武汉工程大学《材料科学基础》Word文件下载.docx
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8•离子极化对晶体结构产生的影响:
其会导致粒子间距缩短,离子配
位数降低,同时变形的电子云相互重叠,使键性由离子键向共价键过度,最终使晶体结构发生变化。
9最紧密堆积原理:
在形成晶体的过程中,物质质点之间趋向于尽可能靠近,从而形成最紧密堆积。
最紧密堆积分等大球体的最紧密堆积和不等大球体的紧密堆积两种。
适用于适用于典型的离子晶体和金属晶体.
10.不等大球体的紧密堆积时,较大的球将按六方和立方最紧密堆积
方式进行堆积,而较小的球则按自身体积的大小填入其中的八面体空隙中或四面体空隙中。
11晶体结构:
晶体结构=点阵+基元
12•晶胞所具有的条件:
a)选取的平行六面体能代表整个空间点阵的对称性;
b)平行六面体内相等的棱和角的数目最多;
c)平行六面体棱间的直角最多;
d)在满足上述条件下,晶胞应具有最小的体积。
总之,晶胞的选择既要考虑周期性,又要考虑宏观对称性
13•布拉菲点阵:
7个晶系,14种晶格
14.声电效应
15.电光效应
16.压电效应
二.重点结论
1.等径球最紧密堆积有六方和面心立方紧密堆积两种,一个球的周围
有8个四面体空隙、6个八面体空隙
2.n个等径球作最紧密堆积时可形成n个八面体空隙、2n个四面体空
隙。
3.三种常见晶体结构
项目
面心立方
体心立方
密排六方
晶胞原子数
4
2
6
点阵常数
a=2(V2)R
a=4(/3/3)R
a=2R
配位数
12
8
堆积系数
74.05%
68.02%
4.重点离子化合物结构
化合物
晶系
晶格
Z
NaCI
CsCI
立方ZnS
六方ZnS
CaF2
5.硅酸盐晶体结构非常复杂,但不同的结构之间具有下面的共同特
点:
八、、・
(1)结构中的Si4+离子位于02-离子形成的四面体中心,构成硅酸盐晶体的基本结构单元[Si04]四面体。
Si-0-Si是一条夹角不等的折线,一般在145°
左右。
(2)[Si04]四面体的每个顶点,即02-离子最多只能为两个[Si04]四
面体所共用
(3)两个相邻的[SiO4]四面体之间只能共顶而不能共棱或共面连接。
(4)[SiO4]四面体中心的Si4+离子可以部分地被AI3+离子所取代,取代后结构本身不发生太大变化,即所谓的同晶取代,但晶体的性质发生了很大的变化。
这为材料的改性提供了可能。
6.硅酸盐的化学式表征方法主要有以下两种:
(1)氧化物表示法
将构成硅酸盐晶体的所有氧化物按一定的比例和顺序全部写出来,先是1价的碱金属氧化物,其次是2价、3价的金属氧化物,最后是SiO2
(2)无机络合盐表示法
构成硅酸盐晶体的所有离子按一定的比例和顺序全部写出来,再把相关的络阴离子用中括号括起来即可。
先是1价、2价的金属离子,其次是AI3+离子和Si4+离子,最后是02-离子和0H-离子。
氧化物表示法的优点在于一目了然的反应出晶体的化学组成,可以按
结构类型
络阴离子团
Si:
O
I岛状
[SiO4]4-
1:
组群状
[Si2O7]6-
2:
7
[Si3O9]6-
3
[Si4O12]8-
[Si6O18]12-
链状
[Si2O6]4-
[Si4O11]6-
4:
11
层状
[Si4O10]4-
10
架状
[(AlxSi4-x)O8]x
此配料来进行晶体的实验室合成。
用无机络合盐法则可以比较直观的反应出晶体所属的结构类型,进而可以对晶体结构及性质作出一定程度的预测。
两种表示方法之间可以相互转换。
7.硅酸盐晶体的分类
8.空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象,用以描述和分析晶体结构的周期性和对称性,由于
各阵点的周围环境相同第三部分重点习题
1.Li20的结构是02—作面心立方堆积,Li+占据所有四面体空隙位置,氧离子半径为0.132nm。
求:
(1)计算负离子彼此接触时,四面体空隙所能容纳的最大阳离子半径,并与书末附表Li+半径比较,说明此时02-能否互相接触;
(2)根据离子半径数据求晶胞参数;
(3)求Li20的密度。
2.CaF2的晶胞参数为0.547nm。
(1)根据CaF2晶胞立体图画出CaF2晶胞在(001)面上的投影图;
(2)画出CaF2(110)面上的离子排列简图;
(3)正负离子半径之和为多少?
