模电 局考练习题Word文档下载推荐.docx
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9.当（）后，就形成了PN结。
AN型半导体内均匀掺入少量磷BP型半导体内均匀掺入少量硼
CP型半导体和N型半导体紧密结合DP型半导体靠近N型半导体
10.多数载流子是（）的半导体叫做P型半导体。
A自由电子B空穴C正离子D负离子
11.N型半导体是指（）的半导体。
A电子导电为主B空穴导电为主C离子导电为主D导电能力很弱
12.当PN结加正向电压时，应有（）。
A空间电荷区变薄、电流减少B空间电荷区变厚、电流减少
C空间电荷区变厚、电流增加D空间电荷区变薄、电流增加
13.PN结（）时，空间电荷区变宽。
A反向电压减少B反向电压增加C正向电压不变D正向电压增加
14.硅PN结的正向导通电压约为（）。
A小于0.1VB0.2-0.3VC0.6-0.7VD大于1V
15.锗PN结的正向导通电压约为（）。
16.pn结具有（）。
A、单向导电性B、双向导电性C、不导电D、绝缘
17.硅元素有（）个电子。
a14b24c16d26
18.PN结是如何形成的（）。
A、将P型半导体与N型半导体通过震动的方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。
B、将P型半导体与N型半导体通过物理和加热方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。
C、将P型半导体与N型半导体通过物理、化学的方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。
D、将P型半导体与N型半导体通过化学和导电方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。
1.1.1半导体二极管及其伏安特性
19.二极管正向导通时，二极管像（）。
A、开关接通B、恒流源C、绝缘电阻D、大电阻
20.二极管符号中的箭头方向与（）方向一致。
A外加电压B载流子运动C正向电流D反向电流
21.二极管反向电流用（）表示。
A、IB、PC、IRD、M。
22.二极管符号中的箭头总是（）。
A由N区指向P区B由P区指向N区
C由高电位指向低电位d由低电位指向高电位
23.二极管（）。
A、不能串联用B、可以串联使用
C、做电源用D、做放大器用
24.二极管并联使用时应（）。
A、不串联均压电阻B、串联电压
C、并联电阻D、串联均流电阻
25.二极管的正向伏安特性分为（）。
A正向导通区、击穿区B正向导通区、不导通区（死区）
C正向导通区、放大区D正向导通区、饱和区
26.通常整流二极管不会工作在（）。
A、正向截止区（死区）B、正向导通区C、反向截止区D、反向击穿区
27.从二极管伏安特性看，当（ ）时，二极管的导通电阻小。
A正向特性曲线陡直B正向特性曲线平缓
C反向特性曲线陡直D反向特性曲线平缓
28.二极管被反向击穿后，（）。
A二极管就损坏了B在限流的情况下，还可正常工作
C再次工作时，性能会显著下降D只有很小的电流产生
29.当两个二极管串联时，（）的二极管容易先被反向击穿。
A正向电阻大B正向电阻小C反向电阻大D反向电阻小
30.三个二极管的导通电阻按小、中、大排列分别为D1＜D2＜D3，当三个二极管并联使用时（）。
AD1先损坏BD2先损坏CD3先损坏D三个二极管同时损坏
31.当D1,D2,D3的正向电阻为D1>
D2>
D3），二极管并联时,哪个一个先击穿（）。
aD1bD2cD3d不确定
32.二极管具有（）功能。
A检波、变压B箝位、滤波C限幅、放大D检波、整流
33.二极管正向导通时，一定是（）。
A阳极接正电压B阴极接负电压
C阳极电压高于阴极电压D阴极电压高于阳极电压
34.性能良好的二极管是（）。
A正向电阻小、反向电阻大B正向电阻大、反向电阻小
C正向电阻、反向电阻都小BD正向电阻、反向电阻都大
35.晶体二极管的主要特性是（）。
A放大特性B单向导电性C线性化伏安特性D恒流特性
36.点接触型二极管的特点是（）。
A结电容小、适合高频小功率电路B结电容大、适合低频小功率电路
C结电容小、适合高频大功率电路D结电容大、适合高频大功率电路
37.二极管的单向导电性使二极管像一个（）。
A、单向开关B、恒流源C、小电阻D、大电阻
38.晶体二极管的主要特性是（）。
39.点接触二极管的特点是（）。
aＰＮ结的面积小，结电容小，适用于高频工作，但只能通过较小的电流。
BＰＮ结的面积小，结电容大，适用于低频工作，但只能通过较大的电流。
CＰＮ结的面积大，结电容小，适用于高频工作，但只能通过较小的电流。
DＰＮ结的面积小，结电容小，适用于低频工作，但只能通过较大的电流。
40.面接触二极管的特点是（）
