电子束蒸发台操作流程文档格式.docx
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2.1启动TF500
1.1.启动冷却水源。
2.启动压缩气体源。
3.启动充气气体源。
4.请确保在19寸控制柜面板上的所有部件的控制都处于“关”的位置。
5.打开TF500的电源空气开关，确保EMO松开。
按下前面板“I/O”按钮启动设备，然后按“Reset”按钮给各个部件加电自检。
6.打开电脑，进入Win7的密码为admin，SCADA软件将在win7中自动打开，点“Start”开始运行SCADA软件，SCADA软件将初始化并加载各部件（注意！
不要关闭设备自动打开的其他界面），在主软件界面登陆相应的权限，进入组态的CONTROLSCREEN，按按钮。
抽真空系统随后将会启动。
7.当系统状态为“TURBOPUMPREADY”，这就表示腔体已经准备好了，可以对腔体抽真空开始做工艺了。
2.2装载TF500腔体
在大气环境下（比如已经充气），基片工作台可能还是旋转的。
当您的手在腔体里或者其他在旋转基片上存有会伤害您自己的风险时，请注意不要旋转工作台。
请参考PC操作的补充材料“PC控制”文件。
当腔体处于真空状态，如果可以请先按按钮再按按钮对腔体进行充气。
充气阀打开并对腔体充气，并在腔体
充气时间结束后自动关闭充气阀门，如果门已经打开，充气时间还未结束，请再次按下键关闭充气气源。
打开腔体门并将基板安装到旋转盘上。
关闭腔门并检查确保基板仍在正确的位置上。
按或按钮对系统抽真空。
3TF500关机
3.1正常关机
我们推荐您使用如下流程进行关机。
在您关闭TF500时，保持TF500腔体处于真空状态。
1.确保真空腔门是关闭的。
2.在系统控制界面，按按钮，然后等到腔体压力降到3x10-4mbar或更低。
3.在系统控制界面，按按钮。
4.当系统状态为“腔体密封”时，在系统控制界面按按钮。
5.当系统状态为“STANDBY”，再等待大约15分钟，分子泵转速降为0后，按“”按钮。
按钮中的绿灯随后熄灭。
6.再关闭冷却水，工艺气体，压缩气体源和电源空开，（长期不用时请关闭气源水源，并将水箱的水排干）。
3.2紧急停止
紧急状态下，按急停按钮紧急关闭TF500。
当您按下急停按钮时，抽真空系统就会关闭并且真空系统电柜，19寸控制柜和所有装在真空腔体里的配件，它们的电源都会关闭。
3.3电源中断
如果是一次暂时的电源中断（或者大约0.5秒或更少），TF500将会正常运行。
如果电源中断长于“暂时”时间并且随后就恢复了，TF500将进入待机状态。
您必须按“Reset”按钮并在系统控制界面按按钮重启TF500。
一旦电源中断，高真空门阀将一直保持关闭，密封真空腔体并保持次级泵处于真空状态。
4急停之后的重启
请确保在急停之后的重启是安全的。
如不能，您可能导致人身伤害。
如果您已经按下了急停按钮关闭了TF500，您必须使用如下步骤重启TF500：
1.确保急停的原因已经被更正。
2.按下并旋转以恢复急停开关。
3.按下“Reset”按钮。
5对TF500腔体抽真空
1.按按钮。
旋片泵（3）将启动，打开分子泵（4）。
2.等到分子泵加速完毕，状态显示“分子泵就绪”。
3.按下按钮（注意！
如果之前腔体已有很高的真空，可能会导致抽真空
失败，只需按下键给腔体稍稍充气再按按钮就可以了）。
软粗抽阀
（1）打开直到腔体压力到达4X10+0mbar。
显示状态为“粗抽”
然后粗抽阀
（2）打开直到腔体压力到达1.0X10-1mBar。
然后高真空阀（6）打开直到我们按按钮
显示状态为“抽真空完成”
直到腔体压力到达1x10-5mBar以下。
显示状态为“FINEPUMPING”
4.在PC控制界面，按下按钮，随后按下按钮。
系统将会进入“PROCESS”模式。
一旦状态显示为“PROCESS-FINEPUMPING”，随后系统就准备完毕，按下旋转按钮可以进行手动镀膜了。
6基片旋转
1.按下按钮开始旋转基片工作台。
绿色表示处于旋转状态。
2.通过键入一个值（转每分钟）或通过上下键设置旋转速度。
7电子束蒸发（手动模式）：
1.请参考控制柜面板并按如下操作
按上图，灯丝电流顺时针拧到最大，束流拧到最小，确保互锁关闭指示点亮；
打开坩埚控制器Power按钮，将控制选择按钮打到“Auto”，并选择NORMAL模式，速度不要太快，2挡就好了；
打开扫描图形控制器电源，将控制器打开为“Run”和“REMOTECONTROL”模式；
确保互锁关闭指示点亮，按下高压控制电源按钮。
2.按下基片架旋转按钮，选择所需的坩埚位（1-6）和，再按按钮。
电子束电源打开并显示-10.0kV高压。
3.设置所需的电流（每次增加5mA或10mA），熔化坩埚中的材料。
4.设置挡板打开时间（秒）。
