硅片技术标准Word下载.docx
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单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），一般以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；
3.5崩边：
晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；
3.6裂纹、裂痕：
延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；
3.7四角同心度：
单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.8密集型线痕：
每1cm上可视线痕的条数超过5条
4分类
单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：
125´
125Ⅰ（mm）、125´
125Ⅱ（mm）、156
´
156（mm）。
5技术要求
5.1外观
见附录表格中检验要求。
5.2外形尺寸
5.2.1
方片TV为200±
20um,测试点为中心点；
5.2.2
方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；
5.2.3
硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；
5.2.4
相邻C段的垂直度：
90
o±
0.3o；
5.2.5
其它尺寸要求见表1。
表1
单晶硅片尺寸要求
规格
（mm）
尺寸（mm）
A（边长）
B（直径）
C（直线段长）
D（弧长投影）
Max.
Min.
125Ⅰ
125.5
124.5
150.5
149.5
83.9
81.9
21.9
20.2
125Ⅱ
165.5
164.5
108.8
106.6
9.4
7.9
156´
156
156.5
155.5
200.5
199.5
126.2
124.1
15.9
14.9
注1：
A、B、C、D分别参见图1。
图1
硅单晶片尺寸示意图
5.3材料性质
5.3.1导电类型：
序号
硅片类型
掺杂剂
1
N型
磷（Phosphorous）
2
P型
硼（Boron）
5.3.2硅片电阻率：
见下表；
5.3.3硅片少子寿命：
见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；
5.3.4晶向：
表面晶向<
100>
+/-3.0°
；
5.3.5位错密度≤3000pcs/cm2；
5.3.6氧碳含量：
氧含量≤20ppma，碳含量≤1.0ppma。
6检测环境、检测设备和检测方法
6.1检测环境：
室温，有良好照明（光照度≥1000Lux）。
6.2检测设备：
游标卡尺（0.01mm）、厚度测试仪/千分表（0.001mm）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。
6.3检测项目：
导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。
6.4检测方案：
外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。
6.5检验结果的判定
检验项目的合格质量水平详见附录表A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
7包装、储存和运输要求
7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。
需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。
7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：
温度：
10℃～40℃；
湿度：
≤60%；
避免酸碱腐蚀性气氛；
避免油污、灰尘颗粒气氛。
7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。
检验项目
检验要求
检测工具
抽样计划验收标准
硅片等级
A级品
B级品
外
观
崩边/硅落
崩边硅落长宽≦0.3mm*0.2mm不穿透。
崩边长宽≦1mm*1mm不穿透。
硅落长宽厚≦1.5mm*1.5mm*100um。
目
测
粗糙度测试仪
日光灯
（≥1000Lux）
全
检
数量≤2
数量≤4
切割线痕
线痕深度≦15um，但无密集线痕。
线痕深度≦30um。
缺角/缺口
缺口长宽≦0.2mm*0.1mm。
无V型缺口、缺角
长宽≦1mm*0.5mm，无可见有棱角的缺角，数量≤2。
毛边/亮点
长度≦10mm,深度不能延伸到硅片表面0.1mm。
长不限,深度不能延伸到硅片表面0.3mm。
表面清洁度
无油污，无残胶，无明显水迹。
轻微可清洗的污迹可放行。
如硅片之间的摩擦产生的印迹以及≦2个针尖状的无凹凸的印迹。
无成片的油污，残胶，水迹。
划伤
无肉眼可见有深度感的划伤。
日光灯下无明显深度感的划伤。
其它
无孪晶、slip、应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤。
无孪晶、slip、应力、裂纹、气孔及明显凹坑、划伤。
尺
寸
规格（㎜）
寸尺
电子卡尺
万能角规
切片前全检晶锭尺寸
边长（㎜）
直径（㎜）
其它尺寸（㎜）
垂直度（O）
Max
Min
具体见
上表1和图1
90±
0.3
TV
200±
20μm（中心点）
30μm
测厚仪/
千分表
抽
TTV
≤30μm
（中心1点和边缘6mm位置4点）
≤50μm
翘曲度
≤70μm
≤100μm
性
能
位错密度
≤3000/cm2
显微镜
截取晶锭头尾部2mm样片进行测试.。
退火后测电阻率。
钝化后测试少子寿命。
导电型号
N型/P型
型号仪
电阻率
0.5Ω.cm—3.5Ω.cm
/
1.0Ω.cm—3.0Ω.cm
电阻率测试仪
氧含量
≤20ppma
FTIR氧碳含量测试仪
碳含量
≤1.0ppma
少子寿命
≥100μs
/
≥15μs
寿命测试仪
多晶硅片技术标准
1.1本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等
1.2本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2.2
2.3ASTMF1391-93
2.4ASTMF121-83
2.5ASTMF1535
边缘上下左右4点和中心点）；
3.3崩边：
3.4裂纹、裂痕：
3.5四角同心度：
多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.6密集型线痕：
多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：
156mm
156mm。
5.2.4
0.3o。
5.2.5
多晶硅片尺寸要求
B（对角线）
219.7
218.7
155.6
152.9
1.4
0.35
硅多晶片尺寸示意图
P型，掺杂剂：
B，硼（Boron）；
掺硼多晶片：
电阻率为1Ω·
cm～3Ω·
cm；
5.3.3多晶硅少子寿命≥2us；
5.3.4氧碳含量：
氧含量≤12ppma，碳含量≤12ppma。
导电类型、氧碳含量、电阻率、少子寿命、外形尺寸。
外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以多晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。
8．附录A
《多晶硅片检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
注：
本《多晶硅片技术标准》中未明示事项或对产品检验标准存在异议，均以附件《太阳能级多晶硅片国家标准》为准。
外观能够见FTS限度样本。
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