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43实验时间:

2010.12.19

指导教师签字:

成绩:

实验一算术逻辑运算实验

1.实验目的和要求

1.熟悉简单运算器的数据传送通路;

2.验证4位运算功能发生器功能(74LS181)的组合功能。

2.实验原理

实验中所用到的运算器数据通路如图1-1所示。

其中运算器由两片74181以并/串形式构成8位字长的ALU。

运算器的输出经过一个三态门(74245)和数据总线相连,运算器的两个数据输入端分别由两个锁存器(74373)锁存,锁存器的输入连接至数据总线,数据开关INPUTDEVICE用来给出参与运算的数据,并经过一个三态门(74245)和数据总线相连,数据显示灯“BUSUNIT”已和数据总线相连,用来显示数据总线内容。

图1-2中已将用户需要连接的控制信号用圆圈标明(其他实验相同,不再说明),其中除T4为脉冲信号,其它均为电平信号。

由于实验电路中的时序信号均已连至W/RUNIT的相应时序信号引出端,因此,在进行实验时,只需将W/RUNIT的T4接至STATEUNIT的微动开关KK2的输出端,按动微动开关,即可获得实验所需的单脉冲,而S3,S2,S1,S0,Cn,LDDR1,LDDR2,ALU-B,SW-B各电平控制信号用SWITCHUNIT中的二进制数据开关来模拟,其中Cn,ALU-B,SW-B为低电平控制有效,LDDR1,LDDR2为高电平有效。

3.主要仪器设备(实验用的软硬件环境)

ZYE1603B计算机组成原理教学实验系统一台,排线若干。

4.操作方法与实验步骤

1.按图1-2连接好实验线路,认真仔细对照接线图,查线无误后,接通电源。

2.用输入单元的二进制数据开关向寄存器DR1和DR2置数,数据开关的内容可以用与开关对应的指示灯来观察,灯亮表示开关量为“1”,灯灭表示开关量为“0”。

以向DR1中置入(C1H)和向DR2中置入(43H)为例,具体操作步骤如下:

首先使各个控制电平的初始状态为:

CLR=1,LDDR1=0,LDDR2=0.ALU_G=1,

SW_G=1,S3S2S1S0MCN=并将控制台的单元的开关SP05打在“NORM”状态,SP03打在“STEP”状态,SP04打在“RUN”状态。

然后按下图所示步骤进行。

上面括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行,其中T4的正脉冲使通过按动一次控制台单元的触动开关START来产生的。

(形成时钟脉冲信号T4,操作步骤如下:

将控制台单元中的两个二进制开关“SP03”设置为“STEP”状态、“SP04”设置“RUN”状态,每按动一次触动开关START,则T4输出一个单脉冲。

置数完成以后,检验DR1和DR2中存的数是否正确,具体操作为:

关闭数据输入三态门(SW_G=1),打开ALU输出三态门(ALU_G=0),使ALU单元的输出结果进入总线。

当设置S3、S2、S1、S0、M、CN的状态为111111时,DATABUS单元的指示灯显示DR1中的数;

而设置成101011时,DATABUS单元的指示灯显示DR2中的数,然后将指示灯的显示值与输入的数据进行对比。

3.验证74LS181的算术运算和逻辑运算功能(采用正逻辑)

74LS181的功能见表1-1,可以通过改变S3S2S1S0MCN的组合来实现不同的功能,表中“A”和“B”分别表示参与运算的两个数,“+”表示逻辑或,“加”表示算术求和。

表1-174LS181功能表

S3

S2

S1

S0

M=0(算术运算)

M=1

(逻辑运算)

