度，在中国的《集成电路布图设计保护条例》第7条中，有关布图设计权的效力与Trips协议在实质上完全一致。

应该说，在Trips协议通过之后布图设计权的效力问题在立法上已经解决，但是Trips协议的这种做法在知识产权法律理论上是存在问题的，知识产权的效力从来都同该权利产生的条件高低相关。

通常，权利产生的条件越苛刻，权利效力也就越强，这在前述着作权和专利权的效力差异上已经表现得尤为明显，不仅如此，对于同类知识产权也是这样，比如商标必须具备显着性才能受到法律保护，因此显着性即为商标权产生的条件。

如果一个商标的显着性强，则依附于该商标上的商标权的效力也相应较强，而布图设计权在创造性要求方面显然低于专利法的要求，因此其权利效力理所当然地应当低于专利法，而不应当与专利权相同，即不应当延伸到第三层次上。

当然，布图设计权的创造性要求比起着作权又远高于独创性要求，因此布图设计权的效力应当强于着作权。

具体地讲，着作权效力只能及于对作品的复制；

而布图设计权的效力则不仅可及于对布图设计的复制，还可以延伸到对布图设计本身的商业利用，即第二层次。

所以，当年发展中国家在WIPO《集成电路条约》谈判中的主张在理论上应当是成立的。

中国虽然一直都不赞同美、日等国的主张，但为了同WTO的相关规定保持一致，只得将布图设计权的效力强化到用集成电路组装的物品的商业利用，即第三层次。

无论是着作权，还是专利权在法律上都受到一定的限制，布图设计权也不例外。

中国的相关法律对于布图设计权的限制同国际上其他国家的规定并无大异。

为个人目的或者单纯为评价、分析、研究、教学等目的而复制受保护的布图设计，比如为前述目的实施反向工程的行为；

或者在前述反向工程的基础上，创作出具有独创性的布图设计的行为；

以及对自己独立创作的与他人相同的布图设计进行复制或者将其投入商业利用的行为等均不属于侵犯布图设计权的行为等。

[15]这类行为等同于着作权法中合理使用行为。

此外，中国《集成电路布图设计保护条例》还就权利用尽等知识产权法中通行的权利限制类型作出了规定。

[16]在中国《集成电路布图设计保护条例》中还明确规定了非自愿许可的相关条件和性质

[17].即不仅将实施非自愿许可