《集成电路晶圆制造能耗限额》编制说明上海地方标准文档格式.docx
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集成电路芯片制造企业主要以6英寸、8英寸生产线为主,而目前我市集
成电路制造生产线中,12英寸正在运行的有2条、在建的有3条;
8英寸
正在运行的有8条、在建的有1条,6英寸正在运行的有3条。
原标准已
不适用目前的情况,依据实际情况分别设置12英寸、8英寸、6英寸晶圆
生产线的单位产品能耗限额,是本次修订标准的主要工作。
随着技术水平
更高、工艺更复杂的芯片不断导入生产线,单位产品的能耗将会逐步增加,
因此本标准将根据产业发展情况不断修订,不断完善。
本次修改后的能耗标准,仍将覆盖我市集成电路晶圆制造业所有企业,这些企业2017年晶圆生产总能耗接近30万吨标准煤。
(三)预期的社会经济效果
通过调查、测算和不断优化,确定了我市集成电路晶圆制造行业的能耗限额,一是约束了行业内各晶圆制造企业能耗管理,通过不断的技术改造和管理优化将企业总体能耗水平控制在标准允许的范围内,特别是随着企业运行、设备逐步老化,鞭策企业始终将严格执行能耗标准作为节能降耗的动力之一。
二是该标准作为企业新进入晶圆制造行业的能耗技术门槛,要求企业在建立时就把采用新技术、新工艺、新方法作为初创企业必须要考虑的因素之一,提高企业的低能耗技术定位,以整体提高我市集成电路产业的节能降耗水平。
总之,集成电路晶圆制造能耗限额标准的制订,将推动我市集成电路晶圆制造行业的能耗管理在全国处于领先水平,实现较好的社会经济效果。
(四)起草单位
上海市集成电路行业协会、上海市能效中心、中芯国际集成电路制造
(上海)有限公司、上海华力微电子有限公司、上海华虹宏力半导体制造
有限公司、台积电(中国)有限公司、上海先进半导体制造股份有限公司、
上海新进半导体制造有限公司等。
(五)主要工作过程
上海市集成电路行业协会接获市质技监督局下达的任务后,即着手成
立《集成电路晶圆制造能耗限额》标准起草组,标准起草工作由上海市集成电路行业协会、上海市能效中心、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海华力微电子有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、台积电(中国)有限公司等单位代表参加。
2018年4月10日,标准起草组根据沪质技监标〔2017〕332号文的要
求,制定了标准编制工作的各阶段工作计划并召开标准起草小组第一次工
作会议,就工作目标、工作程序、时间节点进行布置,并将调研任务落实
至参加单位。
2018年5月完成主要企业的数据统计和工作组讨论稿.
2018年6月上旬组织讨论完成征求意见稿并发给相关企业征求意见,
并对征求意见稿进一步完善。
2018年6月下旬将完善后的征求意见稿发给各相关企业进行第二次征
求意见,并于2018年7月3日召开标准起草小组第二次工作会议,就标准
修订过程中数据统计、修改方案、征求意见、主要问题的解决等进行了汇
报讨论,形成了标准最终的修改方案。
2018年12月上旬,通过分析、汇总反馈意见,在此基础上,完成《集
成电路晶圆制造能耗限额》送审稿。
二、标准编制原则和确定标准主要内容的依据
(一)制定标准的原则
1、标准编写格式按照GB/T1.1的要求,引用标准采用最新版本。
2、制定标准的目的是规范集成电路晶圆制造企业生产、指导企业节能
减排工作,标准必须适应集成电路晶圆制造行业及企业的要求,满足行业、
企业可持续发展的需要。
3、标准的内容尽可能从实际应用出发,适合实际操作。
(二)制定标准的主要内容
标准的范围:
本标准规定了集成电路晶圆制造能耗限额的术语和定义,
集成电路晶圆制造能耗限额的技术要求、计算原则、计算范围及计算方法,
技术与管理措施,各种能耗折算标准煤的原则。
(三)确定标准主要内容的论据
(地方标准的修订项目,应列出和原标准主要差异情况对比)
根据GB/T12723-2008《单位产品能源消耗限额编制通则》的要求,针
对DB31/506-2010《集成电路晶圆制造能耗限额》在标准制定和应用中存在的问题以及企业的现状进行了修订。
1、本标准主要针对以下几方面问题进行了修改:
1)原标准是2010年编制的,当时我市大多数集成电路制造企业都是8