5.检查靶材是否完全熔化，并按按钮打开挡板开始镀膜。
速率和膜厚显示在PC控制界面。
直到设定时间到达，挡板将自动关闭，或者膜厚到达手动关闭SHUTTER。
6.设置电流对半两次减小到0。
随后按按钮关闭电子束电源。
8自动沉积
1.请参考控制柜并按如下步骤操作
按上图，灯丝电流顺时针拧到最大，确保互锁关闭指示点亮；
打开图形控制器电源，将控制器调整成“Run”和“REMOTECONTROL”
2.请参考SQC-310说明书，使用SQC-310-COMM软件制作工艺并上传到SQC的设备。
或者直接再SQC-310的软件中设置膜系和过程参数，并确保传到SQC。
3.进入自动模式，按下ADDNEW按钮新建一个自动程序，再选中这个程序，按下RECIPEEDIT按钮，并按对话框内容编辑自动程序。
设置真空，工装夹具旋转，加热，选择SQC中设置好的PROCESSNo，选择SQC程序中每步的SWEEPPATTERNS，选择VACUUMSEQ和后加热处理。
最后点击SAVE保存设置。
编辑完自动程序，点击“RECIPESELECT”选择相应的程序。
请再次确认已放好蒸发材料和基片，关好腔门，然后点击“RUN”开始运行程序。
3.按RECIPESELECT按钮选择所需程序，并按“RUN”按钮自动运行。
系统将运行以下过程：
a.准备好真空腔体。
b.打开电子束电源。
c.选择坩埚（容器）和扫描图形。
d.按编辑的工艺加载功率进行预热。
e.打开挡板开始沉积过程。
f.编辑的膜厚到达后关闭挡板，关闭高压束流电源，结束镀膜。
软件界面会显示运行的工艺，膜层，沉积速率，膜厚，输出功率等信息。
注意：
未经培训的人员不能操作该设备！
请勿打开设备机柜，内有高压危险。
请勿两人同时操作设备，操作前请阅读相关操作流程和注意事项，在保护好人身安全和设备安全的前提下使用设备。
定期清洁设备腔体，保持腔体无碎屑粉尘，否则会造成高压短路。
请勿将以下材料或器件（可能危及设备真空系统，可能在真空状态下出现意外危险）放入腔体的真空腔体中：
1，高于坩埚上沿的材料；
2，密封容器；
3，细腻粉末；
4，没有固定好的薄膜或漂浮物；
5，强腐蚀性物质或溶液（如需放入，请遵守相关使用和管理准则，并保护好设备及人身安全）。
1，电子束镀膜基本原理
2，热阻蒸发
3，磁控溅射
SQC设定流程
1，在SQC310上的FilmMenu中添加好需要的膜层：
比如：
旋转右上角大旋钮，选择Ti并按下（或者选择空的膜层进行重命名并编辑），按照各个参数的设置规则进行设置，详情请参考光盘中SQC310的说明书。
点击此界面中的FilmConds进入编辑界面
，
编辑完后点击PrevMenu再点击DepositContrals进行编辑
再进入ConfigureSensors进行编辑
完成膜层设置的编辑。
2，在SQC310上的ProcessMenu中添加或选择所需的工艺程序：
使用右上角的大旋钮选择并进入所选程序
在工艺中添加所需的膜系（比如Cu，Au，Ti）建立膜层（Layer）
使用右上角的大旋钮按钮选择并进入工艺膜层（Layer）的参数设计
如果需要做多膜层的逻辑设计，请编辑Inputs，Relays，LogicMenu参数
。
关于RampSoakMaxPower设置的说明。
此类参数的设置需要提前在手动模式下试验并记录相关数据，需要收集束流对应蒸发速率的数据，以计算此类参数，一般束流值（mA）除以最大束流值（本设备10千瓦，10千伏，所以最大束流为1000mA）就得到功率百分比。
作为Soak2的值，增加30%即为最大功率报警线。
功率EBC（Max1000mA）
Rate
20mA
40mA
60mA
1A
80mA
4
一，预熔操作：
如果是空坩埚，需要对熔化型靶材进行手动预熔。
预熔时先放三分之一的材料在坩埚里进行手动熔化，不要将预熔功率加得太高，否则速率会很高浪费材料。
熔化后再放三分之一进行预熔，两次预熔后，如果材料不到75%~85%的量，再加入少量就可以使用了
预熔过程：
放好材料到坩埚垫子中，关门抽真空，然后在手动模式下点PROCESS，等设备显示FINEPUMPING后点EBGON打开电子枪控制电源开始加热材料。
手动在EBGON中增加束流，熔化材料。
等材料熔化完全后，对半减小束流到0，关闭EBGON。
打开腔体，加入材料颗粒，再次熔化。
直到材料高度达到坩埚高度70~80%后预熔结束。
如果做完一个膜层，必须查看坩埚中材料的量，如不够需要增加。
不能加热没有材料的坩埚。
注意事项：
1，请加入洁净的自来水到冷水机中。
2，先打开冷水机，等待5分钟，确认没有漏水点后才能给主机通电和开机。
3，设备接地电缆必须接地，以防高压。
4，请勿用铁磁性工具接触电子枪，以免永磁体过早失去磁性。
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