集成电路制造工艺教案.docx
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集成电路制造工艺教案
四川信息职业技术学院
教案
课程编码：
0231124
课程名称：
集成电路制造工艺
课程性质：
必修课
总学时/学分：
64/4
授课专业：
微电子技术
授课教师：
王志强
使用学期：
2012—2013学年第1学期
教研室审批意见及时间：
课程基本信息
课程标准名称、批准单位及时间
微电子技术专业11级《集成电路制造工艺》课程标准；
考核方式：
形成性考核30%0+终结性考核70%（开卷）。
电子工程系，20XX年8月
采用教材名称、作者、出版社及版本
《集成电路制造工艺》，林明祥，机械工业出版社，2011.1
教学参考资料
《微电子产业及单晶硅材料》，李可为，电子高专2006.6
《集成电路芯片制造原理与技术》，李可为，电子高专2006.6
教法、学法建议
教法：
讲授法、引导法、观摩法等
学法：
自学法、笔记法、讨论法。
班级
名称
班
编号
本学期总学时
其中
讲授时数
实训或实验课时数
习题（讨论）课时数
机动学时
微电11-1
1
64
56
8
0
备注
章节小结算入讲授学时，半期考试、复习算入习题课时。
课程授课学时安排表
编号
班号/周次
单元或项目名称
计划
学时
备注
1
2
1
1
绪论Ⅰ
2
理论课
2
1
绪论Ⅱ
2
理论课
3
1
硅晶圆片制造技术—硅及材料；单晶硅材料；
2
理论课
4
2
硅晶圆片制造技术—晶圆加工成形
2
理论课
5
2
硅外延生长
2
理论课
6
2
物质形态及材料属性工艺用化学品
2
理论课
7
3
玷污的类型及玷污与控制
2
理论课
8
3
硅片湿法清洗
2
理论课
9
3
集成电路测量学及质量测量
2
理论课
10
4
硅片的质量分析设备
2
理论课
11
4
集成电路芯片制造工艺概述Ⅰ
2
理论课
12
4
集成电路芯片制造工艺概述Ⅱ
2
理论课
13
5
氧化技术—Si02及掩蔽作用；
2
理论课
14
5
氧化技术—热氧化及热氧化生长动力学；
2
理论课
15
5
氧化技术——氧化速率及杂质再分布
2
理论课
16
6
扩散机构及杂质浓度分布；
2
理论课
17
6
常用杂质的扩散方法
2
理论课
18
6
扩散层参数测量和质量分析
2
习题课
19
7
半期考试
理论课
20
7
光刻技术—光刻工艺要求及光刻胶
2
理论课
21
7
光刻技术—光刻工艺Ⅰ
2
理论课
22
12
光刻技术—光刻工艺Ⅱ及质量分析
2
理论课
23
12
刻蚀—湿法刻蚀
2
理论课
24
12
刻蚀—干法刻蚀
2
理论课
25
13
刻蚀—砷化镓刻蚀
2
理论课
26
13
离子注入—工艺特点及原理
2
理论课
27
13
离子注入—注入设备
2
理论课
28
14
离子注入—注入工艺
2
理论课
29
14
CVD—化学过程及薄膜分类及生长动力学；
2
理论课
30
14
CVD淀积系统
2
理论课
31
15
金属化
2
理论课
32
15
表面钝化—概述及SI-SI02系统
2
理论课
33
15
表面钝化—钝化方法及、钝化膜结构。
2
理论课
34
16
电学隔离技术Ⅰ
2
理论课
35
16
电学隔离技术Ⅱ
2
理论课
36
16
典型双极性集成电路工艺
2
理论课
37
17
CMOS集成电路工艺
2
理论课
38
17
空的获得与设备
2
理论课
39
17
复习
2
习题课
40
20
复习
2
习题课
2
2
2
2
2
NO：
1
课题
绪论Ⅰ
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解课程的性质与任务
2、了解微电子产业历史、现状；
3、掌握硅片、芯片基本概念；
教学重点
教学难点
无
无
采用教法
讲授法，引导法、激励法
学法建议
自学法、笔记法、讨论法
教学
过程
设计
（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）
1、课程引入（30分钟）
介绍微电子行业相关知识，激发学生学习兴趣。
2、本课基本信息介绍（20分钟）
（1）本课的性质与任务；
（2）本课的教学安排；
（3）本课的学习资源与方法；
（4）要求及注意事项：
课程纪律要求，考核情况（作业、平时成绩、半期考试、期末考试），辅导答疑等。
3、引子与微电子产业发展历史（30分钟）
（1）硅片与芯片；
（2）微电子器件发展阶段；
（3）微电子产业发展史；
4、小结与答疑（10分钟）
教师启发式提问和学生自由提问并施，解决学生对专业和本课程的疑惑、疑问，其目的在于激发其学习兴趣、信心和和恒心。
备注
思考与
练习
教学后记
N0：
2
课题
绪论Ⅱ
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解半导体工艺技术史、半导体制造企业分类、集成电路分类；
2、掌握微电子产业技术趋势和技术节点。