英寸和6英寸生产线,原标准采用统一的能耗限额指标尚能兼顾两类生产
线的能耗水平。
目前我市集成电路制造生产线中,12英寸正在运行的有2
条、在建的有3条;
8英寸正在运行的有8条、在建的有1条,6英寸正在
运行的有3条。
集成电路生产线的单位能耗随着晶圆尺寸的增大显著增加,
显然原标准采用统一的能耗限额指标已不适用目前我市集成电路生产线的
实际情况,本次标准修改在充分调查企业现状的基础上,针对6英寸、8英
寸和12英寸三类生产线分别制订能耗限额的限定值、准入值和先进值,以
更有针对性,也初步解决了近几年标准在执行过程中经常碰到能耗实测数
据与标准差别较大的问题。
2)集成电路晶圆制造单位能耗一般随着企业产能利用率的下降而增大,
考虑这个因素,原标准中在计算单位能耗时引入了产能利用率修正系数。
在标准执行的几年中,发现当产能利用率≥80%时单位产品能耗变化不大
(企业生产处于景气状态),比较稳定,故这次将产能利用率修正系数在产
能利用率≥80%时修改为1,<80%时修正系数随产能利用率降低逐步增大。
3)在计算方法的描述中,将原标准大多数采用文字描述的情况修改为
全部采用计算公式描述,但计算方法保持不变。
4)力图使标准通俗易懂,在保持原意不变的情况下,调整修改了一些
词句。
具体修改内容详见附件1:
《集成电路晶圆制造能耗限额》标准修订版
与旧版修改内容对照表。
2、晶圆能耗限额的限定值、准入值和先进值的修改依据与结果:
目前,尚未查询到集成电路晶圆制造能耗指标的国际、国家、地方标
准及相关数据,本次修改晶圆能耗限额的限定值、准入值和先进值无其他
相关标准可以参照,主要是根据本市相关晶圆制造企业的三年实际数据,
在原标准基础上适当修订制定。
1)限定值的制定。
主要考虑本市相关晶圆制造企业(6英寸厂2家企
业、8英寸厂4家企业、12英寸厂2家企业)2015-2017三年的能耗实际数
据,以及未来几年企业晶圆产品工艺难度逐步提升导致能耗增加的因素来
确定限定值。
未来几年晶圆产品工艺难度的提升主要体现在12英寸晶圆厂,
12英寸厂2015-2017年主要晶圆产品为55-40纳米工艺,2018-2020年将逐步导入28-14纳米工艺,根据企业调查来看,40、28、14纳米的产品其工
艺等级系数相对55纳米产品提高了1.11、1.29、1.86倍,相应能耗也将增
大,因此目前确定的12英寸晶圆能耗限额的限定值将根据未来工艺等级更
高产品的导入情况适当调整。
本次标准修改后,限定值相对于原标准的1.5千瓦时/平方厘米(6、8
英寸生产线共用一个标准),6英寸收紧了33.3%,8英寸收紧了13.3%,12
英寸无原标准对照(原标准主要针对6-8英寸晶圆生产厂制定)。
2)准入值和先进值的制定。
原标准是将准入值和先进值合并为
1.1千
瓦时/平方厘米,与原限定值1.5千瓦时/平方厘米减小了26.7%。
本次修改
将准入值和先进值分列但取值相同,原则是在修改后的限定值基础上加严
20%-25%(6英寸加严了20%,8英寸加严了23.1%,12英寸加严了24.1%)
确定准入值和先进值。
本次标准修改后,准入值和先进值相对于原标准的
1.1千瓦时/平方厘米,6英寸收紧了27.3%,8英寸收紧了9.1%,12英寸无
原标准对照(原标准主要针对6、8英寸晶圆生产厂制定的)。
修改后的集成电路晶圆制造单位能耗指标与被调查企业
2015-2017三
年的实际数据比较见下表:
修订后单位能耗指标(千瓦时
/平方厘米)
企业调查数据(千瓦时
分
限
准
先
产能利用率修正系数
企
2015年
2016
年
2017年
定
入
进
类
≥
70%
60%
50%
40%业
单位
产能利
值
80%
能耗
用率
6
1.0
0.8
A
0.992
53.0%
0.97
67.0%
0.801
85.0%
英
B
1.005
71.5%
寸
——
C
0.893
99.0%
0.961
0.813
100.0%
8
D
1.224
90.0%
1.014
98.0%
1.078
1.3
1.1
1.2
1.4
E
0.973
69.7%
0.91
76.5%
0.70
102.0%
F
1.109
92.0%
1.011
96.0%
1.019
12
G
1.679
44.0%
1.135
1.039