模电课件(第五版)4场效应管放大电路PPT文件格式下载.ppt

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VGS更负，沟道更窄，ID更小；

直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，ID0。

这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。

漏源电压漏源电压VVDSDS对对iiDD的影响的影响在栅源间加电压在栅源间加电压VGSVP，漏源间加电压，漏源间加电压VDS。

则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,（如:

VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V）,使靠近漏端的耗尽层比源端厚，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。

当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断点，随VDS增大，这种不均匀性越明显。

当VDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。

由于预夹断区电阻很大，使主要VDS降落在该区，由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极，形成漏极饱和电流。

JFET工作原理（动画2-9）（动画2-6）（3）（3）伏安特性曲线输出特性曲线恒流恒流区：

（又称饱和区或放大区）又称饱和区或放大区）特点:

（1）受控性：

输入电压vGS控制输出电流

（2）恒流性：

输出电流iD基本上不受输出电压vDS的影响。

用途:

可做放大器和恒流源。

条件:

（1）源端沟道未夹断

（2）源端沟道予夹断可变电阻区可变电阻区特点特点:

（1）

（1）当vGS为定值时,iD是vDS的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受vGS控制。

（2）管压降vDS很小。

用途：

做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。

条件：

源端与漏端沟道都不夹断夹断区夹断区用途：

做无触点的、接通状态的电子开关。

整个沟道都夹断击穿区击穿区当漏源电压增大到时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD剧增的区域。

其值一般为（2050）V之间。

由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负，对应的VP就越小。

管子不能在击穿区工作。

特点：

转移特性曲线转移特性曲线输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制结型场效应管结型场效应管的特性小结结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应管半导体场效应管绝缘栅型场效应管MetalOxideSemiconductorMOSFET分为增强型N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道增强型：

没有导电沟道，耗尽型：

存在导电沟道，N沟道P沟道增强型N沟道P沟道耗尽型N沟道沟道增强型增强型场效应管场效应管N沟道沟道增强型增强型场效应管场效应管的工作原理的工作原理

（1）栅源电压）栅源电压VGS的控制作用的控制作用当VGS=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压,在D、S间也不可能形成电流。

当0VGSVT（开启电压）时，果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。

漏源间仍无载流子的通道。

管子仍不能导通，处于截止状态。

通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结1.栅源电压栅源电压VGS的控制作用的控制作用的N型沟道。

把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。

这时，若在漏源间加电压VDS，就能产生漏极电流ID，即管子开启。

VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样VDS电压作用下，ID越大。

这样，就实现了输入电压VGS对输出电流ID的控制。

当VGSVT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。

形成N源区到N漏区ID栅源电压栅源电压VGS对漏极电流对漏极电流ID的控制作用的控制作用2.2.漏源电压漏源电压VDS对沟道导电能力的影响对沟道导电能力的影响当VGSVT且固定为某值的情况下，若给漏源间加正电压VDS则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流ID，当ID从DS流过沟道时，沿途会产生压降，进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。

源极端电压最大，为VGS，由此感生的沟道最深；

离开源极端，越向漏极端靠近，则栅沟间的电压线性下降，由它们感生的沟道越来越浅；

直到漏极端，栅漏间电压最小，其值为：

VGD=VGS-VDS,由此感生的沟道也最浅。

可见，在VDS作用下导电沟道的深度是不均匀的，沟道呈锥形分布。

若VDS进一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT时，则漏端沟道消失，出现预夹断点。

A当VDS为0或较小时，VGDVT，此时VDS基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。

当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。

源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。

当VDS增加到使VGDVT时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。

由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此，VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内，而沟道中的电场力基本不变，漂移电流基本不变，所以，从漏端沟道出现预夹断点开始，ID基本不随VDS增加而变化。

增强型增强型MOSFET的工作原理的工作原理MOSFET的特性曲线特性曲线1.1.漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线2.转移特性曲线转移特性曲线VGS对对ID的控制特性的控制特性转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

其量纲为mA/V，称gm为跨导。

gm=ID/VGSQ（mS）ID=f（VGS）VDS=常数增强型MOS管特性小结绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型耗尽型MOSFETN沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面感应出反型层，形成了导电沟道。

因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。

当VGS0时，将使ID进一步增加。

VGS0时，随着VGS的减小ID逐渐减小，直至ID=0。

对应ID=0的VGS值为夹断电压VP。

耗尽型MOSFET的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型场效应三极管的参数和型号一、一、场效应三极管的参数场效应三极管的参数1.开启电压VT开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。

2.夹断电压VP夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。

3.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流。

4.输入电阻输入电阻RGS结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107；

绝缘栅型场效应三极管,RGS约是1091015。

5.低频跨导gm低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS（毫西门子）。

6.最大漏极功耗PDM最大漏极功耗可由PDM=VDSID决定，与双极型三极管的PCM相当。

（2）

（2）场效应三极管的型号场效应三极管的型号场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。

其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；

C是N型硅P沟道。

如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS#，CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

双极型三极管与场效应三极管的比较双极型三极管与场效应三极管的比较双极型三极管双极型三极管场效应三极管场效应三极管结构NPN型结型N沟道P沟道与PNP型绝缘栅增强型N沟道P沟道分类C与E一般不可绝缘栅耗尽型N沟道P沟道倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源电压控制电流源噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，且有零温度系数点输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成绝缘栅增强型N沟P沟绝缘栅耗尽型N沟道P沟道场效应管场效应管放大电路放大电路

（1）偏置电路及静态分析分压式自偏压电路分压式自偏压电路直流通道VG=VDDRg2/（Rg1+Rg2）VGS=VGVS=VGIDRID=IDSS1（VGS/VP）2VDS=VDDID（R+Rd）由此可以解出由此可以解出VGS、ID和和VDS。

（1）

（1）直流分析直流分析小信号分析法小信号分析法低频模型高频模型

（2）

（2）交流分析交流分析小信号等效电路电压放大倍数电压放大倍数输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