教学重点
教学难点
半导体工艺技术史、集成电路分类、电子产业技术趋势和技术节点
无
采用教法
讲授法，引导法、激励法
学法建议
自学法、笔记法、讨论法
教学
过程
设计
（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）
1、复习及引入课题（5分钟）
（1）上次课复习
（2）本节学习内容与教学目的介绍
2、半导体工艺技术史（25分钟）
叙述各种首次被应用到半导体工艺或制作半导体器件而被研发出来的具有里程碑意义的技术，同时将本课程涉及的主要技术逐一介绍，以期使学生对本课程有个概略的了解。
3、我国微电子产业的现状、问题和前景（7分钟）
4、集成电路制造工艺简介（15分钟）
5、半导体制造企业（8分钟）
设计企业、设计与制造企业、代工企业
6、集成电路分类（10分钟）
7、技术趋势（5分钟）
8、技术节点（10分钟）
5、小结与答疑（5分钟）
备注
思考与
练习
教学后记
N0：
3
课题
硅的晶体结构，缺陷及杂质
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解半导体材料及分类；晶体基础知识。
2、掌握硅结构及缺陷。
教学重点
教学难点
半导体材料及分类；晶体基础知识；硅结构及缺陷。
无
采用教法
讲授法，引导法、归纳法
学法建议
自学法、笔记法
教学
过程
设计
（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）
1、复习及引入课题（10分钟）
（1）上次课复习
（2）本章、本节学习内容与教学目的介绍
2、半导体材料及分类（25分钟）
（1）半导体材料
（2）半导体分类
3、硅的晶体结构（35分钟）
（1）物质分类：
非晶体、晶体（单晶体和多晶体）；
（2）晶体结构及性质；
（3）硅单晶体及其结构。
4、晶体的缺陷及杂质（15分钟）
四种缺陷：
点、线、面、体
5、小结与答疑（5分钟）
备注
思考与
练习
教学后记
N0：
4
课题
硅晶体制备
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解多晶硅分类、制备方法
2、掌握多硅单晶制备方法；制备工艺、单晶硅制备方法。
教学重点
教学难点
多硅单晶制备方法；制备工艺；单晶硅制备方法。
直拉法制备硅单晶工艺
采用教法
讲授，演示法
学法建议
自学法、笔记法
教学
过程
设计
（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）
1、复习及引入课题（5分钟）
（1）上次课复习
（2）本节学习内容与教学目的介绍
2、多晶硅制备（30分钟）
（1）多晶硅分类
（2）多晶硅常见制备方法
（3）多晶硅制备工艺流程；
3、单晶硅制备（50分钟）
（1）单晶制备流程；
（2）典型的单晶硅制备方法：
CZ直拉法、FZ区熔法
（3）单晶制备设备
4、小结与答疑（5分钟）
备注
思考与
练习
教学后记
N0：
5
课题
硅单晶加工及质量要求
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解硅晶圆质量要求
2、掌握硅单晶制备工艺；晶圆加工成形工艺步骤及每步工艺要点
教学重点
教学难点
硅单晶制备工艺；晶圆加工成形工艺步骤及每步工艺要点；
单晶制备工艺
采用教法
讲授，演示法
学法建议
自学法、笔记法
教学
过程
设计
（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）
1、复习及引入课题（10分钟）
（1）上次课复习
（2）本节学习内容与教学目的介绍
2、硅单晶制备工艺（30分钟）
（1）、硅单晶制备工艺
（2）质量要求；
3、硅单晶加工（45分钟）
（1）硅单晶的切割
（2）硅单晶的研磨
（3）硅单晶的倒角；
（4）硅单晶的抛光
4、小结与答疑（5分钟）
备注
思考与
练习
教学后记
N0：
6
课题
硅片玷污与控制
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解硅片玷污及类型；
2、、掌握硅片清洗
教学重点
教学难点
硅片玷污类型；硅片清洗
硅片清洗
采用教法
讲授法，演示法，巡查指导
学法建议
自学法、笔记法
教学
过程
设计
1、复习及引入课题（5分钟）
（1）上次课复习
（2）本节学习内容与教学目的介绍
2、玷污的类型（40分钟）
（1）颗粒；
（2）金属杂质；
（3）有机物玷污；
（4）自然氧化层；
（5）ESD静电释放。
3、玷污控制（40分钟）
（1）硅片湿法清洗概述
（2）RCA清洗；
（3）清洗设备
4、小结与答疑（5分钟）
备注
思考与
练习
教学后记
N0：
7
课题
硅外延生长
课型
理论课
教学时数
2
教学目的
1、了解外延生长基本概念。
2、理解外延生长工艺
教学重点
教学难点
外延生长工艺
升级会员 