A、ＰＮ结的面积小，结电容大，适用于高频工作，允许通过较大的电流。
B、PＮ结的面积小，结电容小，适用于低频工作，允许通过较大的电流。
C、ＰＮ结的面积大，结电容小，适用于高频工作，允许通过较大的电流。
D、ＰＮ结的面积大，结电容大，适用于低频工作，允许通过较大的电流。
41.下列关于二极管的串并联叙述正确的是（）多选。
A.二极管串联后，其中反向电阻最大的一只因承受电压过高容易被击穿。
B.二极管并联后，其中正向电阻小的二极管电流由于过大而易被烧毁。
C.二极管串联时，一般需并联均压电阻，其取值在单个二极管反向电阻的1/3～1/5之间。
D.二极管并联时，一般需串联均流电阻，其取值在单个二极管正向电阻的3～4倍。
1.1.2二极管的识别和简易检测方法。
42.测量二极管正向电阻用（）。
A、电流表B、用电压表
C、用高阻表D、用欧姆表。
43.（以指针式万用表为例）下列关于二极管的正向电阻检测方法叙述正确的是（）。
a黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极
b黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极
c黑表笔和红表笔可以同时接二极管正极和负极
d黑表笔接二极管的正负极，红表笔不接接二极管的正负极
44.数字式万用表如何测量二极管正向电阻（）。
a红表笔接负极，黑表笔接正极b红表笔接正极，黑表笔接正极
C红表笔接负极，黑表笔接负极d红表笔接正极，黑表笔接负极
1.1.3二极管的种类及应用
45.正弦交流信号经半波整流电路后，输出的是（）。
A正弦交流B平滑的直流C脉动直流D方波
46.单相半波整流电路的输出电压UL约等于（）。
A0.45U2B0.9U2CU2D、2U2
47.（）整流电路的变压器次级不与负载直接相连.。
A半波B全波C桥式D倍压
48.单相桥式整流电路的变压器次级输出电压U2=10V,整流后接1K欧的负载,那么负载上直流电流的平均值约为（）。
A1mAB4.5mAC9mAD10mA
49.桥式整流电路的二极管数量比全波整流电路多一倍,则（）。
A每个二极管的反向耐压值少一半B每个二极管的正向电流值少一半
C输出电压增加一倍D输出电流增加一倍
50.整流电路加上滤波电容后,直流输出电压（）。
A会提高B会降低C不会改变D会有脉动变化
51.单相半波整流电路的特点是（）。
A电路简单B输出直流电压高C滤波容易D输出电流大
52.（）整流电路中需要带中心抽头的变压器。
A半波B全波C桥式D倍压
53.使用二极管最少的整流电路是（）整流电路。
A半波B全波C桥式D倍压
54.单相全波整流电路至少要用（）二极管。
A一个B两个C三个D四个
55.（）二极管工作时通常是导通和截止交替工作。
A整流B稳压C变容D发光
56.光敏二极管的工作电流与（）成正比。
A导通电阻B光照度C正向电压D反向电压
57.与普通二极管相比,稳压二极管的反向击穿电压（）。
A较高B较低C与之相同D变化明显
58.通常在（）振荡器中使用变容二极管。
ARC低频B晶体C固定频率LCD可调率LC
59.欲降低谐振电路的工作频率,应使变容二极管上的（）。
A反向电压减少B反向电压增加C正向减少D正向增加
60.变容二极管电容增加是由于（）引起的。
APN结面积变小BPN结耗尽区变窄C扩散电流增加
D管脚接触电阻变大
61.（）二极管工作时能量消耗最小。
A变容B稳压C发光D限幅
62.通常（）二极管上加的是交流电压（）。
A发光B光电C稳压D整流
63.（）二极管工作在正向偏置状态。
A变容B稳压C发光D光敏
64.正弦交流信号经半波整流电路后，输出的是（）。
A正弦交流B平滑的直流C脉动直流D方波
65.单结晶体管振荡电路可以产生（）用来作为晶闸管的控制触发信号。
A正弦波B三角波方波D尖脉冲波
66.晶闸管整流电路中，常用单结晶体管做（）电路。
Ａ触发 Ｂ保护 Ｃ指示 Ｄ限流
67.晶闸管导通以后，通过（）的方法可以关断晶闸管。
Ａ去掉控制极触发脉冲B降低阴极电压
C减小负载电阻D将电流减少到维持电流以下
68.晶闸管用于（）电路。
A电源整流B信号放大C可控振荡D电平限幅
69.晶闸管有（）个PN结。
A1B2C3D4
70.（）的稳压器稳压效果好。
a内阻小的b内阻大的c内阻无变化的d一般电阻
71.（）电路一般不能使用晶闸管。
a大功率全波电路b全波电路c稳压电路d小功率全波电路
72.（）二极管工作在正向偏置状态。
a发热b发电c发光d电流
73.发光二极管的特性是（）。
a光变电b光变电再变机械能c电变光d电变光再变机械能
74.发光二极管的导通电压是（），典型工作电流为（）。
a2.35-5.5Ｖ；
20毫安b1.35-45Ｖ；
30毫安
c2.35-5.5Ｖ
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