3•根据电价规则,在下面情况下,空隙内各需填入何种价数的阳离子,并对每一种结构举出一个例子。
(1)所有四面体空隙位置均填满;
(2)所有八面体空隙位置均填满;
(3)填满一半四面体空隙位置;
(4)填满一半八面体空隙位置。
4.下列硅酸盐矿物各属何种结构类型:
Mg2[SiO4],K[AISi3O8],CaMg[Si2O6],Mg3[Si4O10](OH)2,Ca2AI[AISiO7]。
第二章晶体缺陷
1•点缺陷:
三维方向上缺陷尺寸都处于原子大小的数量级上。
2.线缺陷:
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷。
3面缺陷:
指在两维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷。
4•肖特基缺陷:
如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面,在晶体内正常格点上留下空位,这即是肖特基缺陷。
5.弗伦可尔缺陷:
在晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。
6.热缺陷:
晶体温度高于绝对0K时,由于热起伏使一部分能量较大的质点(原子或离子)离开平衡位置所产生的空位和/或间隙质点。
7•固溶体:
含有外来杂质原子的晶体称为固体溶液,简称固溶体。
8.非化学计量化合物:
由于晶体缺陷造成晶体的组成中各元素原子的相对数目不能用整数比表示的化合物,称非整数比化合物,也称非化学计量化合物。
第二部分重点结论
1.非化学计量化合物的特点:
非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;
可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;
缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;
非化学计量化合物都是半导体。
由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩(n型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩(p型)半导体。
2•影响形成置换型固溶体影响因素:
(1)离子尺寸:
15%规律:
1.
(R1-R2)/R1>
15%不连续。
2.<
15%连续。
3.>
40%不能形成固熔体。
(2)离子价:
电价相同,形成连续固熔体。
(3)晶体结构因素:
基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。
(4)场强因素。
(5)电负性:
差值小,形成固熔体。
差值大形成化合物。
3•影响形成间隙型固溶体影响因素:
(1)杂质质点大小:
即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。
(2)晶体(基质)结构:
离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。
一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。
(3)电价因素:
外来杂质原子进人间隙时,必然引
起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代
或离子的价态变化来保持电价平衡。
4•形成固溶体后对晶体性质的影响:
(1)稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生;
(2)活化晶格,形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应;
(3)固溶强化,溶质原子的溶入,使固溶体的强度、硬度升高;
(4)形成固溶体后对材料物理性质的影响:
固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。
固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低.
5•固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点
分类
形成原
因
形成条
件
缺陷反应
化学溶解度、缺陷
式浓度
热缺
陷
肖特基弗伦克尔
热起伏
T>
Ok
0+恥
MMfciMi…
+砒
MX
只受温度控制
固溶
体
无限,有限,置换,间隙
搀杂
溶解
大小,电
负性,电
价,结构
无:
受温度控
制
有:
搀杂量<
固
溶度受温度控
搀杂量>
固溶度受固溶度控
非化学计量化合物
阳缺
阴间
阳间
阴缺
环境中气氛性质和压力变化
Fe1-x
UO2+
x
Zn1+x
TiO2-
X
[h•]x上屮
[0;
]x|P;
[见]XP席po]xf£
)^
第三部分重点习题
1•写出下列缺陷反应式:
(I)NaCI溶入CaCI2中形成空位型固溶体;
(2)CaCI2溶入NaCI中形成空位型固溶体;
(3)NaCI形成肖特基缺陷;
(4)AgI形成弗伦克尔缺陷(Ag+进入间隙)。
2.非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO中的空位
浓度及x值。
3.非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压.非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎么样的变化?
增大还是减小?
为什么?
4.在MgO—AI2O3和PbTiO3—PbZrO3中哪一对形成有限固溶体,哪
一对形成无限固溶体,为什么?
5.CeO2为萤石结构,其中加入15mol%CaO形成固溶体,测得固溶体密度d=7.01g/cm3,晶胞参数a=0.5417nm,试通过计算判断生成的是哪一种类型固溶体。
已知原子量Ce140.12,Ca40.08,016.00。
第三章非晶态结构与性质
1.习惯上把高熔点物质的液体称为熔体(指熔点温度以上,具有一
定流动性的液体),所以对于硅酸盐来说,它的液体一般称之为熔体。
冷却受热
晶体熔体气体
熔体或液体介于气体和晶体之间,高温时其结构状态接近气体,在低温时接近晶体。
2.缩聚(聚合):
由分化过程产