放大电路静态工作点的稳定教案Word格式文档下载.doc

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教学重点

1、放大电路稳定静态工作点的原理和常用方法;

2、分压式偏置电路Q的估算;

3、分压式偏置电路动态性能指标的计算;

教学难点

1、稳定静态工作点的原理和措施;

2、分压式偏置电路微变等效电路画法及动态性能指标的计算;

引入新课

问:

有时,一些电子设备在常温下能够正常工作,但是当温度升高时,性能就可能不稳定,甚至不能正常工作,这到底是什么原因呢?

学生回答:

产生这种现象的主要原因,是电子器件的参数受温度影响而发生变化。

教学组织过程

本节以教师讲授为主。

用多媒体演示稳定静态工作点的原理和常用方法、分压式偏置电路Q的估算、动态性能指标的计算等,便于学生理解和掌握。

主要内容

放大电路的多项重要技术指标均与静态工作点的位置密切相关。

如果静态工作点不稳定,则放大电路的某些性能也将发生波动。

因此,如何使静态工作点保持稳定,是一个十分重要的问题。

1、静态工作点稳定的必要性

静态工作点不但决定了电路是否产生失真,而且还影响着电压放大倍数和输入电阻等动态参数。

实际上,电源电压的波动、元件老化以及因温度变化所引起的晶体管参数变化,都会造成静态工作点的不稳定,从而使动态参数不稳定,有时甚至造成电路无法正常工作。

在引起Q点不稳定的诸多因素中,温度对晶体管的影响是最主要的。

2、温度变化对静态工作点产生的影响

温度变化对静态工作点的影响主要表现为,温度变化影响晶体管的三个主要参数:

、β和。

这三者随温度升高产生变化,其结果都使值增大。

硅管的小,受温度影响小,故其β和受温度影响是主要的;

锗管的大,受温度影响是主要的。

三极管是一种对温度十分敏感的元件。

温度变化对三极管参数的影响主要变现在以下三方面:

(1)对β的影响:

三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大。

(2)对反向饱和电流ICEO的影响:

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。

温度上升10℃,ICEO将增加一倍。

由于硅管的ICEO很小,所以,温度对硅管ICEO的影响不大。

(3)对发射结电压ube的影响:

和二极管的正向特性一样,温度上升1℃,ube将下降2~2.5mV。

综上所述,随着温度的上升,β值将增大,iC也将增大,uCE将下降,这对三极管放大作用不利,使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

3、稳定静态工作点的原则和措施

为了保证输出信号不失真,对放大电路必须设置合适的静态工作点,并保证工作点的稳定。

(1)

采用不同偏置电路稳定静态工作点的原则是:

当温度升高使增大时,要自动减小以牵制的增大。

(2)稳定静态工作点可以归纳为三种方法:

P89图2.21所示。

(1)温度补偿;

(2)直流负反馈;

(3)集成电路中采用恒流源偏置技术;

集成电路中某些放大电路往往要求提供微弱的偏置电流,以提高输入阻抗,减小失调等。

上述电路IC2较大,要减小IC2就要增大R,而集成电路工艺不允许使用高阻值电阻。

这就需要从电路结构上改进。

改进后的电路如图Z0602所示,它是在图Z0601的基础上增加了一个射极电阻Re。

当IR一定时,UBE1-UBE2=△UBE=IE2Re2,从而可得:

因△UBE较小,用阻值不大的Re2就可获得微小的工作电流。

此外,由于Re2的电流负反馈作用,使得这种电路输出电流的稳定性得以提高。

图2.21

4、典型静态工作点稳定电路——分压式偏置电路的分析

1)Q点稳定原理

分压偏置电路如P90图2.22所示。

图2.22

稳定静态工作点的条件为:

I1>>IB和VB>>UBE;

此时,

,即当温度变化时,基本不变。

静态工作点的稳定过程为:

T(℃)↑→↑(↑)→↑(因为基本不变)→↓→↓

当温度降低时,各物理量向相反方向变化。

这种将输出量()通过一定的方式(利用将的变化转化为电压的变化)引回到输入回路来影响输入量的措施称为反馈。

可见,在Q点稳定过程中,作为负反馈电阻起着重要的作用。

典型静态工作点稳定电路利用直流负反馈来稳定Q点。

2)分压式偏置电路的静态分析

分压式偏置电路的静态分析有两种方法:

一是戴维南等效电路法;

二是估算法,这种方法的使用条件为I1>>IBE,或者。

3)分压式偏置电路的动态分析

动态分析时,射极旁路电容应看成短路。

画放大电路的微变等效电路时,要特别注意射极电阻有无被射极旁路电容旁路,正确画出“交流地”的位置,根据实际电路进行计算即可。

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