半导体FAB里基本的常识简介Word文档下载推荐.doc
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I
介电质（Dielectric）.w-j"
@9Y2{0L0f
w
薄膜区机台主要的功能为何
沉积介电质层及金属层
何谓CVD（ChemicalVaporDep.）
CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程
CVD分那几种?
PE-CVD（电浆增强型）及Thermal-CVD（热耦式）
为什幺要用铝铜（AlCu）合金作导线?
4Z*y3A,G
f+z
X*Y5?
良好的导体仅次于铜
介电材料的作用为何?
%Y/W）h'
S6J,l$i5B;
f9[
做为金属层之间的隔离
何谓PMD（Pre-MetalDielectric）
称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5|3X.M$o;
T8Y,N7l5q+b
何谓IMD（Inter-MetalDielectric）9u9j4F1U!
Q/?
"
j%y7O/Q"
m;
N,b
金属层间介电质层。
1X8g'
q
a0h3k4r"
X$l.l
何谓USG?
未掺杂的硅玻璃（UndopedSilicateGlass）:
u0F0d!
A
M+U（w/Q
何谓FSG?
掺杂氟的硅玻璃（FluorinatedSilicateGlass）
何谓BPSG?
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~-I3f8i（Y!
M）q,U
掺杂硼磷的硅玻璃（Borophosphosilicateglass）6f/g4U&
D/}5W
何谓TEOS?
Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅
TEOS在常温时是以何种形态存在?
液体"
q）]0H-@9p7C8P;
D8Y.P）X
二氧化硅其K值为3.9表示何义（Y!
@1J!
X+P;
b*_$g
表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6H9v'
O5U
U"
R9w!
o$`
氟在CVD的工艺上，有何应用
作为清洁反应室（Chamber）用之化学气体4Z&
Z5a*E6m+F
简述Endpointdetector之作用原理.6[2d$j"
l7p4V.f
clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.#{1t4t!
D!
H,Q6{
机台使用的管件材料主要有那些?
有不锈钢制（StainlessSteal）,黄铜制（Brass）,塑胶制（PVC）,特氟隆制（Teflon）四种.
机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?
告知所有的人勿操作机台，避免危险
机台维修至少两人配合，有何目的?
7n4e*o%i-d
帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生
更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?
用氦气测漏机来做测漏.{0R1R"
u%H,m7a"
F9w
维修尚未降至室温之反应室（Chamber），应配带何种手套
石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作9|/_'
d.T&
r6N#F0A7V
何为真空（Vacuum）?
半导体业常用真空单位是什幺?
-{3Y#I-u;
c
半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.
真空Pump的作用？
8A8x8P:
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_#q（T%X%^9L:
l
降低反应室（Chamber）内的气体密度和压力
何谓内部连锁（Interlock）
机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.
机台设定许多interlock有何作用?
机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.:
~）C;
d#H%k7e!
G）R
WaferScrubber的功能为何?
移除芯片表面的污染粒子6D/^#~6s9S
h.Z!
X:
Y）d,\
+L（G+m6G8l,D+E
ETCH
何谓蚀刻（Etch）?
+`（Z（a5H'
|#m
将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:
（1）干蚀刻
（2）湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
poly,oxide,metal
半导体中一般金属导线材质为何?
鵭线（W）/铝线（Al）/铜线（Cu）9\/y%~.R9T0l
何谓dielectric蚀刻（介电质蚀刻）?
n-\9}-a2_1`）Y2e&
`2n/V
Oxideetchandnitrideetch
半导体中一般介电质材质为何?
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{+\#n.G8h2_-n
氧化硅/氮化硅*V:
K2j9G$B.O0k
A2l
何谓湿式蚀刻
利用液相的酸液或溶剂;
将不要的薄膜去除*z*^）J8Y
B8E$\.T
L
何谓电浆Plasma?
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U4a
电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;
其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.3Q
J6H1j6?
9J0w）u
何谓干式蚀刻?
利用plasma将不要的薄膜去除
何谓Under-etching（蚀刻不足）?
0e*k7Z1s3L:
g
系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
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H,n#m#Z3o%a;
{#Q
何谓Over-etching（过蚀刻）$i,F&
C（f$W
蚀刻过多造成底层被破坏）j1V&
K6L*N!
h:
x-^
n
何谓Etchrate（蚀刻速率）
单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度7Q;
T!
_
x/]/^&
j,M
何谓Seasoning（陈化处理）'
b5P%p8B2w8i）w3~
是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
:
r.g6g）`+f9Q*\+n
Asher的主要用途:
1y2z2z
e）d/e
光阻去除3R8V9p/f）A"
_）b
Wetbenchdryer功用为何?
（O!
C）z2o;
i4w2P#B
将晶圆表面的水份去除）W/R4w:
J4@
列举目前Wetbenchdry方法:
M&
I-R!
e;
k2],y
（1）SpinDryer
（2）Marangonidry（3）IPAVaporDry
何谓SpinDryer2]（o+[0o*Z
利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓MaragoniDryer2~:
r$i"
c7p;
B
利用表面张力将晶圆表面的水份去除7Y"
_4w;
B$t&
e8N-O._1e
何谓IPAVaporDryer
利用IPA（异丙醇）和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
测Particle时,使用何种测量仪器?
`&
B+@&
k4|+N
TencorSurfscan
测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?
0A+S（f.z,X
膜厚计,测量膜厚差值
何谓AEI'
X%L%G'
W$G#M"
L,m"
i.A4E
AfterEtchingInspection蚀刻后的检查
AEI目检Wafer须检查哪些项目:
（1）正面颜色是否异常及刮伤
（2）有无缺角及Particle（3）刻号是否正确&
x"
{"
K2w;
Y5K（U;
u$U
金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台Asher的功用为何?
去光阻及防止腐蚀-w2N$i"
@7e-U&
^5I
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?
因为金属线会溶于硫酸中!
},|4B.f+Q*C（N
"
HotPlate"
机台是什幺用途?
烘烤
HotPlate烘烤温度为何?
90~120度C'
G（L
u（a
y#~
何种气体为PolyETCH主要使用气体?
J#v&
e/l6O3^!
b7j2P
Cl2,HBr,HCl
用于Al金属蚀刻的主要气体为-x0C-X-T4^
Cl2,BCl3$p0N4v.E-I（W&
Y;
N（G.Q
用于W金属蚀刻的主要气体为$f0x'
d$Q;
@）|0s
SF6;
}5n,E3e8s*l
何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体?
x'
D0e3t8H1l9n0s-b
C4F8,C5F8,C4F6
硫酸槽的化学成份为:
#C8[3K%E#|;
t3T!
L9V1_+t
H2SO4/H2O2.y
|
B.`8E$i
AMP槽的化学成份为:
.G:
K）_9h#C%S
NH4OH/H2O2/H2O
UVcuring是什幺用途?
利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
UVcuring"
用于何种层次?
0N）D7m+w5O9_
金属层,Z6_7z#X6Y8O5F*~
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