集成电路设计与制造工艺概述PPT课件下载推荐.ppt

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这里所说的工艺条件包含源的种类、温度、时间、流量、注入剂量和能量、工艺参数及检测手段等内容。

反向设计（也称逆向设计）的设计流程为：

第一步，提取横向尺寸。

主要内容：

打开封装放大、照相提取复合版图，拼复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则电路模拟、验证所提取的电路画版图。

第二步，提取纵向尺寸。

用扫描电镜等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。

第三步，测试产品的电学参数。

电学参数包括开启电压、薄膜电阻、放大倍数、特征频率等。

逆向设计在提取纵向尺寸和测试产品的电学参数的基础上确定工艺参数，制订工艺条件和工艺流程。

根据设计内容不同分类04020103逻辑设计电路设计工艺设计版图设计版图与制版版图与制版版图与制版版图与制版设设设设计计计计与与与与工工工工艺艺艺艺制制制制造造造造之之之之间间间间的的的的接接接接口口口口是是是是版版版版图图图图。

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进行图形转移，即将设计的版图转移到硅片上去做准备。

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等。

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效应的出现。

二、集成电路制造基本工艺指在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。

这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。

它们由不同材料组成，是使用多种工艺生产或淀积的。

掺杂就是用人为的方法，将所需要的杂质，以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布。

集成电路中的光刻是把掩模版上的图形转换到硅片表面上的一种工艺。

热处理是简单地将晶圆加热和冷却来达到特定结果的工艺过程。

热处理过程中晶圆上没有增加或减去任何物质，另外，会有一些污染物和水汽从晶圆上蒸发。

薄膜制备光刻光刻掺杂掺杂热处理热处理1.薄膜制备在半导体器件中广泛使用各种薄膜，例如：

作为器件工作区的外延薄膜；

实现定域工艺的掩蔽膜；

起表面保护、钝化和隔离作用的绝缘介质薄膜；

作为电极引线和栅电极的金属及多晶硅薄膜等。

1.薄膜制备制作薄膜的材料很多：

半导体材料如硅和砷化镓；

金属材料有金和铝；

无机绝缘材料二氧化硅、磷硅玻璃、氮化硅、三氧化二铝；

半绝缘材料多晶硅和非晶硅等。

此外，还有目前已用于生产并有着广泛前途的聚酰亚胺类有机绝缘树脂材料等。

制备这些薄膜的方法很多，概括起来可分为间接生长（如气相外延、热氧化和化学气相淀积）和直接生长（如真空蒸发、溅射和涂敷等）两类。

金属化工艺金属化工艺金属化工艺金属化工艺金金金金属属属属化化化化工工工工艺艺艺艺主主主主要要要要是是是是完完完完成成成成电电电电极极极极、焊焊焊焊盘盘盘盘和和和和互互互互连连连连线线线线的的的的制制制制备备备备。

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方法有真空蒸发法和溅射法。

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氧化工艺有热氧化法、化学气相淀积法、热分解淀积法和溅射法。

2.2.光刻与刻蚀（光刻与刻蚀（光刻与刻蚀（光刻与刻蚀（图形转换图形转换图形转换图形转换）（aa）曝光）曝光）曝光）曝光（bb）显影）显影）显影）显影（cc）腐蚀）腐蚀）腐蚀）腐蚀（d）d）去胶去胶去胶去胶3.3.掺杂掺杂将将将将需需需需要要要要的的的的杂杂杂杂质质质质掺掺掺掺入入入入特特特特定定定定的的的的半半半半导导导导体体体体区区区区以以以以达达达达到到到到改改改改变变变变半半半半导导导导体体体体电电电电学学学学性性性性质质质质，形形形形成成成成PNPN结结结结、电电电电阻阻阻阻、欧欧欧欧姆姆姆姆接接接接触触触触等等等等。

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