秋华南师范大学《电子电路基础》在线作业及满分答案Word文件下载.docx
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A.极间耦合电容
B.发射极旁路电容
C.三极管结电容
D.温度
C
3．第3题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。
A.大
B..小
C.相等
D.无法判定
4．第4题
在本征半导体中掺入3价元素就成为（）型半导体。
A.P型半导体
B.N型半导体
C.PN结
D.纯净半导体
5．第5题
测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V,则三极管的三个电极分别是（）。
A.（E、B、C）
B.（C、B、E）
C.（B、C、E）
D.（B、E、C）
6．第6题
测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V，UB=3.7V，UE=3V，则该管工作在（）
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.击穿区
7．第7题
在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V、3V、6V，则该管属于（）
A.锗NPN型
B.锗PNP型
C.硅NPN型
D.硅PNP型
8．第8题
图示电路是（）电路。
A.微分电路
B.积分电路
C.指数电路
D.对数电路
9．第9题
在固定偏置放大电路中，当RC、RB的参数分别为（）时，该电路的静态工作点处在放大区。
设三极管的β=100。
A.5.6kΩ、10kΩ
B.5.6kΩ、510kΩ
C.5.6kΩ、10MΩ
D.100kΩ、1MΩ
B
10．第10题
锗二极管的死区电压是（）。
A.0.1~0.2V
B.0.5V
C.0.7V
D.0.6V
11．第11题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）
A.晶体缺陷
B.温度
C.杂质浓度
D.掺杂工艺
12．第12题
N型半导体可以在纯净半导体中掺入（）价元素实现。
A.3
B.4
C.5
D.6
13．第13题
测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于（
）
A.放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.击穿状态
14．第14题
测某放大电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V，则三极管的三个电极分别是（
）。
A.（E、C、B）
15．第15题
影响多级放大器低频特性的原因是（）。
B.三极管放大倍数
16．第16题
在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V，则这只三极管属于（）
A.硅PNP型
B.硅NPN型
C.锗PNP型
D.锗NPN型
17．第17题
PN结具有（）导电特性。
A.双向
B.单向
C.不确定
18．第18题
基本微分电路的电容器接在运放电路的（）。
A.反向输入端
B.同向输入端
C.反向端与输出端之间
D.输出端
19．第19题
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄。
20．第20题
半导体中的少数载流子产生的原因是（）
A.外电场
B.内电场
C.掺杂
D.热激发
D
21．第21题
测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三极管的三个电极分别是（）。
A.（B、C、E）
C.（E、C、B）
22．第22题
PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为（）
A.UC<
UE<
UB
B.UB<
UC<
UE
C.UC<
UB<
D.UB<
UC
23．第23题
在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V，11.3V，0V，则该管属于（）
24．第24题
在放大电路的耦合方式中，（）级间静态工作点会影响。
A.变压器耦合
B.直接耦合
C.阻容耦合
D.光电耦合
25．第25题
二极管两端电压大于（）时，二极管才导通。
A.击穿电压
B.死区电压
C.饱和电压
D.放大电压
26．第26题
负反馈使放大电路增益（
A.增大
B.下降
C.不变
27．第27题
电源电路中滤波的作用是（）
A.将正弦波变方波
B.将交流电变直流电
C.将高频信号变成低频信号
D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压
28．第28题
并联型稳压电路通常应用于（）场合。
A.电压固定、负载电流小、负载变化不大
B.电压固定、负载电流大
C.负载变化大
D.稳压范围宽
29．第29题
图示电路为（）电路。
A.甲乙类OCL
B.甲乙类OTL
C.乙类OCL
D.甲类
30．第30题
在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，将使静态工作点（）。
A.升高
B.降低
D.不定
31．第31题
在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻Rb的数值，容易出现（）失真。
A.饱和
B.截止
C.低频
D.交越
32．第32题
在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，容易出现（）失真。
33．第33题
整流的目的是（）
D.将非正弦信号变为正弦信号
34．第34题
固定输出的三端稳压器内部采用（）型稳压电路结构。
A.开关
B.串联
C.并联
D.复合
35．第35题
OCL功率放大电路如图示，T2、R1、R2的作用是（）。
A.充当T1的集电极负载
B.消除交越失真
C.增大输出功率
D.减少三极管的穿透电流
36．第36题
整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是（）。
A.温度的变化
B.负载电流的变化
C.电网电压的波动
D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面
37．第37题
电路中稳压的作用是（）
A.正弦波变方波
C.将滤波后的电压进一步稳定
38．第38题
OCL功率放大电路如图示，T4、R1、R2的作用是（）
39．第39题
硅二极管的死区电压是（）。
40．第40题
在放大电路的耦合方式中，（）低频特性最好。
41．第41题
当PN结外加正向电压时，内外电场方向（）。
A.相反
B.相同
42．第42题
在本征半导体中掺入5价元素就成为（）型半导体。
43．第43题
测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（）。
B.（B、C、E）
C.（B、E、C）
D.（C、B、E）
44．第44题
在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（）
45．第45题
当PN结外加反向电压时，内外电场方向（）。
46．第46题
欲将方波转换成三角波，应选用（）。
A.微分运算电路
B.积分运算电路
C.差分输入运算电路
D.乘法电路
47．第47题
在开关型稳压电路中，调整管工作在（）状态。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.开关
48．第48题
在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻Rb
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