CN=1无进位

CN=0有进位

F=

F=A加1

1

F=()加1

F=0减1

F=0

F=加

F=加加1

F=()加

F=()加加1

F=减减1

F=减

F=减1

F=1

通过前面的操作,我们已经向寄存器DR1写入C1H,DR2写入43H,即A=C1H,B=43H。

然后改变运算器的控制电平S3S2S1S0MCN的组合,观察运算器的输出,填入表1-2中,并和理论值进行比较、验证74LS181的功能。

5.实验内容及实验数据记录

DR1

DR2

C1

43

F=

F=0-1

6.实验数据处理与分析

所得实验数据与74LS181功能表对应无误。

所得结果正确。

7.质疑、建议、问题讨论

实验过程中经常会因为粗心把线接错,导致实验结果有误。

实验过程中应该仔细认真的接线并进行检查,才能保证出错率最低。

实验二存储器实验

1.掌握静态随机存储器RAM工作特性。

2.掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。

图1-9存储器实验原理图

实验所用的半导体双端口静态存储器电路原理如图1-9所示,实验中的双端口静态存储器的左端口和右端口,它们分别具有各自独立的地址线(A0-A9)、数据线(I/O0-I/O7)和控制线(R/W,CE,OE,BUSY)。

它的结构参考附录1中的7130结构图。

在实验系统的大多数实验保,该芯片仅使用了右端口的数据线、地址线、控制线,使用方法与通用的单端口静态存储品相同;

在做与流水相关的实验中同时用到了它的左、右端口地址由地址锁存器(74LS273)给出。

地址灯L101——L108与地址总线相连,显示地址内容。

输入单元的数据开关经一个三态门(74LS245)边至数据总线,分别给出地址和数据。

地址总线为8位,接入IDT7130的地址AL7-AL0与AR0-AR7,将IDT7130的高两位AR8-AR9接地,所以其实际容量为256字节。

IDT7130两个端口分有三个独立的控制线,如右边有:

CER(右端口片选线)、OER(右端口读线)、R/WR(右端口写线)。

本实验中将左、右端口的读线OER常接地,在此情况下,当CER=0、R/WR=0时进行右端口写操作,CER=0、R/WR=1时进行右端口读操作,其写时间与T3脉冲宽度一致。

原理图中右端口的地址线AR8-AR9接地,其访问实际容量为256字节,同时由于左端口的写信号R/WR常接高电平,所以在端口的写功能被封锁了,故实验时输入数据从右端口写入,从左端口写读出。

实验时,将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插针中,其它电平控制信号由开关单元的二进制开关给出,其中SW_G为低电平有效,LDAR为高电平有效。

ZYE1603B计算机组成原理教学实验箱一台,排线若干。

4.操作方法与实验步骤

1.形成时钟脉冲信号T3,具体接线方法和操作步骤如下:

(1)将信号单元中的TS3和T3用排线相连。

(2)将信号单元中的两个二进制开关“SP03”设置为“STEP”状态、“SPO4”设置为“RUN”状态(当“SP03”开关设置为“RUN”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时,每按动一次触动开关START,则T3的输出为的方波信号。

当“SP03”开关设置为“STEP”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时,每按动一次触动开关START,则T3输出一个单脉冲,其脉冲宽度与连续方式相同。

2.按图1-10连接实验线路,仔细检查无误后接通电源。

(图路箭头表示需要接线的地方,接总线和控制信号时要注意高低位一一对应,可用彩排线的颜色来进行区分)

图1-10存储实验接线图

3.从右端口给存储嚣的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、22、33、44、55、具体操作步骤如下:

(以向00号单元写入11为例)

首先使各种电平的初始状态为:

SW-G=1,CE=1.PC-G=1,WE=1,LDAR=0,CLR=1-0-1,并将控制台单元的开关SP05打在“NORM”状态,然后按下面框图所示步骤进行操作来完成数据的写入。

图中方括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行,其中T3的正脉冲是通过按动一次控制台单元的触动开关START来产生的,而WE-R的负脉冲则是通过让开关单元的WE开关做1->

0->

1的变化来产生。

4.从做端口依次读出00,01,02,03,04号单元中的内容,在数据总线单元的指示灯上进行显示,观察上述各单元中的内容,是否与前面写入的一致。

具体操作步骤如下:

(以从00号单元读出11数据为例)

其中地址寄存器AR的值在地址总线单元的指示灯上显示,双端口RAM相应单元的值从左端口读出,在数据单元的指示灯上显示。

所得实验数据与理论数据对应无误,所得结果正确

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