华工模电课件chapter+5PPT格式课件下载.ppt
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放大电路对信号频率的适应程度，即信号频放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。
率对放大倍数的影响。
由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。
函数。
在使用一个放大电路时应了解其信号频率的在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频率的范围要求。
率的范围要求。
5.1频率响应概述频率响应概述2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页fOAum2.2.幅频特性和相频特性幅频特性和相频特性Au（f）幅频特性幅频特性（f）相频特性相频特性0.707AumfOAufL下限下限截止截止频率频率fH上限截止频率上限截止频率3.频带宽度频带宽度（带宽带宽）BW（BandWidth）BW=fH-fLfHfLfH5.1频率响应概述频率响应概述2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页一一、RC低通电路的频率特性低通电路的频率特性4.简单简单RC低通和高通电路的频率特性低通和高通电路的频率特性
（1）.频率特性的描述频率特性的描述RC令令1/RC=H则则fH=1/2RC2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页滞后滞后fO|Au|10.707O4590fHf幅频特性幅频特性相频特性相频特性2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页
（2）.频率特性的频率特性的波特图波特图f/fH020lg|Au|/dB2004590fH400.11101000.1110f/fH频率特性频率特性波特图波特图90f0|Au|10.707045fHf3dB20dB/十倍频十倍频45/十倍频十倍频2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页二二、RC高通电路的频率特性高通电路的频率特性令令1/RC=L则则fL=1/2RC超前超前f10fL20lg|Au|=0dBf=fL20lg|Au|=20lg0.7071=-3dBf0.1fL20lg|Au|=-20lgf/fHRC2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页例例5.1.1求已知一阶低通电路的上限截止频率。
求已知一阶低通电路的上限截止频率。
0.01F1k1k1/1k0.01F例例5.1.2已知一阶高通电路的已知一阶高通电路的fL=300Hz，求电容求电容C。
500C2k戴维宁定理等效戴维宁定理等效2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页一一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性单级阻容耦合放大器的中频和低频特性+VCCRCC1C2VRL+RB1RB2RSUS1.中频特性中频特性C1、C2可视为短路可视为短路极间电容可视为开路极间电容可视为开路2.低频特性：
低频特性：
极间电容视为开路极间电容视为开路耦合电容耦合电容C1、C2与电路中电阻串联与电路中电阻串联容抗不能忽略容抗不能忽略5.2晶体管的高频等效模型晶体管的高频等效模型2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页结论结论结论结论:
频率降低频率降低,Aus随随之减小之减小,输出比输入电压输出比输入电压相位超前。
相位超前。
RBrbe2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页二、晶体管的高频等效电路二、晶体管的高频等效电路1.1.混合混合模型：
形状像模型：
形状像，参数量纲各不相同，参数量纲各不相同结构：
结构：
由体电阻、结电阻、结电容组成。
rbb：
基区体电阻基区体电阻rbe：
发射结电阻发射结电阻C：
发射结电容发射结电容re：
发射区体电阻发射区体电阻rbc：
集电结电阻集电结电阻C：
集电结电容集电结电容rc：
集电区体电阻集电区体电阻因多子浓度因多子浓度高而阻值小高而阻值小因面积大而因面积大而阻值小阻值小SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页混合混合模型：
忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系模型：
忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系gm为跨导，它不随信号频率的变为跨导，它不随信号频率的变化而变。
化而变。
为什么引入参数为什么引入参数gm？
因在放大区因在放大区iC几乎仅几乎仅决定于决定于iB而阻值大而阻值大因在放大区承受反因在放大区承受反向电压而阻值大向电压而阻值大SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
忽略大电阻的分流模型：
忽略大电阻的分流C连接了输入回路连接了输入回路和输出回路，引入了和输出回路，引入了反馈，信号传递有两反馈，信号传递有两个方向，使电路的分个方向，使电路的分析复杂化。
析复杂化。
SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页混合混合模型的单向化（模型的单向化（即即使信号单向传递）使信号单向传递）等效变换后电流不变等效变换后电流不变2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页晶体管简化的高频等效电路晶体管简化的高频等效电路？
2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页2.电流放大倍数的频率响应电流放大倍数的频率响应由于由于c、e之间的之间的动态电压为零，动态电压为零，短路！
短路！
曾军下页下页上页上页首页首页电流放大倍数的频率特性曲线电流放大倍数的频率特性曲线2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页电流放大倍数的波特图电流放大倍数的波特图:
采用对数坐标系采用对数坐标系采用对数坐标系，横轴为采用对数坐标系，横轴为lgf，可开阔视野；
纵轴为可开阔视野；
纵轴为单位为单位为“分贝分贝”（dB），使得），使得“”“”。
lgf注意折线化曲线的误差注意折线化曲线的误差20dB/十倍频折线化近似画法折线化近似画法2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页3.晶体管的频率参数晶体管的频率参数共射截共射截止频率止频率共基截共基截止频率止频率特征特征频率频率集电结电容集电结电容通过以上分析得出的结论：
通过以上分析得出的结论：
低频段和高频段放大倍数的表达式；
截止频率与时间常数的关系；
波特图及其折线画法；
C的求法。
的求法。
手册手册查得查得2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页例题例题解：
解：
模型参数为模型参数为设共射放大电路在室温下运行，其参数为：
设共射放大电路在室温下运行，其参数为：
负载开路，负载开路，Rb足够大忽略不计。
试计算它的足够大忽略不计。
试计算它的低频电压增益和上限频率。
低频电压增益和上限频率。
曾军下页下页上页上页首页首页低频电压增益为低频电压增益为又因为又因为所以上限频率为所以上限频率为2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术模拟电子技术讲授：
曾军下页下页上页上页首页首页5.3场效应管的高频等效电路场效应管的高频等效电路可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。
可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。
很大，可忽略其电流很大，可忽略其电流单向化变换单向化变换极间电容极间电容CgsCgdCds数值数值/pF1101100.11忽略忽略d-s间等效电容间等效电容2010.1.30SouthChinaUniversityofTechnology模拟电
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